检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2014年第7期39卷 522-526+558页

作者：陆子同母志强薛忠营刘林杰陈达狄增峰张苗中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、... 详细信息

基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先腐蚀以及透射电子显微镜(TEM)等方法表征了sSOI材料的应变度、缺陷密度以及晶体质量;制备了基于sSOI材料的n型金属-氧化层-半导体场效晶体管(n-MOSFET)以表征其电学性能,同时在相同工艺下制备了基于SOI材料的n-MOSFET器件作对比。结果表明,制备的sSOI材料顶层应变硅薄膜的应变为1.01%,并且在800℃热处理后仍能保持;应变硅薄膜厚度为18 nm,缺陷密度为4.0×104cm-2,具有较高的晶体质量;制备的sSOI n-MOSFET器件的开关电流比(Ion/Ioff)达到108,亚阈值斜率为69.31 mV/dec,相比SOI n-MOSFET,其驱动电流提高了10倍。

关键词：离子剥离绝缘体上应变硅 n-MOSFET 器件电学性能电子迁移率

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氧化铝抛光液磨料制备及其稳定性研究进展

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上海第二工业大学学报 2015年第2期32卷 104-108页

作者：吴俊星刘卫丽谢华清宋志棠朱月琴上海第二工业大学城市建设与环境工程学院上海201209 上海新安纳电子科技有限公司上海201506 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了氧化铝磨料在化学机械抛光中的应用,总结了氧化铝抛光液磨料制备方法。根据氧化铝抛光液在应用中存在的问题,着重阐述提高氧化铝抛光液分散性和稳定性的方法。在分析氧化铝抛光液应用的基础上,提出蓝宝石衬底抛光液将来的发展方向... 详细信息

介绍了氧化铝磨料在化学机械抛光中的应用,总结了氧化铝抛光液磨料制备方法。根据氧化铝抛光液在应用中存在的问题,着重阐述提高氧化铝抛光液分散性和稳定性的方法。在分析氧化铝抛光液应用的基础上,提出蓝宝石衬底抛光液将来的发展方向,希望为今后的氧化铝抛光液研究提供一些思路。

关键词：化学机械抛光纳米氧化铝表面改性

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基于相变存储器器件单元的电流脉冲测试系统

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半导体光电 2014年第1期35卷 136-138,143页

作者：王玉婵陈小刚宋志棠陈一峰王月青陈后鹏饶峰中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100080

相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专... 详细信息

相变存储器单元的测试主要包括set、reset和read操作,目前国内外多采用施加电压脉冲的方法对相变存储单元进行reset操作,这不仅容易造成器件的损坏,而且使得相变过程中瞬态电流的准确计算非常困难。与常规测试方法不同,文章提出一种专门针对相变存储器的电流脉冲测试系统,该系统可以提供准确可控的电流脉冲来对相变存储器器件单元进行操作。

关键词：相变存储器 set reset 电流脉冲测试系统

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用化学气相沉积方法合成六角氮化硼、石墨烯和石墨烯/氮化硼异质结

用化学气相沉积方法合成六角氮化硼、石墨烯和石墨烯/氮化硼异质结

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2015中国国际石墨烯创新大会

作者：吴天如唐述杰卢光远王浩敏袁庆宏丁峰于庆凯谢晓明信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海中国物理系华东师范大学上海中国纺织与服装研究院香港理工大学香港中国英国拉姆工程学院 Man Tech系统工程公司德州州立大学旧金山德克萨斯美国信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海中国物理科学与技术学院上海科技大学上海中国

绝缘的六角氮化硼(h-BN)衬底能够保留石墨烯出众的性能。垂直或横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结可被用来制备出新奇的电学器件。目前对制备出尺寸可控的高质量六角氮化硼(h-BN)、石墨烯和石墨烯/六角氮化硼的需求非常强烈，但其合成...

绝缘的六角氮化硼(h-BN)衬底能够保留石墨烯出众的性能。垂直或横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结可被用来制备出新奇的电学器件。目前对制备出尺寸可控的高质量六角氮化硼(h-BN)、石墨烯和石墨烯/六角氮化硼的需求非常强烈，但其合成面临巨大的挑战。在本报告中，我将介绍利用化学气相沉积(CVD)方法直接在机械转移得到的六角氮化硼上生长石墨烯。利用新发现的气态表面催化剂硅烷能够有效的与乙炔反应，恰恰使单晶石墨烯能在六角氮化硼上均匀生长。生长速度达到1微米/分钟，较先前文献报道的生长速度提高2～3个数量级。典型的晶畴尺寸达到10～20微米，该尺寸已达到实用器件的范围。同时，我会介绍利用优化过的铜-镍合金作为催化剂合成出晶畴尺寸超过百微米的单晶六角氮化硼的实验结果。另外，也针对在六角氮化硼上利用CVD方法合成的垂直和横向取向的石墨烯/六角氮化硼异质结的实验结果进行讨论。最后有关在单晶核上生长英寸级石墨烯晶片以及制备大尺寸A-B型堆叠双层石墨烯的研究进展也将做简要介绍。

关键词：

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EMD算法在低温超导瞬变电磁噪声抑制中的应用

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低温物理学报 2014年第5期36卷 401-404页

作者：徐婷常凯王会武荣亮亮孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中科院上海微系统所

瞬变电磁信号具有较宽的频谱,为使得超导瞬变电磁信号的接收不产生失真,要求接收信号的超导传感器具有足够高的带宽(100kHz以上),而接收高带宽信号会导致信号的噪声峰峰值变大,传统的滤波(模拟、数字)方法易造成衰减曲线畸变.基于数据... 详细信息

瞬变电磁信号具有较宽的频谱,为使得超导瞬变电磁信号的接收不产生失真,要求接收信号的超导传感器具有足够高的带宽(100kHz以上),而接收高带宽信号会导致信号的噪声峰峰值变大,传统的滤波(模拟、数字)方法易造成衰减曲线畸变.基于数据驱动的经验模态分解(Empirical Mode Decomposition,EMD)算法能够根据信号本身特性对其进行信号分解和分量选择,具有自适应和不产生波形畸变的特点.本文采用EMD算法分别对数值模拟和野外实测的超导瞬变电磁信号进行EMD滤波处理和分析,结果表明,EMD可以显著压制瞬变电磁信号衰减曲线中的宽频带噪声且波形无畸变.经过EMD滤波的超导瞬变电磁与原始信号相比,信号衰减时间显著延长(从5ms延长至50ms),表明EMD算法能够极大提高瞬变电磁方法对地下深部信息的探测能力.

关键词： SQUID 瞬变电磁 EMD IMF

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多个Josephson结性能测试系统与实验验证

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低温物理学报 2014年第2期36卷 122-125页

作者：陈桦张国峰邱阳徐小峰王永良孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室中国科学院大学

在器件制备过程中,超导量子干涉器件(SQUID)和Josephson结的性能测试是非常重要是一个环节.设计一个合理高效的测试方法对于提高测试效率及可靠性非常必要.本文采用多路复用技术,设计了8通道测试电路,减小了电路面积及所需测试箱体积,... 详细信息

在器件制备过程中,超导量子干涉器件(SQUID)和Josephson结的性能测试是非常重要是一个环节.设计一个合理高效的测试方法对于提高测试效率及可靠性非常必要.本文采用多路复用技术,设计了8通道测试电路,减小了电路面积及所需测试箱体积,降低了液氦使用成本并极大提高了测试一致性.本文对测试箱、器件放置及测试杆连接等进行了设计,成功搭建了一套多个Josephson结测试的系统,并根据常温验证的测试结果对电路进行了优化处理.最后,对多个结进行低温测试验证了该测试系统的可行性与优越性.

关键词：超导量子干涉器件约瑟夫森结测试电路多通道

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超导纳米线单光子探测技术进展

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中国科学：信息科学 2014年第3期44卷 370-388页

作者：尤立星信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海超导中心上海200050

超导纳米线单光子探测技术自2001年出现以来,已经成为超导电子学领域的一个热点研究方向.作为一种新型的单光子探测技术,其具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、计数率高、响应频谱宽、电路简单等优势,综合性能在近红外波段已经明显... 详细信息

超导纳米线单光子探测技术自2001年出现以来,已经成为超导电子学领域的一个热点研究方向.作为一种新型的单光子探测技术,其具有探测效率高、暗计数低、时间抖动小、计数率高、响应频谱宽、电路简单等优势,综合性能在近红外波段已经明显超越传统的半导体探测技术,成为一种主流的单光子探测技术.本文从应用基础角度出发,对超导纳米线单光子探测器件的材料、器件工艺、性能、系统集成以及前沿应用等进行介绍,并对国际上该领域研究未来的发展趋势进行探讨.

关键词：单光子探测超导纳米线单光子探测量子通信探测效率暗计数时间抖动

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相变材料等离子体刻蚀的研究进展

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微纳电子技术 2014年第5期51卷 315-323页

作者：李俊焘刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100049 中芯国际集成电路制造公司上海201203

首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在... 详细信息

首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压、刻蚀气体及气体比例等,进而解释了工艺参数与刻蚀结果的依赖关系。同时采用多种分析手段,对相变材料在等离子体刻蚀工艺中产生的刻蚀损伤进行了分类和表征,并基于该分析结果提出了工艺优化方案。最后总结了相变材料等离子体刻蚀技术的反应机理,相变材料的刻蚀是自发反应与离子辅助化学反应相结合的过程,同时物理溅射与低挥发性产物的离子激发脱附也起着重要的辅助作用。

关键词：等离子体刻蚀相变材料相变存储器(PCM) Ge2Sb2Te5 刻蚀损伤刻蚀机理

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热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散

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功能材料与器件学报 2014年第6期20卷 205-208页

作者：文娇刘畅俞文杰张波薛忠营狄增峰闵嘉华上海大学材料科学与工程学院上海200444 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/Si Ge异质界面的硼(B)浓度梯度抑制... 详细信息

利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/Si Ge异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散。总之,Si/Si Ge互扩散作用越强诱发Si/Si Ge异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化。

关键词： Si/SiGe互扩散热载荷硼浓度梯度

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纳米点调控氧化物忆阻器电导特性研究进展

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微纳电子技术 2014年第11期51卷 692-701页

作者：康鹏黄安平贾林楠胡琪韩少奇何建学王玫肖志松北京航空航天大学物理系北京100191 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

从调控氧化物忆阻器电导特性的主要方法与机理出发,综述了纳米点在氧化物忆阻器电导行为调制及其参数稳定性改善等方面的研究进展。针对纳米点调控氧空位的扩散迁移、电场迁移及其共同作用,分析了纳米点对氧化物忆阻器的电形成过程、开... 详细信息

从调控氧化物忆阻器电导特性的主要方法与机理出发,综述了纳米点在氧化物忆阻器电导行为调制及其参数稳定性改善等方面的研究进展。针对纳米点调控氧空位的扩散迁移、电场迁移及其共同作用,分析了纳米点对氧化物忆阻器的电形成过程、开态过程和关态过程的作用机制,并讨论了其对参数均一性、耐久能力、疲劳特性、电阻比率及开关时间等参数的影响。结果表明,纳米点的引入可以显著改善忆阻器性能参数的稳定性和可控性,并进一步指出纳米点在优化其电导特性方面存在的不足和可能的解决措施,预测了性能优化的氧化物忆阻器在非易失存储、人工神经网络等领域的应用前景。

关键词：忆阻器电导特性纳米点氧空位导电通道

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