检索结果-内蒙古大学图书馆

物理化学学报 2018年第12期34卷 1366-1372页

作者：刘强韩永曹云君李小宝黄武根余毅杨帆包信和李毅敏刘志中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大连化学物理研究所辽宁大连116011 上海科技大学物质科学与技术学院上海201203 中国科学院大学北京100049

Cu/ZnO/Al_2O_3是工业中最广泛使用的甲醇合成催化剂。然而该催化反应的活性位点和机理目前仍存争议。H_2作为反应物之一,研究其在ZnO表面的活化和解离对于弄清甲醇合成反应的催化机理具有重要的帮助。本工作利用近常压光电子能谱(APXPS... 详细信息

Cu/ZnO/Al_2O_3是工业中最广泛使用的甲醇合成催化剂。然而该催化反应的活性位点和机理目前仍存争议。H_2作为反应物之一,研究其在ZnO表面的活化和解离对于弄清甲醇合成反应的催化机理具有重要的帮助。本工作利用近常压光电子能谱(APXPS)和扫描隧道显微镜(STM)原位研究了H_2在ZnO (1010)表面上的活化和解离。APXPS结果表明:在0.3mbar (1 mbar=100 Pa)的H_2气氛中,室温下ZnO表面形成羟基(OH)吸附物种。STM实验发现通入H_2后ZnO表面发生了(1×1)到(2×1)的重构。上述结果和原子H在ZnO (1010)表面的吸附结果一致。然而吸附H_2O可以导致同样的现象。因此,我们还开展了H_2O在ZnO (1010)表面吸附的对比实验。结果表明:H_2气氛中ZnO表面发生0.3 eV的能带弯曲,而H_2O吸附实验中几乎观察不到能带弯曲发生。同时,热稳定性实验表明H_2气氛中ZnO表面的OH不同于H_2O解离吸附产生的OH,前者具有更高的脱附温度。因此,本工作的结果表明常温和常压下H_2在ZnO (1010)表面发生解离吸附。这一结果和以往超高真空下未发现H_2在ZnO (1010)表面上的解离不同,说明H_2的活化是一个压力依赖过程。

关键词： H2 ZnO(1010) 活化解离吸附近常压光电子能谱扫描隧道显微镜

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绝缘衬底上石墨烯的化学气相沉积制备与器件应用

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科学通报 2017年第20期62卷 2168-2179页

作者：杨超吴天如王浩敏谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室超导电子学卓越创新中心上海200050 上海科技大学物质科学与技术学院上海200031

石墨烯作为一种拥有优异性能的二维晶体材料,其制备方法与潜在应用在最近几年内得到了广泛研究.与现有半导体硅工艺相匹配的化学气相沉积方法因其能够以低成本大规模制备高质量石墨烯,逐渐成为工业化大规模制备石墨烯的首选技术.然而,... 详细信息

石墨烯作为一种拥有优异性能的二维晶体材料,其制备方法与潜在应用在最近几年内得到了广泛研究.与现有半导体硅工艺相匹配的化学气相沉积方法因其能够以低成本大规模制备高质量石墨烯,逐渐成为工业化大规模制备石墨烯的首选技术.然而,金属上通过化学气相沉积生长的石墨烯需要转移到绝缘衬底上才可以用于器件制备、电学性能表征等后期工作,而目前的转移技术无法避免对石墨烯的质量造成影响.如果在绝缘衬底表面直接生长石墨烯将有效避免石墨烯的转移工艺,从而有望在目标绝缘衬底上直接获得大面积高质量石墨烯.本文系统性介绍了近几年来绝缘衬底上生长石墨烯的相关研究进展,总结并展望了绝缘衬底上石墨烯生长、应用的发展前景与需要攻克的难题.

关键词：石墨烯化学气相沉积绝缘衬底金属衬底氮化硼

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高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性

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功能材料与器件学报 2008年第4期14卷 787-792页

作者：王立敏中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且... 详细信息

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系。结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升。这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用。

关键词： HEMT terahertz 导纳响应率

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长波长垂直腔面发射激光器研究

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物理 2007年第4期36卷 306-312页

作者：谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌曹春芳中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇... 详细信息

垂直腔面发射激光器(简称VCSEL)近年来受到了国内外科技界和企业界的高度关注,它在光通信领域具有潜在的应用.文章主要介绍了长波长垂直腔面发射激光器的发展历史、基本应用、器件结构、材料和制备工艺,最后分析了研制长波长VCSEL所遇到的问题及相应解决方法,并进行了展望.

关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 布拉格反射镜(DBR) 有源层键合隧道结

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SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析

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功能材料与器件学报 2008年第6期14卷 995-1000页

作者：杨志峰陈静孙佳胤武爱民王曦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层... 详细信息

通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m。SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大。通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题。

关键词： SOI GaN 热膨胀系数热应力

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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析(英文)

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功能材料与器件学报 2008年第5期14卷 889-894页

作者：梅斌徐刚毅李爱珍李华李耀耀魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度... 详细信息

高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs/InAlAs超晶格材料。通过倒空间mapping得到的单层材料的错向角大约为10-3度,可以忽略不计。通过摇摆曲线得到了单层材料的组分和体失配度,接着单层材料的结果被用来分析在相同的条件下利用MBE技术生长的超晶格材料。利用倒空间mapping精确得到了超晶格的平均垂直失配度和各层的厚度,通过X射线模拟软件得到的超晶格材料的模拟曲线和实测曲线吻合的很好。

关键词：高分辨X射线衍射 InGaAs InAlAs 错向角摇摆曲线倒空间mapping

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超薄超导材料特性及应用

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稀有金属材料与工程 2008年第A4期37卷 373-376页

作者：尤立星中国科学院上海微系统信息与技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍和讨论低温和高温超导超薄材料的制备及超导特性,并和普通非超薄超导材料特性相比较。超薄超导材料可以用于制备超导单光子探测器(Supercon ducting Single Photon Detector,简称SSPD)和超导热电子测辐射热仪(Superconducting Hot E... 详细信息

介绍和讨论低温和高温超导超薄材料的制备及超导特性,并和普通非超薄超导材料特性相比较。超薄超导材料可以用于制备超导单光子探测器(Supercon ducting Single Photon Detector,简称SSPD)和超导热电子测辐射热仪(Superconducting Hot Electron Bolometer,简称SHEB)。详细分析并讨论其应用。

关键词：超薄超导材料超导单光子探测器超导热电子测辐射热仪

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C^+离子注入SiGe衬底提高NiSiGe表面和界面特性研究

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功能材料与器件学报 2013年第4期19卷 202-207页

作者：张波俞文杰薛忠营魏星信息功能材料国家重点实验室上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海200050

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8... 详细信息

本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si0.8Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响。研究结果充分表明:C+离子注入的Si0.8Ge0.2衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi0.8Ge0.2的热稳定性。此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了NiSi0.8Ge0.2表面和NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显。

关键词：镍硅锗碳

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用于相变存储器的高效开关电容电荷泵

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微电子学 2015年第3期45卷 335-339,344页

作者：雷宇陈后鹏金荣胡佳俊宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

提出一种应用于相变存储器芯片的新型开关电容电荷泵。对于16位的相变存储器芯片,系统擦写时间大于100ns,电荷泵的驱动能力至少为60mA。相比于传统开关电容电荷泵,该电荷泵根据负载电流大小自动生成一个使能信号,该信号通过控制升压模... 详细信息

提出一种应用于相变存储器芯片的新型开关电容电荷泵。对于16位的相变存储器芯片,系统擦写时间大于100ns,电荷泵的驱动能力至少为60mA。相比于传统开关电容电荷泵,该电荷泵根据负载电流大小自动生成一个使能信号,该信号通过控制升压模块功率管的开启与关断来调节输出电压,最终将输出电压控制在一个允许的范围内波动。采用40nm CMOS工艺对电荷泵进行设计和仿真,结果表明在5mA负载时,电源效率为87%,输出纹波为2.84mV;负载电流从0mA变化到60mA时,电源效率皆高于82%;负载电流变化在300mA/μs时,输出瞬态响应时间为1.63μs,满足相变存储器芯片的使用要求。

关键词：电荷泵输出电压自动调节输出纹波电源效率负载瞬态响应

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基于SCR的SOI ESD保护器件研究

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功能材料与器件学报 2012年第1期18卷 17-22页

作者：夏超王中健何大伟徐大伟张有为程新红俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14c... 详细信息

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV。研究发现,注入剂量(9*13-8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高;Trench长度(0.8-1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低;场氧化层长度(2-4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加。

关键词： SOI ESD SCR Sentaurus 保护器件

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