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32 篇 zhang yong-gang
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28 篇 张树林
28 篇 曹俊诚

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制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：夏吉林刘波宋志棠封松林中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没... 详细信息

本文研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明,不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别,而随着溅射气压的上升,薄膜方块电阻随退火温度的增加,下降的速率增加,也就是意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低.

关键词： Ge2Sb2Te5薄膜电学性能制备条件相变

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InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

InP基HEMT材料优化生长及其特性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹍周书星徐安怀李家恺齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率... 详细信息

InP基HEMT沟道电子迁移率高,工作频率高,噪声性能好.相对于GaAsHEMT,InPHEMT器件中InGaAs沟道和InGaAs/InAs组合沟道界面存在更大的导带不连续性,二维电子气密度大,导电沟道的薄层电子浓度高,提高了器件的电流处理能力.InP材料的热导率比GaAs高40％,在相同功耗工作时,温度更低,有较大的输出功率.由于InP基HEMT非常优越的高频、低噪声性能,近年来已成为HEMT器件的主流.InP基HEMT是毫米波和太赫兹器件与电路重要的三端器件.器件结构材料中界面明显清晰，平整度非常高。InP基HEMT结构材料的SIMS深度分布测试结果反映了III族元素In、Al和Ga、V族As和P元素以及掺杂剂Si元素的分布。

关键词：高电子迁移率晶体管磷化铟基材料生长工艺热导率

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立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O纳米晶体薄膜的物理特性

引用

第五届中国功能材料及其应用学术会议

作者：吴惠桢梁军劳燕锋陈乃波徐天宁邱东江中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的... 详细信息

介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.

关键词：立方相MgZnO薄膜微结构光学特性纳米晶体

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面向心磁检测的SQUID全张量模块研究

面向心磁检测的SQUID全张量模块研究

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第十四届全国超导学术研讨会

作者：张朝祥陶蓉张树林中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

心磁图仪是一种通过检测人体心脏磁场进行成像分析的方法，在冠心病、心肌缺血等心脏疾病早期诊断方面具有独特的应用潜力。针对心磁检测，目前国际上普遍采用单分量或矢量三分量方法，而忽略了更为丰富的一阶张量场信息。

关键词：

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缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

缓变基区复合集电结InP DHBT材料生长及其特性研究

引用

第十一届全国分子束外延学术会议

作者：艾立鹛徐安怀周书星齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性...

InP基异质结双极晶体管(HBT)在毫米波功率和单片集成电路等领域具有重要的应用前景.由于InGaAs/InP单异质结HBT(SHBT)结构中集电区的InGaAs材料禁带宽度较窄,载流子的碰撞电离几率高,导击穿电压较低,输出电导较高,影响了器件的功率特性.因此,采用较宽禁带的InP作为集电区的InP/InGaAs/InP双异质结HBT(DHBT)就受到了广泛的重视.本文设计采用了一个基区缓变的结构,基区InGaAs材料由发射极至集电极采用Ga的组份线性增加,这样在基区就形成了一个缓变能带结构而产生加速电场,利用电场作用使电子在基区加速渡过,有利于提高器件性能.

关键词：

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GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

GSMBE生长InGaAsBi的碳掺杂特性研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：周书星艾立鹍徐安怀王庶民齐鸣中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等....

稀铋材料是目前Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,也是近几年在国际上引起关注的研究热点之一.对稀铋材料的初步研究发现其有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是Ⅴ族元素中最大最重的元素,当被引入Ⅲ-Ⅴ族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,导致价带边上升,剪裁能带.同时研究发现,在不同的生长条件下,掺碳还可分别获得超高浓度的p型或n型InGaAsBi,可用于异质结双极晶体管(HBT)等器件的基区或欧姆接触层.

关键词：

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太赫兹量子级联激光器及其物理研究

太赫兹量子级联激光器及其物理研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：曹俊诚封松林黎华谭智勇韩英军郭旭光朱福英吕京涛王长伍滨和中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海市长宁路865号200050

太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carl... 详细信息

太赫兹(THz)量了级联激光器(QCL)为固态半导体器件,具有能量转换效率高、体积小、轻便和易集成等优点,已成为THz技术领域的研究热点之一。THz QCL近年来有了迅速的发展,有望在THz通信领域得到应用。本文报道了我们在THz QCL的Monte-carlo模拟、异质结构材料生长、器件工艺和器件测试等方面的研究结果。

关键词：太赫兹半导体激光器量子级朕激光器蒙特卡罗模拟固态半导半导体器件能量转换异质结构

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基于全张量心磁的心脏三维电流源重构

基于全张量心磁的心脏三维电流源重构

引用

第十四届全国超导学术研讨会

作者：陶蓉张朝祥张树林中国科学院超导电子学卓越创新中心信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050

心脏电流源重构是将细胞电活动的微电流集合视为少量的等效电流源，再通过源重构方法去提取等效电流源特征信息，对研究心脏电生理活动和心脏疾病预测有重要意义。基于传统单分量心磁的电流源重构，只能得到二维电流源，丢失了电流的垂...

心脏电流源重构是将细胞电活动的微电流集合视为少量的等效电流源，再通过源重构方法去提取等效电流源特征信息，对研究心脏电生理活动和心脏疾病预测有重要意义。基于传统单分量心磁的电流源重构，只能得到二维电流源，丢失了电流的垂直分量信息。

关键词：

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HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：余涛陈静罗杰馨柴展伍青青吴雪梅中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050 苏州大学物理系江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室江苏苏州 215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海 200050

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到4... 详细信息

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12nm、平带电压～30mV和低的漏电流密度.

关键词：金属-氧化物-半导体器件高k栅介质薄膜微结构电学性质

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硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

硅膜厚度对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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2010第十五届可靠性学术年会

作者：何玉娟潘金辉罗宏伟恩云飞肖庆中电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所)

本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD（Electrostatic Discharge,静电放电）特性的影响,结果发现硅膜厚度越大,ESD二次击穿电流I越大;其原因可能与硅膜层中的热分布有关。

关键词：静电保护 SOI Medici模拟硅膜厚度

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