检索结果-内蒙古大学图书馆

功能材料与器件学报 2009年第3期15卷 233-237页

作者：魏林李耀耀李爱珍徐刚毅张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比... 详细信息

报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比镀膜和未镀膜器件的阈值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1。

关键词：分布反馈量子级联激光器高反射率腔面镀膜

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湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

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半导体技术 2009年第12期34卷 1205-1208页

作者：曹明霞于广辉王新中林朝通卢海峰巩航中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合... 详细信息

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件。通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大。结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错。

关键词： GaN 湿法化学腐蚀熔融NaOH 熔融KOH

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空间遥感用近红外InGaAs焦平面组件(英文)

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红外与激光工程 2009年第4期38卷 574-582页

作者：龚海梅唐恒敬李雪张可锋李永富李淘宁锦华汪洋缪国庆宋航张永刚方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μ... 详细信息

介绍了InGaAs PIN探测器的结构和主要性能指标,综述了InGaAs探测器的研究进展,特别是我国空间遥感用高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果。近年来,我国空间遥感用InGaAs得到了较快发展,研制出光谱响应为0.9～1.7μm的正照射和背照射256×1元InGaAs线列焦平面组件,室温下其峰值响应率分别为7.8×1011cm·Hz1/2/W和4.5×1011cm·Hz1/2/W,而且利用正照射256×1元InGaAs线列焦平面组件实现了扫描成像,图像清晰。此外,研制了光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件,其室温下峰值探测率为2.5×1010cm·Hz1/2/W。这些研究结果为下一步更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础,同时器件的性能需要进一步提高,以满足空间遥感应用的要求。

关键词： InGaAs 焦平面组件红外探测器空间应用

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双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究

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半导体光电 2009年第6期30卷 807-810,822页

作者：李成李好斯白音李耀耀王凯顾溢张永刚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生... 详细信息

模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。

关键词：探测器暗电流数字递变超晶格 InGaAs

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InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展

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红外与激光工程 2009年第1期38卷 14-18页

作者：龚海梅张可锋唐恒敬李雪张永刚缪国庆宋航方家熊中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室上海200083 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件国防科技创新实验室上海200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-... 详细信息

研制出光谱响应为0.9～1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。

关键词：短波近红外 InGaAs 焦平面组件读出电路

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分布反馈量子级联激光器的光栅制备

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功能材料与器件学报 2009年第5期15卷 471-476页

作者：李耀耀徐刚毅张永刚李爱珍魏林中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市200050 中国科学院研究生院

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性... 详细信息

利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制。在量子级联激光器的InGaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB。

关键词：分布反馈激光器全息曝光光栅制备

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1.3μm应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究

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半导体技术 2009年第6期34卷 543-545页

作者：唐道远李晓良中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100039

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到42... 详细信息

台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法。InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl2含量为30%时速率可达到420nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤。SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作。

关键词：应变补偿多量子阱超辐射发光管台面湿法腐蚀感应耦合等离子体

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共振声子太赫兹量子级联激光器研究

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中国电子科学研究院学报 2009年第3期4卷 244-248页

作者：黎华韩英军谭智勇张戎郭旭光曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹... 详细信息

针对四阱有源区、一阱注入区及三阱有源设计,采用蒙特卡洛模拟方法研究了共振声子太赫兹量子级联激光器的性能差异。采用傅里叶变换光谱仪及远红外探测器测量了四阱共振声子太赫兹量子级联激光器的低温电光特性。详细讨论了提高太赫兹量子级联激光器发射功率的方案。

关键词：太赫兹量子级联激光器蒙特卡洛方法功率

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太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信

太赫兹半导体量子级联激光器与太赫兹通信

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第十七届全国半导体物理学术会议

作者：曹俊诚李武群黎华谭智勇张戎韩英军郭旭光王长常俊钟旭信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，... 详细信息

太赫兹(THz)波也被称为T-射线。从物理学看，THz波介于毫米波与红外光之间，处于电子学向光子学的过渡区;从频域上看，THz波覆盖半导体以及等离子体的各特征能量、有机和生物大分子(如蛋白质和毒品)等的转动和振动能量等;从应用角度看，THz波的频带宽、测量信噪比高、适合于信息领域的高空间和时间分辨率成像与信号处理、大容量与高保密的数据传输、射电天文探测、大气与环境监测、实时与安全的生物与医学诊断等。本文将报告在THz量子级联激光器(QCL)和THz通信方面的研究进展。

关键词：半导体激光器太赫兹波时间分辨率信号处理

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SOI器件总剂量辐射效应研究进展

SOI器件总剂量辐射效应研究进展

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：俞文杰张正选田浩王茹毕大伟陈明张帅刘张李中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对... 详细信息

绝缘体上的硅(Silicon on Insulator,SOI)技术凭借其全介质隔离的特殊结构,成为制造抗辐射集成电路的首选技术。然而由于埋氧化层的存在,使得SOI器件的总剂量效应比体硅器件更为复杂。本文将阐述埋氧化层中总剂量效应的产生机理以及对器件功能的影响,并从制作工艺、器件结构、偏置状态、尺寸缩小和加固措施等方面来回顾国际上的研究进展。

关键词：栅氧化层全耗尽晶体管部分耗尽总剂量效应总剂量辐射效应 SOI

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