检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学与计算机 2012年第7期29卷 4-7页

作者：张怡云陈后鹏王倩许伟义金荣宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/... 详细信息

提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/Set信号产生电路,使之在掉电时能够保存数据,并在上电时完成数据恢复.基于0.13μm SMIC标准CMOS工艺,采用Candence软件对触发器进行仿真,掉电速度达到0.15μs/V的情况下,上电时可以在30ns内恢复掉电时的数据状态.

关键词：相变存储器掉电数据保持触发器双置位

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基于相变存储器的音频存储播放系统设计

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 327-331页

作者：许林海陈小刚宋志棠陈一峰丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单... 详细信息

基于研制成功的国内第一款8M-bits相变存储器(8Mb PCM)试验芯片,设计了一套音频存储播放系统。该系统主要由8Mb PCM芯片,现场可编程门阵列(FPGA),音频输入输出电路以及音频转换电路模块(AD73311芯片)等部分构成。系统以FPGA为核心处理单元,录音时将音频输入信号进行模/数(A/D)转换并存储到8Mb PCM中,播放时将8Mb PCM中存储的信息读出并通过数/模(D/A)转换成音频信号输出。板上验证结果表明:该系统的音频存储播放效果良好,可对8Mb PCM进行多次正确的读写操作。由此证实了8Mb PCM性能的完整性以及可靠性,为相变存储器后续的商业化应用打下坚实的基础。

关键词：相变存储器音频存储播放系统 AD73311 FPGA Verilog硬件描述语言

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一种相变存储器读出电路及其快速读出方法

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微电子学 2012年第1期42卷 21-24页

作者：李喜宋志棠陈后鹏富聪丁晟中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位... 详细信息

针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法。基于SMIC 40nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电源电压下,该方法可以在90ns的读出周期内正确读出位线寄生电容为30pF的存储单元数据,同时,该读出周期随位线寄生电容的减小而减小。另外,该方法可以和传统的Burst等快速读出方式并存,非常适用于带数据预读机制的高端存储器技术。

关键词：相变存储器读出电路灵敏放大器

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高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

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微电子学 2012年第1期42卷 34-37页

作者：胡佳俊陈后鹏蔡道林宋志棠周桂华中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表... 详细信息

根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路。实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源。设计采用0.35μm CMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,输出电压的温度系数为7.70×10-7/℃,在1kHz时,电源抑制比为-82.3dB。

关键词：带隙基准源负反馈电源抑制比 BiCMOS

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相变存储器中灵敏放大器的设计

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微电子学 2012年第6期42卷 762-764,769页

作者：张怡云陈后鹏龚亮王倩蔡道林陈一峰宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测... 详细信息

设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。

关键词：相变存储器灵敏放大器预充电

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一种瞬态响应增强的片上LDO系统设计

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微电子学 2012年第3期42卷 376-379页

作者：胡佳俊陈后鹏王倩蔡道林宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室纳米技术研究室上海200050

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提... 详细信息

分析了传统LDO提高系统稳定性及瞬态响应的局限性,提出了一种片内集成补偿技术。该技术无需外挂电容和等效串联电阻(ESR),即可使系统在全负载范围内保持稳定,并具有良好的纹波抑制能力。仿真结果表明,系统空载时静态电流为46μA,且能提供200mA的最大负载电流,低频电源抑制比达到-65.6dB,启动时间只有16μs,在输出电容为10pF、负载电流以200mA/2μs突变时,最大下冲电压为120mV,上冲电压为160mV。

关键词： LDO 瞬态响应相位裕度

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氧化物分子束外延技术及其在关联材料电子态研究中的应用

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物理 2012年第4期41卷 211-216页

作者：封东来沈大伟徐海超彭瑞复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外... 详细信息

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外延的技术关键,并以La1-xSrxMnO3薄膜为例,介绍了钙钛矿结构的氧化物薄膜生长和刻画.特别是文章作者通过建立超高真空下的原位样品传送系统,可把薄膜样品直接传送到角分辨光电子能谱仪中,实现了薄膜的原位电子结构测量.所测得的La1-xSrxMnO3的电子结构与能带计算结果较为相符.而此类立方结构的、不可解理材料的电子结构,过去往往是无法直接测量的.

关键词：氧化物异质结构关联材料氧化物分子束外延角分辨光电子能谱

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SiGe薄膜的RPCVD负载影响及特性研究

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材料导报 2012年第14期26卷 22-24,32页

作者：陈达刘林杰薛忠营刘肃贾晓云兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱... 详细信息

利用RPCVD系统,在150mm(100)硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜,研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响,并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、原子力显微镜、二次离子质谱表征了薄膜特性。结果表明,通过克服RPCVD系统中外延层高缺陷密度、掺杂控制困难等缺点,制备出高质量的SiGe薄膜。

关键词：薄膜减压化学气相沉积硅锗负载影响

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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

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半导体技术 2012年第4期37卷 254-257页

作者：王中健夏超徐大伟程新红宋朝瑞俞跃辉中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺... 详细信息

针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。

关键词：绝缘体上硅横向扩散金属氧化物半导体击穿电压线性渐变掺杂注氧键合

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N型掺杂应变Ge发光性质

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物理学报 2012年第3期61卷 356-363页

作者：黄诗浩李成陈城钊郑元宇赖虹凯陈松岩厦门大学物理系半导体光子学研究中心厦门361005 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐... 详细信息

应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟.

关键词：应变 N型掺杂Ge 量子效率光增益

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