检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2006年第1期26卷 19-22页

作者：章婷徐征滕枫钱磊王永生徐叙瑢北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044 天津大学博士后流动站天津经济技术开发区博士后工作站天津中环三津有限公司分站

将两种荧光染料掺杂到有机聚合物中,制作了双掺杂的电致发光器件ITOPVK:TPB:RubreneLiFAl,得到了聚合物与两种荧光染料之间的阶梯式的能量传递。当PVK作为能量给体,Rubrene为能量受体时,能量传递不是很有效。但通过研究共掺杂体系的发... 详细信息

将两种荧光染料掺杂到有机聚合物中,制作了双掺杂的电致发光器件ITOPVK:TPB:RubreneLiFAl,得到了聚合物与两种荧光染料之间的阶梯式的能量传递。当PVK作为能量给体,Rubrene为能量受体时,能量传递不是很有效。但通过研究共掺杂体系的发光性质,发现辅助染料TPB的加入,作为能量传递的桥梁,提高了能量传递的效率,从而增加了器件的色纯度。

关键词：双掺杂能量传递电致发光

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稀土铽配合物TbY(m-MOBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光单层器件的研究

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中国稀土学报 2004年第6期22卷 875-878页

作者：肖静邓振波徐登辉徐颖王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学系河北石家庄050091

将新型稀土配合物TbY(m MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质。用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1∶5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9V,最大... 详细信息

将新型稀土配合物TbY(m MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质。用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1∶5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9V,最大亮度在17V时达到15.7cd·m-2。对比[Tb(m MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递。

关键词：电致发光铽配合物激子稀土

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Eu(BSA)_3phen与PVK共混体系的光致和电致发光特性的研究

引用

中国稀土学报 2004年第6期22卷 879-882页

作者：郭栋梁春军林鹏邓振波白峰李勇徐怡庄吴瑾光北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871

合成了一类新型的以苯甲酰水杨酸(benzoylsalicylicacid,BSA)为第一配体,邻菲罗啉(1,10 phenanthroline,phen)为第二配体的稀土配合物Eu(BSA)3phen,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO/PVK∶RE配合物/LiF/Al的电致发光器件。通过测量电致发光和光致发光光谱,发现PVK∶RE配合物混合体系存在着能量传递,并对Eu(BSA)3phen与PVK共混体系的光致发光和电致发光机制进行了分析。同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。

关键词：苯甲酰水杨酸铕能量传递电致发光稀土

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一种计算稀土材料陷阱深度的新方法

引用

中国稀土学报 2005年第5期23卷 586-589页

作者：王丽伟徐征滕枫张福俊姜薇薇孟立建北京交通大学光电子技术研究所信息存储与显示重点实验室北京100044 波尔图理工大学工程学院

表征陷阱材料的主要物理量是陷阱深度,准确计算出陷阱深度对于研究陷阱材料具有重要的意义。从能带模型出发,利用速率方程分析了整个热释光过程,提出了一种计算稀土材料陷阱深度的新方法,替代以往利用单分子或双分子近似计算陷阱深度的... 详细信息

表征陷阱材料的主要物理量是陷阱深度,准确计算出陷阱深度对于研究陷阱材料具有重要的意义。从能带模型出发,利用速率方程分析了整个热释光过程,提出了一种计算稀土材料陷阱深度的新方法,替代以往利用单分子或双分子近似计算陷阱深度的方法。以SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+及Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+材料为研究对象,计算了陷阱深度。研究表明,这种计算方法能更准确、真实地描述其物理过程。

关键词：发光动力学热释发光曲线陷阱深度稀土

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CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究

引用

光学学报 2002年第1期22卷 114-117页

作者：张希清梅增霞段宁徐征王永生徐叙瑢 Tang Z K 北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 香港科学技术大学物理系中国香港

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,... 详细信息

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe CdZnSe超晶格结构和激光复合特性 ,在该材料中观测到激子激子散射发射峰 ,变密度激发光致发光光谱和变温度光致发光光谱证实了这一现象。激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽 ,低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的 ,高温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的 ,光致发光的强度随着温度的升高而降低 ,这主要是由激子的热离化造成的 ,也就是说。

关键词：光学性质激子超晶格 CdSe/CdZnSe 硒比镉锌镉硒半导体

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铕镧共掺稀土配合物Eu_(0.5)La_(0.5)(TTA)_3phen与PVK共混体系发光特性的研究

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中国稀土学报 2006年第4期24卷 399-402页

作者：程宝妹邓振波梁春军张元元郝金刚徐登辉肖静王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学与材料科学学院河北石家庄050016

合成了一种新型的稀土铕配合物Eu0.5La0.5(TTA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铕配合物与高分子导电聚合物共混制得混合溶液,然后用旋涂的方法制得了发光层。实验中制备了单层、双层器件,讨论了器件的优化条件,并用能... 详细信息

合成了一种新型的稀土铕配合物Eu0.5La0.5(TTA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铕配合物与高分子导电聚合物共混制得混合溶液,然后用旋涂的方法制得了发光层。实验中制备了单层、双层器件,讨论了器件的优化条件,并用能级图探讨了Eu0.5La0.5(TTA)3phen与PVK共混体系光致、电致发光的能量传递机制。优化后的双层器件,开启电压为6.5 V,在电压12.5 V,电流密度为***-2时器件达到最大亮度238.4 cd.m-2,发光效率0.35 cd.A-1。

关键词：铕配合物电致发光能量传递稀土

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铽配合物[Tb(m-MBA)_3phen]_2·2H_2O的有机电致发光

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中国稀土学报 2003年第5期21卷 508-511页

作者：徐登辉邓振波张志峰张梦欣白峰王瑞芬北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学系石家庄050091

将稀土铽配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O作为发光材料应用于有机电致发光。把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层,并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件。器件1:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O PBD Li... 详细信息

将稀土铽配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O作为发光材料应用于有机电致发光。把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层,并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件。器件1:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O PBD LiF Al;器件2:ITO PVK:[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O AlQ LiF Al,研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件,其最大亮度在20V时达到140cd·m-2。

关键词：光学电致发光激子稀土配合物

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一类新型稀土配合物的合成与发光特性研究

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中国稀土学报 2001年第6期19卷 536-539页

作者：高新邓振波陶栋梁白峰段宁徐怡庄吴谨光北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871

合成了一类新型稀土配合物Eu(asprin) 3phen和Tb(asprin) 3phen ,并将其掺杂到导电聚合物PVK中 ,制成结构了为ITO/PVK∶RE配合物 /LiF/Al的电致发光器件。很明显 ,在相同掺杂比例下 ,前者的电致发光中PVK发射所占比例较大 ,而后者的电... 详细信息

合成了一类新型稀土配合物Eu(asprin) 3phen和Tb(asprin) 3phen ,并将其掺杂到导电聚合物PVK中 ,制成结构了为ITO/PVK∶RE配合物 /LiF/Al的电致发光器件。很明显 ,在相同掺杂比例下 ,前者的电致发光中PVK发射所占比例较大 ,而后者的电致发光中PVK的发射几乎全部被覆盖掉了 ,进一步研究发现它们的光致发光中也有同样现象存在 ,这表明具有同等配体的此类铕、铽配合物的特性存在很大差别 ,并对这一差别作了初步讨论。

关键词：稀土配合物电致发光电致发光器件合成发光特性发光材料铕铽

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共掺杂稀土配合物Tb_(0.5)Eu_(0.5)(asprin)_3phen电致发光的研究

引用

中国稀土学报 2002年第6期20卷 660-662页

作者：沈鸿徐征章婷陶栋梁杨军徐怡庄北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构为ITO PVK∶RE配合物 PBD Al的电致发光器件。与PVK∶Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比,我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光,增... 详细信息

合成了共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen,将其掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构为ITO PVK∶RE配合物 PBD Al的电致发光器件。与PVK∶Eu(asprin)3phen体系为发光层的相同结构的器件相比,我们发现铽离子的引入能猝灭PVK的发光,增强铕的发光,而Tb3+本身的发光很弱,几乎看不到,说明Tb3+在其中起到能量的中间传递作用,促进了PVK到Eu3+的能量传递。本文就器件的发光特性及掺杂体系的能量传递进行了初步讨论。

关键词：掺杂稀土配合物 Tb0.5Eu0.5(asprin)3phen 电致发光电致发光器件能量传递

来源：评论

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真空紫外激发下(Y,Gd)Al_3(BO_3)_4:Re(Re=Ce,Tb)的发光特性

引用

光电子技术 2004年第1期24卷 8-11页

作者：刘端阳何大伟康凯刘春棠李少霞北京交通大学光电子技术研究所信息存储和显示材料实验室北京100044

采用高温固相反应合成了 ( Y,Gd) Al3 ( BO3 ) 4 中掺杂 Ce3 + 、Tb3 + 的样品 ,并研究了其结构特性和真空紫外激发下的发光特性。在 1 47nm真空紫外激发下 ( Y,Gd) Al3 ( BO3 ) 4 :Ce,Tb的发光过程中存在着 Gd3 +→Ce3 + ,Tb3 +→Ce3 ... 详细信息

采用高温固相反应合成了 ( Y,Gd) Al3 ( BO3 ) 4 中掺杂 Ce3 + 、Tb3 + 的样品 ,并研究了其结构特性和真空紫外激发下的发光特性。在 1 47nm真空紫外激发下 ( Y,Gd) Al3 ( BO3 ) 4 :Ce,Tb的发光过程中存在着 Gd3 +→Ce3 + ,Tb3 +→Ce3 +的能量传递。

关键词：真空紫外激发 (Y,Gd)Al3(BO3)4 色坐标能量传递发光特性

来源：评论

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