检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2013年第7期62卷 311-316页

作者：宁冰旭胡志远张正选毕大炜黄辉祥戴若凡张彦伟邹世昌中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)器件的总剂量辐照效应.在总剂量辐照下,相比于宽沟道器件,窄沟道器件的阈值电压漂移更为明显.论文利用电荷守恒定律很好地解释了辐照增强的窄沟道效应.另外,本文首次发现,对于工作在线性区的窄沟道器件,辐照产生的浅沟槽隔离氧化物(STI)陷阱正电荷会增加沟道区载流子之间的碰撞概率和沟道表面粗糙度散射,从而导致主沟道晶体管的载流子迁移率退化以及跨导降低.最后,对辐照增强的窄沟效应以及迁移率退化进行了三维器件仿真模拟,仿真结果与实验结果符合得很好.

关键词：总剂量效应(TID) 浅沟槽隔离(STI) 氧化层陷阱正电荷 SOI MOSFET

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超导纳米线单光子探测器的光耦合结构

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光学精密工程 2013年第6期21卷 1496-1502页

作者：刘登宽陈思井尤立星何宇昊张玲中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100039

为了提高超导纳米线单光子探测系统(SNSPD)的探测效率,搭建了超导纳米线单光子探测系统,研究了该系统的光耦合结构及该结构随温度降低而发生的变化。首先,测量了SNSPD在不同电流下的量子效率,确定了器件的性能。然后,提出了两种不同的... 详细信息

为了提高超导纳米线单光子探测系统(SNSPD)的探测效率,搭建了超导纳米线单光子探测系统,研究了该系统的光耦合结构及该结构随温度降低而发生的变化。首先,测量了SNSPD在不同电流下的量子效率,确定了器件的性能。然后,提出了两种不同的光纤直接对准的器件封装方法,这些方法可以在室温下自主控制光纤端面与器件表面的距离(gap)。考虑封装材料的热胀冷缩,gap在温度变化时有很明显的变化,研究了温度变化对gap的影响。最后,提出通过改变入射光的波长来观察器件表面反射光光强的周期性波动,从而精确测量不同温度下gap的大小。实验结果表明,对于两种不同的光耦合结构,gap在温度降低270K以后分别减小了4.1μm和17μm。理论计算和实验数据基本吻合,可为未来器件封装和新型封装结构的设计提供参考依据。

关键词：超导单光子探测量子效率光耦合降温形变

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背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器

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红外与毫米波学报 2013年第3期32卷 214-219页

作者：魏鹏黄松垒李雪邓洪海朱耀明张永刚龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在... 详细信息

在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成.对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10 fF左右.

关键词： InGaAs 暗电流 R0A 寄生电容

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组分过冲对InP基InAlAs递变缓冲层的影响(英文)

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红外与毫米波学报 2013年第6期32卷 481-485,490页

作者：方祥顾溢张永刚周立王凯李好斯白音刘克辉曹远迎中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面... 详细信息

通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过冲对材料特性的影响.原子力显微镜结果表明,在InAlAs缓冲层中采用组分过冲可以使量子阱及探测器样品表面粗糙度都得到降低.对于相对较薄的量子阱结构,X射线衍射倒易空间扫描图和光致发光谱的测量表明,使用组分过冲可以增加弛豫度、减小剩余应力并改善光学性质.而对于较厚的探测器结构,X射线衍射和光致发光谱测试发现使用组分过冲后的材料性质没有明显的变化.量子阱和探测器结构的这些不同特性需要在器件设计应用中加以考虑.

关键词： InAlAs 缓冲层 X射线衍射光致发光

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一种应用于心磁噪声抑制的选择性平均方法研究*

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物理学报 2013年第9期62卷 464-468页

作者：刘明张树林李华邱阳曾佳张国峰王永良孔祥燕* 谢晓明中国科学技术大学信息学院电子科学技术系合肥 230027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在心磁信号探测中,抑制环境噪声是提取心磁信号的关键.为了提高心磁信号的信噪比,信号平均得到了广泛地使用.然而,由于局部干扰噪声的存在,对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真.本文通过采取模版匹配的方式,提... 详细信息

在心磁信号探测中,抑制环境噪声是提取心磁信号的关键.为了提高心磁信号的信噪比,信号平均得到了广泛地使用.然而,由于局部干扰噪声的存在,对整段数据进行平均的传统方法不可避免地会带来心磁信号的失真.本文通过采取模版匹配的方式,提出了一种选择性平均方法.结果显示,本方法能有效剔除带有低频波动、脉冲毛刺等干扰的数据段,获取高质量的平均心磁信号.

关键词：心磁信号平均噪声抑制信噪比

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Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱中电子-LO声子的散射率

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物理学报 2013年第22期62卷 345-350页

作者：陈茜王海龙汪辉龚谦宋志棠山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海高等研究院上海201203 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况... 详细信息

在有效质量近似下利用打靶法求出Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱中的本征能级En,并通过费米黄金规则计算电子-LO声子由第一激发态到基态的散射率和平均散射率随温度、阱宽以及氮(N)和铟(In)组分变化的规律.计算结果表明:在In组分恒定的情况下,随着N组分的增加,散射率和平均散射率增加;在N组分恒定的情况下,随着In组分的增加,散射率和平均散射率减小;随着温度的增加,在温度较低时散射率和平均散射率随温度的增加变化不大,在温度较高时随温度的增加而增加;随着阱宽的增加,散射率和平均散射率都是先增加到一个最大值,然后再减小,最大值出现在阱宽200 A附近.计算结果对Ga1 xInxNyAs1 y/GaAs量子阱在光电子器件应用方面有一定的指导意义.

关键词：费米黄金规则 Ga1-xInxNyAs1-y GaAs量子阱 LO声子散射率

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基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长研究

基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长...

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第十四届全国固体薄膜学术会议

作者：戚永乐张瑞英张震朱健王岩岩孙玉润赵勇明董建荣王庶民中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部苏州215125 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部苏州215125 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海市长宁路865号200050 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海市长宁路865号200050

本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较... 详细信息

本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度至埃量级,微拉曼光谱测试显示了它的二维生长.该研究有助于后期在基于ART机理的GaAs图形衬底上生长InP体材料.

关键词：磷化铟材料成核层砷化镓衬底异质生长表面形貌纳球光刻技术

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外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响

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物理学报 2013年第23期62卷 308-312页

作者：王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海高等研究院上海201203

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.

关键词：激子 InGaAsP InP量子阱结合能电场

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Ge_2Sb_2Te_5的化学机械抛光研究进展

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化学学报 2013年第8期71卷 1111-1117页

作者：何敖东刘波宋志棠冯高明朱南飞任佳栋吴关平封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院大学北京100083 中芯国际集成电路制造公司上海201203

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工... 详细信息

相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景.

关键词： Ge2Sb2Te5 化学机械抛光相变存储器

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低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

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人工晶体学报 2013年第12期42卷 2589-2594页

作者：孙雷沈鸿烈李金泽吴天如丁古巧朱云谢晓明南京航空航天大学材料科学与技术学院南京211100 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的... 详细信息

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。

关键词：石墨烯 Cu-In合金化学气相沉积

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