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光谱学与光谱分析 2005年第10期25卷 1537-1541页

作者：王丽伟徐征滕枫张福俊孟立建徐叙瑢北京交通大学光电子技术研究所信息存储与显示重点实验室北京100044 波尔图理工大学工程学院

复合发光的本质是两种载流子的复合,但其衰减规律则视具体情况可以从一个极限(指数)变到另一个极限(抛物线),即复合发光是一个连续变化的过程。这主要取决于导带电子的行为,导带电子的行为可以用电子与离化发光中心复合与被陷阱俘获之... 详细信息

复合发光的本质是两种载流子的复合,但其衰减规律则视具体情况可以从一个极限(指数)变到另一个极限(抛物线),即复合发光是一个连续变化的过程。这主要取决于导带电子的行为,导带电子的行为可以用电子与离化发光中心复合与被陷阱俘获之比来表示。加热发光是在变化温度下的发光弛豫,它既与复合与俘获之比有关,还是陷阱深度的函数,因此在利用加热发光曲线测定陷阱深度时,要同时确定这两个参数。利用热释光动力学模型及其原理,对其发光过程进行了分析,解释了热释光过程既不是一个单分子过程也不是一个双分子过程,这两个过程实际是两个极端情形,都是近似。文章同时利用一些工具软件具体计算了ZnS:Cu,Co的陷阱深度及电子复合与俘获概率之比,精确的计算了这些参数,得-n0=2.6,ε=0.86eV。

关键词：发光衰减动力学单分子过程双分子过程热释光曲线陷阱深度

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铽配合物与PVK混合体系的发光研究

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光谱学与光谱分析 2004年第12期24卷 1511-1513页

作者：徐登辉邓振波张志峰张梦欣梁春军王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储与显示开放实验室北京100044 河北师范大学化学系河北石家庄050091

研究了铽配合物 [Tb(m MBA) 3 phen]2 ·2H2 O与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱 ,发现两者之间存在着能量转移 ,由于PVK的发射光谱和铽配合物的激发光谱重叠很小 ,两者之间发生F rester能量传递的几率很小 ,铽的发光主要是由... 详细信息

研究了铽配合物 [Tb(m MBA) 3 phen]2 ·2H2 O与PVK共掺杂体系的激发光谱和光致发光谱 ,发现两者之间存在着能量转移 ,由于PVK的发射光谱和铽配合物的激发光谱重叠很小 ,两者之间发生F rester能量传递的几率很小 ,铽的发光主要是由于铽配合物的配体俘获了电子空穴对使配体受到激发而导致的 ,在电致发光中 ,PVK的发光完全被抑制 ,与光致发光的表现不同 ,这是由于两种发光 (光致和电致 )机理不同造成的。

关键词：铽配合物激发光谱混合体系几率俘获光致发光谱能量转移 PVK 电致发光能量传递

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有机分子的固态类阴极射线发光

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发光学报 2003年第6期24卷 553-561页

作者：徐叙瑢徐征滕枫邓振波侯延冰北京交通大学光电子技术研究所:信息存储显示与材料开放研究实验室北京100044

固态类阴极射线发光是我们提出的一种全新的激发发光方式,利用无机半导体作为电子加速层,加速电子使之获得高能量,然后碰撞激发有机分子(小分子和聚合物)发光。介绍和总结了固态类阴极射线发光方法提出的物理背景,已经取得的实验结果... 详细信息

固态类阴极射线发光是我们提出的一种全新的激发发光方式,利用无机半导体作为电子加速层,加速电子使之获得高能量,然后碰撞激发有机分子(小分子和聚合物)发光。介绍和总结了固态类阴极射线发光方法提出的物理背景,已经取得的实验结果和目前尚存在的问题,并提出了解决这些问题的设想。

关键词：电致发光固态类阴极射线发光有机无机复合器件无机半导体电子加速平板显示技术激发发光

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具有新型空穴缓冲层材料TiO_2的有机薄膜发光器件

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光电子．激光 2004年第5期15卷 520-523页

作者：张志峰邓振波鲁成祝徐登辉张梦欣梁春军林鹏刘青宜北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 许昌教育学院许昌461000

以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为... 详细信息

以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为3.45cd/A,有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。

关键词：有机电致发光 TiO2 Sol—gel法二氧化钛空穴缓冲层材料

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稀土配合物与PVK共混体系发光特性及载流子复合区域转移的研究

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光谱学与光谱分析 2007年第2期27卷 228-231页

作者：程宝妹邓振波梁春军徐登辉王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学与材料科学学院河北石家庄050016

合成了一种新型的铽钆共掺稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。文中摸索了器件优化条件,并讨论了TbGd(BA)6(bipy)2与PVK共混体系的发光机理和载流子复合区域的转移。稀土配合物的光致发光是由于外部直... 详细信息

合成了一种新型的铽钆共掺稀土配合物TbGd(BA)6(bipy)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。文中摸索了器件优化条件,并讨论了TbGd(BA)6(bipy)2与PVK共混体系的发光机理和载流子复合区域的转移。稀土配合物的光致发光是由于外部直接激发及PVK到稀土配合物的能量传递。电致发光有两个途径,PVK到稀土配合物的能量传递及载流子的直接俘获。在双层器件中,发光区域随Alq3厚度变化,尤其是在高电压下,载流子复合区域移向Alq3一侧,而在增加BCP作为空穴阻挡层的多层器件中,载流子限制在发光层和空穴阻挡层的界面处复合,随着电场的增强,铽发光趋于饱和,而出现了高分子基质的发光。优化后,得到213cd.m-2明亮的铽的绿色发光。

关键词：铽配合物能量传递有机电致发光载流子复合区域

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Tb(p-MBA)3phen与PVK混合体系发光性质研究

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光电子．激光 2005年第3期16卷 319-322页

作者：徐颖邓振波徐登辉肖静王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学系河北石家庄050091

研究了铽配合物Tb(p MBA)3phen与聚乙烯咔唑 PVK共掺杂体系的电致发光(EL)和光致发光(PL)特性。结果发现,在EL中,PVK的发光完全被抑制,只能看到明显的Tb3+绿光发射;而在 PL中,除了Tb3+发光外,还可以看到明显的PVK发光。这是由于两种发... 详细信息

研究了铽配合物Tb(p MBA)3phen与聚乙烯咔唑 PVK共掺杂体系的电致发光(EL)和光致发光(PL)特性。结果发现,在EL中,PVK的发光完全被抑制,只能看到明显的Tb3+绿光发射;而在 PL中,除了Tb3+发光外,还可以看到明显的PVK发光。这是由于两种发光机理不同造成的。通过测量材料的发射光谱和激发光谱,初步探讨了器件的发光机理,认为 Tb3+ 的发光可能来源于 2 个方面:1) PVK到稀土配合物的F¨orester能量传递;2) PVK作为一种空穴传输材料,而稀土配合物作为电子陷阱,受激的空穴和电子直接被稀土配合物俘获,在稀土配合物上形成激子复合发光。所制作的单层器件的最大亮度达24.8 cd/m2。

关键词：电致发光能量传递电子陷阱激子 PVK混合体系发光性质铽配合物

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水热合成稀土氟化物材料YLiF_4∶Yb,Tm的上转换发光特性

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中国稀土学报 2004年第3期22卷 318-322页

作者：裴晓将侯延冰赵谡玲滕枫徐征北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

利用水热法合成了掺杂Tm3+ 和Yb3+ 的YLiF4 材料 ,并研究了Tm3+ 和Yb3+ 在材料中的光吸收 ,以及 980nm红外光激发下不同Tm3+ 浓度掺杂下的上转换发光特性。实验发现 ,在 980nm激光激发下 ,材料可发出可见光。上转换发光光谱中包括蓝光... 详细信息

利用水热法合成了掺杂Tm3+ 和Yb3+ 的YLiF4 材料 ,并研究了Tm3+ 和Yb3+ 在材料中的光吸收 ,以及 980nm红外光激发下不同Tm3+ 浓度掺杂下的上转换发光特性。实验发现 ,在 980nm激光激发下 ,材料可发出可见光。上转换发光光谱中包括蓝光和红光。与蓝光相比 ,红光强度要弱 1～ 2个数量级。上转换发光强度和浓度关系研究显示 ,当Tm3+ 浓度为 0 .3 % (摩尔分数 )时上转换发光达到最强 ,大于 0 3 % (摩尔分数 )后发光开始减弱。通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线 ,发现Tm3+ 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程。

关键词：发光学上转换发光水热法 Tm^3+ Yb^3+ YLiF4 稀土

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锰掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的影响

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中国稀土学报 2004年第2期22卷 284-287页

作者：张琳王永生孙力孟宪国北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

采用硫化助熔剂法制备了CaS∶Eu,Mn荧光粉。通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱,发现Mn离子的掺入使CaS∶Eu的发光性能明显增强,存在于基质材料中的陷阱分布因掺入Mn杂质而改变,形成了新的俘获中心,引起能量转移。增... 详细信息

采用硫化助熔剂法制备了CaS∶Eu,Mn荧光粉。通过测量样品的荧光光谱和紫外光辐照下的光激励发光谱,发现Mn离子的掺入使CaS∶Eu的发光性能明显增强,存在于基质材料中的陷阱分布因掺入Mn杂质而改变,形成了新的俘获中心,引起能量转移。增大了电子俘获过程中电子和空穴复合的几率,有利于提高材料的存储性能。比较了不同浓度下发射光谱的差异,探讨了掺杂浓度对发光特性的影响。通过比较光激励发光衰减曲线,进一步表明了Mn掺杂对CaS∶Eu光激励发光性能的改善。

关键词：发光学 CaS:Eu Mn 光激励发光电子俘获稀土

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CdSe纳米晶的制备条件对发光特性的影响

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发光学报 2005年第5期26卷 622-626页

作者：唐爱伟滕枫高银浩梁春军王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成。研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米晶的XRD谱以及吸收光谱和发射光谱的变化情况,并且还研究了不... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成。研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米晶的XRD谱以及吸收光谱和发射光谱的变化情况,并且还研究了不同反应物配比情况下的发射光谱的变化,结果表明改变CdSe纳米晶的制备条件,将会对CdSe纳米晶的发光特性有显著的影响。

关键词： CdSe纳米晶制备条件发光特性

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一种新型共掺杂稀土配合物的发光特性

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光谱学与光谱分析 2004年第10期24卷 1168-1171页

作者：白峰邓振波徐征高新李勇徐怡庄吴瑾光北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871

制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA)... 详细信息

制备了一类以苯甲酰水杨酸 (BenzoylSalicylicAcid ,BSA)为第一配体 ,邻菲罗啉 (phenanthroline ,phen)为第二配体的共掺杂稀土铕镧配合物La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen。用其作为发光层材料制作了电致发光器件 :ITO/PVK :La0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al。讨论并证明了稀土La3 + 与Eu3 + 之间存在F rster能量传递。同时将该器件与器件ITO/PVK :Eu(BSA) 3 phen/Alq/Al和ITO/PVK :Tb0 6Eu0 4(BSA) 3 phen/Alq/Al的发光进行了比较。表明该器件具有单色性好 ,整流性好的特性 ,同时得到了最大亮度为 10

关键词：共掺杂稀土配合物发光特性苯甲酰水杨酸邻菲罗啉能量传递电致发光器件

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