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  • 703 篇 中文
检索条件"机构=信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所"
703 条 记 录,以下是81-90 订阅
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串联超导量子干涉器件阵列制备与测试分析
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物理学报 2021年 第17期70卷 299-304页
作者: 梁恬恬 张国峰 伍文涛 倪志 王永良 应利良 伍俊 荣亮亮 彭炜 高波 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100049
串联超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)阵列通过增加SQUID数量来达到提升信噪比的目的,即SQUID电压信号随SQUID数目比例增加而总电压噪声正比于SQUID数目的平方根值.本文介绍了利用自主工艺线进行串... 详细信息
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低噪声超导量子干涉器件磁强计设计与制备
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物理学报 2019年 第13期68卷 295-300页
作者: 韩昊轩 张国峰 张雪 梁恬恬 应利良 王永良 彭炜 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100049
超导量子干涉器件(superconducting quantum interference device,SQUID)作为一种极灵敏的磁通传感器,在生物磁探测、低场核磁共振、地球物理等领域得到广泛应用.本文介绍了一种基于SQUID的高灵敏度磁强计,由SQUID和一组磁通变压器组成.... 详细信息
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一种通过约瑟夫森结非线性频率响应确定微波耗散的方法
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物理学报 2019年 第11期68卷 263-268页
作者: 陈恒杰 薛航 李邵雄 王镇 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院超导电子学卓越创新中心 上海200050 中国科学院大学 北京100049
通过对电流偏置超导约瑟夫森结的微波驱动行为的研究,提出了一个确定约瑟夫森结微波耗散的方法.结的微波耗散由它的品质因子描述.微波耗散严重影响约瑟夫森器件如参量放大器、超导量子比特等的性能.对电流偏置的约瑟夫森结势阱采用四阶... 详细信息
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化学气相沉积法在Cu-Ni合金衬底上生长多层六方氮化硼
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科学通报 2017年 第20期62卷 2279-2286页
作者: 杨鹏 吴天如 王浩敏 卢光远 邓联文 黄生祥 中南大学物理与电子学院 长沙410083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
六方氮化硼(h-BN)由于其原子级平整的表面和宽带隙性质使其成为众多二维半导体材料理想的绝缘衬底.通常情况下通过化学气相沉积法在金属表面生长的h-BN表现出明显的自限生长效应,仅得到单原子层的h-BN.采用单原子层的h-BN作为其他二维... 详细信息
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图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究
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功能材料 2010年 第7期41卷 1208-1210页
作者: 张波 陈静 魏星 武爱民 薛忠营 罗杰馨 王曦 张苗 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜... 详细信息
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基于低温超导量子干涉器件的脑听觉激励磁场探测
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物理学报 2012年 第2期61卷 158-162页
作者: 张树林 刘扬波 曾佳 王永良 孔祥燕 谢晓明 信息功能材料国家重点实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院 北京100049
本文利用磁屏蔽和二阶轴向梯度计抑制环境磁场噪声,建立了单通道脑磁探测系统,并对不用声音频率下脑听觉激励磁场N100m响应进行了初步探测.结果显示,1000Hz音频和100ms持续声音激励下,N100m峰值的典型强度约为0.4 pT.在低的声音频率... 详细信息
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智能薄膜材料的“折纸术”
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科学通报 2019年 第20期64卷 2070-2071页
作者: 李星 汪洋 胥博瑞 田子傲 狄增峰 梅永丰 复旦大学材料科学系 上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050
智能材料是一种感知外界环境变化并经过自身判断后改变特性从而适应这种变化的新型功能材料,其自变形、自判断和自适应等特点可以实现对生物智能的人工模仿,因而在各领域都有着重要的应用.在实际应用中,智能薄膜材料的"智能"... 详细信息
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深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
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物理学报 2012年 第5期61卷 92-96页
作者: 胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的... 详细信息
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一种非球形纳米二氧化硅颗粒制备新方法
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材料导报 2018年 第10期32卷 1683-1687页
作者: 孔慧 刘卫丽 宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院大学微电子学院 北京100049
以低成本工业级硅酸钠为原料,采用离子交换法制备了非球形纳米二氧化硅颗粒。在制备过程中,采用控制无机碱催化剂1%(质量分数)氢氧化钠水溶液滴加到活性硅酸速度的方法来控制二氧化硅晶核成核的形貌,进而控制二氧化硅颗粒的形貌,避免了... 详细信息
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光纤腔耦合碳化硅薄膜的理论计算
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物理学报 2022年 第6期71卷 42-50页
作者: 周继阳 李强 许金时 李传锋 郭光灿 中国科学技术大学 中国科学院量子信息重点实验室合肥230026 中国科学技术大学 中国科学院量子信息与量子科技创新研究院合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室上海200050
半导体材料中的自旋色心是量子信息处理的理想载体,引起了人们的广泛兴趣.近几年,研究发现碳化硅材料中的双空位、硅空位等色心具有与金刚石中的氮-空位色心相似的性质,而且其荧光处于更有利于光纤传输的红外波段.然而受限于这类色心的... 详细信息
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