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第十三届全国超导学术研讨会

作者：孔祥燕张国峰张树林王美玲张懿王镇谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海超导中心上海200050

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准需... 详细信息

超导量子干涉器件(SQUID)是目前为止最为灵敏的磁传感器，其发展历史已有50余年，但无论在器件还是应用方面，国内和国际标准几乎空白。目前随着SQUID器件日渐成熟，在基础研究和系统应用方面的深入和扩展，对于器件和系统相关的标准需求越来越大。作者就SQUID器件的及其应用的国内外现状进行总结和分析，并就有关SQUID器件和应用方面的相关的标准提出初步观点和建议，并以低温SQUID器件以及磁探测系统的若干具体问题作为实例进行细致交流。

关键词： SQUID 灵敏度噪声分析生物磁梯度计标准

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FTIR测量宽波长范围光谱的校正

FTIR测量宽波长范围光谱的校正

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：张永刚方家熊周立顾溢马英杰陈星佑奚苏萍杜奔邵秀梅龚海梅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083

傅里叶变换红外光谱方法经半个多世纪的发展,在理论和技术方面都日臻成熟,并已成为鉴别固态、气态和液态物质的重要方法之一,其相关的测量仪器及其可选部件也根据这些主流应用得到了充分的发展,主要侧重于中红外波段的吸收谱类光谱测量...

傅里叶变换红外光谱方法经半个多世纪的发展,在理论和技术方面都日臻成熟,并已成为鉴别固态、气态和液态物质的重要方法之一,其相关的测量仪器及其可选部件也根据这些主流应用得到了充分的发展,主要侧重于中红外波段的吸收谱类光谱测量,并拓展进入近红外波段.在半导体特别是光电子研究领域,随着材料和器件的工作波长由近红外及可见-紫外波段向中红外波段推进,与分光光谱相比傅里叶变换红外光谱方法的高光通量、宽光谱范围、低等效噪声及快扫描速度等优点使其受到青睐,相关的光电谱类(如光电流、光电导、光电容等)和发射谱类(如光荧光、电荧光与激光等)测量方法呵技术也在原有光谱仪的吸收谱类测量基础上得到拓展,并发展出适用的用户测量系统[1-2].

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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱二维电子气中的零场自旋分裂与塞曼分裂

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红外与毫米波学报 2014年第2期33卷 134-138页

作者：刘新智徐勇刚俞国林林铁郭少令褚君浩张永刚中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大... 详细信息

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、单边δ掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱,根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动,提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|,发现Δ0随浓度增加而增大,|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明,|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.

关键词： InGaAs InAlAs量子阱零场自旋分裂塞曼分裂有效g因子

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对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

对DC-SQUID磁通调制读出方案的分析

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：王海洪韬孔祥燕张懿中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海20050 Peter Grünberg Institute (PGI-8) Forschungszentrum Jülich (FZJ) D-52425 Jülich Germany

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该... 详细信息

通过升压变压器连接SQUID与前放的磁通调制方案(FMS)是一种标准的SQUID读出技术。变压器的初级线圈串联一个大电容后并联到SQUID两端,次级线圈连接到前放。一个典型频率在100 kHz调制磁通会在SQUID两端产生一个交流的电压信号V(Φ),该电压信号会被变压器放大。由于电容的隔直作用,习惯上认为恒定的直流偏置电流Ib只流经SQUID,在该技术方案中SQUID工作于电流偏置模式。然而,在FMS中SQUID的工作模式既不是纯粹的电流偏置也不是电压偏置,而是混合偏置。通过分析,并定量比较了FMS与直读方案(DRS)的SQUID电流电压(I-V)特性曲线实验测量数据,我们发现：由于变压器的并联分流作用使得流经SQUID的电流Is≠Ib,且不是恒定的,,使得SQUID在FMS中的V(Φ)信号与DRS相比减小了。更重要的是,变压器的通带效应使得SQUID信号变得接近正弦波,这就降低了SQUID工作点附近的(e)V/(e)Φ。

关键词： DC-SQUID FMS DRS

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新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

新颖Ⅳ族发光材料:张应变Ge量子点

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：宋禹忻王庶民陈其苗张振普王朋岳丽刘娟娟芦鹏飞李耀耀龚谦中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国上海 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of TechnologyGothenburgSweden 北京邮电大学信息光子学与通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室中国北京

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GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等....

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,导致价带边上升,剪裁能带.同时研究发现,在不同的生长条件下,掺碳还可分别获得超高浓度的p型或n型InGaAsBi,可用于异质结双极晶体管(HBT)等器件的基区或欧姆接触层.

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缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹛徐安怀周书星齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性...

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性.因此,采用较宽禁带的InP作为集电区的InP/InGaAs/InP双异质结HBT(DHBT)就受到了广泛的重视.本文设计采用了一个基区缓变的结构,基区InGaAs材料由发射极至集电极采用Ga的组份线性增加,这样在基区就形成了一个缓变能带结构而产生加速电场,利用电场作用使电子在基区加速渡过,有利于提高器件性能.

关键词：

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基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

基于超导接收的低阻覆盖区瞬变电磁勘探

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第十三届全国超导学术研讨会

作者：荣亮亮常凯王远蒋坤王永良嵇艳鞠谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院大学北京100039 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室吉林大学长春130000 中科院上海微系统所-吉林大学地球物理探测技术联合实验室

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁... 详细信息

低阻覆盖区探测是瞬变电磁勘探的难点和技术前沿,传统的感应线圈接收受灵敏度和频率特性的制约,低阻覆盖区探测效果有限.基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的传感器具有磁场噪声水平低(fT量级),带宽大,灵敏度不随频率变化以及直接测量磁场等特点和优势,适合瞬变电磁(TEM)应用.与传统的空心线圈接收相比,超导接收的晚期信号信噪比高,探测深度显著增大.本文基于欠阻尼低温SQUID和单片低噪声直读电路构建了高摆率、大带宽的超导瞬变电磁接收传感器,磁传感器本底噪声水平7fT/√Hz@1kHz,噪声转折频率20Hz,带宽4MHz,摆率3 nT·μs-1.我们在上海市横沙岛开展了验证实验,上海横沙岛地表电阻率为10欧姆米左右,为典型的低阻覆盖区,我们基于超导接收实现了1400米的有效探测深度,对比线圈700米探测深度,应用优势明显.

关键词：瞬变电磁低温SQUID磁传感器摆率衰减曲线

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GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构中InAlAs缓冲层的优化

GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构中InAlAs缓冲层的优化

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：陈星佑张永刚顾溢奚苏萍郭作兴周立李爱珍李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 吉林大学教育部材料科学与工程学院汽车材料重点实验室长春130025

波长位于1～3μm波段的短波红外光电探测器及其阵列在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用[1].而In Ga1-xAs材料通过调节In组分波长可以覆盖0.87～3.5μm波段,且具有高迁移率等优点,尤其是InGaAs探测器能够室温工作,因此备受...

波长位于1～3μm波段的短波红外光电探测器及其阵列在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用[1].而In Ga1-xAs材料通过调节In组分波长可以覆盖0.87～3.5μm波段,且具有高迁移率等优点,尤其是InGaAs探测器能够室温工作,因此备受关注.

关键词：

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0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 273-279页

作者：吕灵娟刘汝萍林敏杨根庆邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所、信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049

基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单... 详细信息

基于0.13μm部分耗尽绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线,开发了全套0.13μm抗辐射SOI CMOS工艺的标准单元库。针对深亚微米SOI器件的辐射效应,在电路设计和版图设计上进行了加固,达到了比较好的抗辐射效果。对SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍,通过Hspice仿真验证单元库中加固D触发器(DFF)抗单粒子效应的能力并对不同加固方式的性能开销进行了对比。利用已建立的0.13μm抗辐射SOI CMOS标准单元库设计了测试芯片以验证库的可靠性。

关键词： 0 13μm抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体标准单元库建库流程测试芯片

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