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第十二届全国超导学术研讨会

作者：陈桦张国峰邱阳徐小峰王永良孔祥燕中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 20050

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Sr2IrO4薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究

Sr2IrO4薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：李明颖姚岐沈大伟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

在过渡金属氧化物家族中,5d过渡金属氧化物具有独特的物理特性.由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争和合作,这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为.本报告将主要介绍我们利用分...

在过渡金属氧化物家族中,5d过渡金属氧化物具有独特的物理特性.由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争和合作,这类材料体现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等丰富有趣的物理行为.本报告将主要介绍我们利用分子束外延技术生长Sr2IrO4(100)高质量5d电子氧化物单晶薄膜,并同时对其进行原位掺杂和替代,从而有效调制其中的物理特性;此外,利用原位角分辨光电子能谱技术,我们可以直接探测薄膜内部的精细电子结构,从而为从微观机理研究这些材料中的物理特性提供了实验基础.

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InP基InAlAs异变缓冲层上的2.7μm InAs量子阱激光器

InP基InAlAs异变缓冲层上的2.7μm InAs量子阱激光器

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：曹远迎张永刚顾溢陈星佑周立李好斯白音中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

波长3μm左右的半导体激光器在分子光谱学,气体检测和医学诊断方面有许多重要的应用.对于该波段的激光器,通常是GaSb基结构的激光器.然而,InP基无锑结构的激光器与GaSb基结构的激光器相比有其自身优势,如衬底更便宜,工艺更成熟,导热性更... 详细信息

波长3μm左右的半导体激光器在分子光谱学,气体检测和医学诊断方面有许多重要的应用.对于该波段的激光器,通常是GaSb基结构的激光器.然而,InP基无锑结构的激光器与GaSb基结构的激光器相比有其自身优势,如衬底更便宜,工艺更成熟,导热性更好.在之前的工作中,本文描述了在InP基InAlAs异变缓冲层复合衬底上生长InAs/In0.53Ga0.47As量子阱,该量子阱室温光致发光波长达3.05μm.本文阐述了在InP基InxAl1-xAs数字递变缓冲层上生长InAs/In0.6Ga0.4As量子阱激光器.77K时,该激光器实现激射波长2.7μm,对应的阈值电流密度为145 A/cm2.在400 mA的连续注入电流下,激射功率超过5 mW.

关键词：量子阱激光器磷化铟基材料制造工艺结构分析外延材料

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无屏蔽环境下多通道SQUID极低场MRI研究

无屏蔽环境下多通道SQUID极低场MRI研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：邱隆清刘超董慧常宝林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

在无屏蔽实验室环境中,我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量的信噪比,采用了一对软铁屏蔽的永磁体作为预极化场,磁体中心磁场达0.65 T;为了...

在无屏蔽实验室环境中,我们搭建了一套基于低温超导量子干涉器件(SQUID)的4通道二阶梯度计系统用于极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)研究.为了提高测量的信噪比,采用了一对软铁屏蔽的永磁体作为预极化场,磁体中心磁场达0.65 T;为了精确快速地在永磁体和SQUID探测器之间传输样品,我们采用了一套电动执行器,,在传送距离为1m的情况下,传输时间可在300ms以内.

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基于加权叠加算法的多通道极低场MRI图像重建

基于加权叠加算法的多通道极低场MRI图像重建

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：常宝林邱隆清董慧刘超谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究信息功能材料国家重点实验室超导课题组上海200050

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际研究热点之一.采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建.本文基于加权叠加图像重建(WISR...

基于超导量子干涉器件(SQUID)的极低场核磁共振及其成像(ULF-NMR/MRI)以高性能、低成本、可移动、易集成等优点成为国际研究热点之一.采用多通道成像是ULF-MRI的发展趋势,但需采用重建算法对图像进行重建.本文基于加权叠加图像重建(WISR)算法,编写了多通道MRI图像重建软件,建立了多通道模型进行仿真,重建全成像视野(FOV)图像.

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超导纳米线单光子探测抖动分析

超导纳米线单光子探测抖动分析

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：尤立星中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 中国科学院上海超导中心上海 200050

超导纳米线单光子探测(SNSPD)技术在过去10年间已经发展成为超导电子学的一个重要应用领域,其主要性能指标已经明显超越传统的半导体探测器件.本报告将介绍上海微系统所在SNSPD领域的研究进展.主要包括SNSPD器件研制,器件的性能表征以...

超导纳米线单光子探测(SNSPD)技术在过去10年间已经发展成为超导电子学的一个重要应用领域,其主要性能指标已经明显超越传统的半导体探测器件.本报告将介绍上海微系统所在SNSPD领域的研究进展.主要包括SNSPD器件研制,器件的性能表征以及系统集成应用(量子通信、测距及成像等).重点探讨SNSPD器件和系统的抖动起源,分析了信号信噪比对系统抖动的影响.

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张应变对Ge迁移率的改善

张应变对Ge迁移率的改善

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：王凯龚谦周海飞康传振严进一柳庆博王庶民中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 Department of Microtechnology Chalmers University of Techn

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影... 详细信息

随着集成电路技术步入纳米级,一系列由于沟道微尺寸而引发的效应将影响晶体管性能.迁移率退化是其中最为严重的效应之一.本论文工作讨论了在InAIP虚拟衬底上生长张应变Ge，通过改变In组分获得了不同张应变Ge，并对张应变对Ge迁移率的影响进行了研究。本文中所有样品均在V90气态源分子束外延设备上进行材料生长，其中As和P由AsH3和PH:经1000℃高温裂解获得，其束流大小由压力控制;In,Al,Ga都使用固态源，束流大小由温度进行精确控制。测试结果表明，随着InAIP中In组分的增大，Ge的张应变量随之增大，表明在InAIP虚拟衬底上生长Ge可以对其张应变量进行很好地控制;原子力显微镜测试结果表明即使Ge的张应变量达到2.0％，仍然能够保持二维生长和高质量的表面;霍尔测试结果表明Ge迁移率随着张应变量的增大而增大，显示出其在未来集成电路应用的良好前景。

关键词：集成电路半导体技术锗材料迁移率张应变量分子束外延

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超导磁测量数据采集系统的信号量化与电磁兼容特性研究

超导磁测量数据采集系统的信号量化与电磁兼容特性研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：伍俊荣亮亮常凯侍文王永良孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 Joint Research Laboratory on Superconductivity & Bioelectronics Collaboration between CAS-Shanghai & FZJ

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Cir...

由SQUID构建的超导磁传感器需要与高性能的数据采集模块相匹配,才能充分发挥磁测量系统中超导磁传感器的极高灵敏度优势,其中量化精度和电磁兼容是评估超导磁测量数据采集系统性能的关键指标.本文基于新型的低温SBC(SQUID Bootstrap Circuit)分别在超导屏蔽和磁屏蔽环境中对多种常见的数据采集模块的量化精度和电磁兼容进行了定性和定量分析.实验结果表明数据采集模块在无屏蔽环境下对SQUID的干扰以辐射为主,其中基于USB和PXI的数据采集设备在100Hz左右的低频段引入的干扰将SQUID本底噪声抬高2～3个数量级,而嵌入式数据采集设备Compact RIO对SQUID的干扰甚微.

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高质量大面积石墨烯的化学气相沉积制备方法研究

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物理学报 2012年第3期61卷 510-516页

作者：王文荣。周玉修李铁王跃林谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.... 详细信息

石墨烯因其奇特的能带结构和优异的物理性能而成为近年来研究的热点,但是目前单层石墨烯的质量与尺寸制约了其实际应用的发展.本文采用常压化学气相沉积(CVD)方法,基于铜箔衬底,利用甲烷作为碳源制备了高质量大面积的单层与多层石墨烯.研究发现:高温度、稀薄的甲烷浓度、较短的生长时间以及合适的气体流速是制备高质量、大面积石墨烯的关键.Raman光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等表征结果表明:制备的石墨烯主要为单层,仅铜箔晶界处有少量多层石墨烯.电学测试表明CVD制备的石墨烯在低温时呈现出较明显的类半导体特性;薄膜电阻随外界磁场的增大而减小.

关键词：石墨烯化学气相沉积 Raman光谱电学性能

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电压偏置下欠阻尼SQUID研究

电压偏置下欠阻尼SQUID研究

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第十二届全国超导学术研讨会

作者：刘超张懿张树林孔祥燕谢晓明中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 德国于利希研究中心 PGI-8 于利希 52425

在电压偏置的直读电路下,我们研究了不同结旁路电阻RJ的低温SQUID,发现大RJ可以提高SQUID的磁通-电压转换系数(e)V/(e)Φ,进而抑制前置放大器的噪声贡献.当RJ增大到一定值时,由于(e)V/(e)Φ已经足够高,可以用一个商业化的前置放大器(比...

在电压偏置的直读电路下,我们研究了不同结旁路电阻RJ的低温SQUID,发现大RJ可以提高SQUID的磁通-电压转换系数(e)V/(e)Φ,进而抑制前置放大器的噪声贡献.当RJ增大到一定值时,由于(e)V/(e)Φ已经足够高,可以用一个商业化的前置放大器(比如AD797)直接读出SQUID,而无须再借助任何附加的反馈电路比如APF、SBC等来抑制前置放大器的噪声.

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