检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与激光工程 2022年第6期51卷 349-357页

作者：胡玮娜吕勇耿蕊李宇海牛春晖北京信息科技大学仪器科学与光电工程学院北京100192 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

针对在外场实现探测器损伤状态实时探测的需求,研发了光电探测器表面损伤状态偏振成像式探测系统。理论推导了“猫眼”目标回波偏振特性参数DP和回波偏振度DOP的表达式,利用MATLAB软件仿真绘制了表面粗糙度、回波偏振度以及偏振特性的... 详细信息

针对在外场实现探测器损伤状态实时探测的需求,研发了光电探测器表面损伤状态偏振成像式探测系统。理论推导了“猫眼”目标回波偏振特性参数DP和回波偏振度DOP的表达式,利用MATLAB软件仿真绘制了表面粗糙度、回波偏振度以及偏振特性的关系曲线;设计了一套同时偏振成像光学系统,开展了671 nm连续激光对电荷耦合器件(CCD)表面损伤状态的实时探测外场实验,编制了基于MATLAB GUI的回波图像可视化实时采集系统,得到了回波图像强度、偏振特性以及光斑尺寸等信息;通过光学显微镜和白光干涉仪对探测器表面损伤处和未损伤处形貌图像分析,发现探测器损伤表面可见硅基底且粗糙度参数Sq值较大;结果表明,仿真结果与实验测试结果具有良好一致性。光电探测器被损伤后,其表面粗糙度增大,回波偏振特性参数DP减小,退偏特性明显,偏振度DOP减小。偏振成像技术可有效对光电探测器表面损伤状态进行实时探测,该研究提供了一种外场条件下实时探测的好方法。

关键词：偏振成像损伤探测偏振特性电荷耦合器件粗糙度

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工艺参数对阻挡层CMP后互连线厚度一致性的影响

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电子元件与材料 2023年第11期42卷 1370-1376页

作者：王海英王辰伟刘玉岭赵红东河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 光电信息科学与工程控制和安全技术重点实验室天津300308

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)后互连线厚度(THK),优化其一致性,研究了抛光液流量、边缘压力及抛光时间等工艺参数对铜(Cu)、介质(TEOS)去除速率,以及对图形片CMP后THK一致性的影响。采用无氧化剂H2O2、无缓蚀剂BTA的弱... 详细信息

为了有效控制铜互连阻挡层化学机械平坦化(CMP)后互连线厚度(THK),优化其一致性,研究了抛光液流量、边缘压力及抛光时间等工艺参数对铜(Cu)、介质(TEOS)去除速率,以及对图形片CMP后THK一致性的影响。采用无氧化剂H2O2、无缓蚀剂BTA的弱碱性抛光液对阻挡层材料进行抛光实验,实验结果表明:采用抛光液流量为250 mL/min,抛光压力P1/P2/P3/P4/P5为33.37/13.72/13.24/12.55/11.58 kPa,抛光时间为40 s+20 s的拆分抛光工艺条件下CMP时,得到THK为224.9 nm,片内非均匀性(With-In Wafer Non-Uniformity,WIWNU)为0.92%,极差(Range)为7.82 nm,满足工业生产要求,基于实验结果,还发现此工艺条件下的铜表面形貌更优(表面粗糙度Sq=1.71 nm),对提高CMP后的平整度及可靠性具有重要意义。

关键词：铜互连阻挡层工艺参数互连线厚度去除速率

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铜互连阻挡层化学机械抛光时互连线厚度的控制

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电镀与涂饰 2023年第15期42卷 57-64页

作者：王海英王辰伟刘玉岭赵红东杨啸陈志博王雪洁河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 光电信息科学与工程控制和安全技术重点实验室天津300308

集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂FA/O II、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2−苯并异噻唑啉−3−酮(BIT)对铜互连... 详细信息

集成电路铜互连沟槽内互连线厚度(THK)影响着集成电路的性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。基于无氧化剂、无缓蚀剂的碱性抛光液,研究了铜螯合剂FA/O II、介质促进剂柠檬酸钾(CAK)和抑菌剂1,2−苯并异噻唑啉−3−酮(BIT)对铜互连阻挡层化学机械抛光(CMP)中Cu去除速率和TEOS(正硅酸乙酯)去除速率及THK的影响。结果表明,THK受TEOS与Cu去除速率选择比的影响,与铜电阻呈负相关的关系。当FA/OⅡ质量分数为0.8%、CAK质量分数为1%及BIT质量分数为0.04%时,TEOS与Cu的去除速率比约为1.7,THK和电阻分别为225 nm和0.18Ω,均满足工业生产要求。

关键词：铜互联阻挡层化学机械抛光互连线厚度去除速率电阻

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7×1中红外光纤合束器的设计、制备与性能

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光学学报 2023年第23期43卷 45-52页

作者：黄梓轩王虎祁思胜顾晓南李森森杨安平冯宪田康振杨志勇江苏师范大学物理与电子工程学院江苏省先进激光材料与器件重点实验室江苏徐州221116 中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室上海201800 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

中红外光纤合束器可将多个低功率的中红外激光器进行合束,从而实现较高的功率输出。本工作研制了一种7×1硫系玻璃光纤合束器(未熔接输出光纤),评估了其中红外传输特性。该光纤合束器由As_(40)S_(60)/As_(38)S_(62)光纤组束熔融拉... 详细信息

中红外光纤合束器可将多个低功率的中红外激光器进行合束,从而实现较高的功率输出。本工作研制了一种7×1硫系玻璃光纤合束器(未熔接输出光纤),评估了其中红外传输特性。该光纤合束器由As_(40)S_(60)/As_(38)S_(62)光纤组束熔融拉锥而成,初始光纤的纤芯直径和包层直径分别为200μm和250μm,数值孔径为0.38~0.35(@2~6μm),拉锥比例R为3和4,锥形过渡区长度为2 cm。测试结果表明:当R=3时,制备的光纤合束器在3μm和4.6μm波长的端口传输效率分别为>90%和>87%;当R=4时,制备的光纤合束器在3μm和4.6μm波长的端口传输效率分别为>88%和>85%;光纤合束器输出端的光纤单丝之间未发生明显串扰。

关键词：材料硫系玻璃光纤光纤合束器中红外端口传输效率

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高性能Zn扩散掺镁LN晶体脊形波导器件的研究

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人工晶体学报 2022年第11期51卷 1823-1829页

作者：陈中舆程静欣陈怀熹冯新凯张新彬梁万国中国科学院福建物质结构研究所福州350002 中国科学院大学北京100049 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室) 福州350108 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

将铌酸锂(LiNbO_(3),LN)晶体制作成波导型结构能够进一步提高器件的集成度,已经广泛应用于电光调制器、频率变换、声光调Q等光电器件中,在光纤通信、光电传感、激光雷达、航天航空等领域具有重要的应用前景。传统的Ti扩散法制作的LN波... 详细信息

将铌酸锂(LiNbO_(3),LN)晶体制作成波导型结构能够进一步提高器件的集成度,已经广泛应用于电光调制器、频率变换、声光调Q等光电器件中,在光纤通信、光电传感、激光雷达、航天航空等领域具有重要的应用前景。传统的Ti扩散法制作的LN波导在短波应用中抗光折变损伤能力差,退火质子交换法制作的LN波导只能支持TM模(横磁模)单偏振传输,应用领域受限。本文提出了一种新型Zn扩散法制作掺镁LN脊形波导的方法,通过建立波导的扩散模型和仿真,探索制备的工艺条件并进行测试,得到的LN波导最低传输损耗为0.86 dB/cm,光折变损伤阈值可达到184 kW/cm^(2),这将为高功率铌酸锂波导集成光电器件的研发提供一种较好的制备途径。

关键词：掺镁铌酸锂晶体光波导波导器件 Zn扩散高功率密度传输损耗

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高功率中红外激光传输硫化物玻璃光纤

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硅酸盐学报 2022年第4期50卷 950-956页

作者：祁思胜李森森胡红斌李跃兵黄梓轩任和冯宪杨志勇中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室上海201800 江苏师范大学物理与电子工程学院江苏徐州221116 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所河南洛阳471023

以高纯单质为原料,通过原料提纯和玻璃熔体蒸馏的方法制备了高光学质量的As-S硫化物玻璃,采用棒管法拉制了阶跃折射率多模光纤。表征了光纤的传输损耗和高功率中红外激光传输性能,分析了光纤的激光损伤机理。结果表明:制备的纤芯直径~20... 详细信息

以高纯单质为原料,通过原料提纯和玻璃熔体蒸馏的方法制备了高光学质量的As-S硫化物玻璃,采用棒管法拉制了阶跃折射率多模光纤。表征了光纤的传输损耗和高功率中红外激光传输性能,分析了光纤的激光损伤机理。结果表明:制备的纤芯直径~200μm、数值孔径~0.35的As-S玻璃光纤在2μm和4.6μm的传输损耗分别为~0.25 dB/m和~0.35 dB/m。在有效的制冷条件下,该光纤能够承受120W的2μm连续激光输入,输出功率可达63W。理论分析表明,该光纤在高激光功率下的损伤与纤芯玻璃中纳米异相包裹体的分布有关,在纳米异相包裹体浓度较高的区域易产生热积累,导致光纤产生热损伤。

关键词：硫系玻璃光纤中红外激光激光损伤

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基于漫反射光偏振特性的三维成像技术研究进展

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激光与光电子学进展 2021年第18期58卷 312-325页

作者：刘飞闫明宇李轩韩平丽刘严严邵晓鹏西安电子科技大学物理与光电工程学院陕西西安710071 西安市计算成像重点实验室陕西西安710071 中国科学院光束控制重点实验室四川成都610000 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

在光电探测领域,偏振特性能够有效反演物体表面材料特性、物体表面三维形貌信息,因此备受关注。而利用漫反射偏振特性求解三维形貌时,物体表面法线的天顶角信息与偏振度一一对应,使得其在复杂光照场景中应用广泛。结合物体表面反射光波... 详细信息

在光电探测领域,偏振特性能够有效反演物体表面材料特性、物体表面三维形貌信息,因此备受关注。而利用漫反射偏振特性求解三维形貌时,物体表面法线的天顶角信息与偏振度一一对应,使得其在复杂光照场景中应用广泛。结合物体表面反射光波的类型及其偏振特性模型,系统分析了漫反射偏振三维成像技术的原理,并对漫反射偏振三维成像技术现有的研究进展以及对该技术现有基础与未来发展方向进行了详细阐述。

关键词：成像系统偏振特性漫反射三维成像法线多值性校正

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中红外液晶光学移相器的相位调制和响应时间特性

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液晶与显示 2021年第10期36卷 1369-1376页

作者：王瑞吴双红汪相如贺晓娴胡明刚李曼汪晟李鸣凤电子科技大学光电科学与工程学院四川成都611731 西安近代化学研究所陕西西安710065 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

本文研究制备了应用于中红外波段的液晶光学移相器,选用在中红外波段具有高透过率的蓝宝石作为基底,超薄氧化铟锡(ITO)薄膜作为透明电极,低吸收的中红外液晶作为介质。通过对液晶移相器施加电压,液晶分子在电光效应的作用下形成周期性... 详细信息

本文研究制备了应用于中红外波段的液晶光学移相器,选用在中红外波段具有高透过率的蓝宝石作为基底,超薄氧化铟锡(ITO)薄膜作为透明电极,低吸收的中红外液晶作为介质。通过对液晶移相器施加电压,液晶分子在电光效应的作用下形成周期性的相位分布,从而实现对中红外激光的相位调制。本文研究制备的20μm盒厚的液晶光学移相器在3.9μm中红外激光照射下实现2.59π的相位调制深度。切换电压的有效值从2.65 V变化到3.37 V时,响应时间为19 ms,能够达到中红外液晶光学移相器在高盒厚条件下的快速响应,最终能够实现液晶移相器在中红外波段的功能需求。

关键词：中红外光学移相器蓝宝石基底透明电极中红外液晶材料响应时间

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2.75μm中红外GaSb基五元化合物势垒量子阱激光器

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中国激光 2020年第7期47卷 295-299页

作者：袁野柴小力杨成奥张一尚金铭谢圣文李森森张宇徐应强宿星亮牛智川中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 北京量子信息科学研究院北京100193 山西大学物理与电子工程学院固体量子材料中心实验室山西太原030006 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光... 详细信息

设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上设计并制备了腔长为1。5 mm、脊宽为50μm、中心波长为2。75μm的法布里-珀罗腔结构的激光器;所设计激光器可以实现室温连续激射,其最大输出功率为60 mW,阈值电流密度为533 A·cm^-2。

关键词：激光器锑化物五元势垒量子阱中红外波段

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红外半导体激光器应用

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激光杂志 2020年第8期41卷 1-10页

作者：王超臣刘瑞科王廷予李森森周冠军白振旭王雨雷吕志伟河北工业大学先进激光技术研究中心天津300401 苏州大学物理科学与技术学院江苏苏州215008 光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室天津300401

半导体激光器相较于固体、染料和气体等激光器,在结构、效率、寿命等多方面均具有很大的优势,尤其是红外波段的半导体激光器近年来在工业、医疗、军事等领域得到了广泛的应用,已成当前半导体激光器的研究热点。本文对短、中、长波红外... 详细信息

半导体激光器相较于固体、染料和气体等激光器,在结构、效率、寿命等多方面均具有很大的优势,尤其是红外波段的半导体激光器近年来在工业、医疗、军事等领域得到了广泛的应用,已成当前半导体激光器的研究热点。本文对短、中、长波红外半导体激光器的应用进行综述,并对当前存在的问题进行了讨论,期望为从事红外半导体激光器研究及应用的人员提供参考。

关键词：激光技术半导体激光器红外应用

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