检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2005年第5期25卷 651-654页

作者：滕枫唐爱伟高银浩梁春军徐征王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它们的发光特性。

关键词： Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点水溶胶

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PVK/BCP体系电致激基复合物的研究

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光谱学与光谱分析 2005年第5期25卷 669-671页

作者：滕枫王元敏徐征王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由... 详细信息

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由于复合区域扩展,BCP分子可以与PVK充分接触,因此电致激基复合物的发光更强。不论是在双层器件还是在混合型器件中,随驱动电压的增加,电致激基复合物的发光都会增强,而混合型器件更加明显,当电压比较高时,器件只有电致激基复合物的发光了,而没有本征发光。

关键词：电致激基复合物有机电致发光混合型器件

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紫外线激发后KCl:Cu^+的光激励发光

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光谱学与光谱分析 2005年第10期25卷 1733-1735页

作者：孙力王永生赵谡玲徐征薛炜炜北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

用固相反应法制备了KCl:Cu+多晶样品。经紫外光辐照后,用560 nm的光照射能产生近紫外蓝光的光激励发光。研究表明,Cu+作为发光中心,经紫外光辐照后并没有产生Cu+到Cu2+的变价,即Cu+不是空穴俘获中心,而阴离子空位充当电子陷阱。当激发... 详细信息

用固相反应法制备了KCl:Cu+多晶样品。经紫外光辐照后,用560 nm的光照射能产生近紫外蓝光的光激励发光。研究表明,Cu+作为发光中心,经紫外光辐照后并没有产生Cu+到Cu2+的变价,即Cu+不是空穴俘获中心,而阴离子空位充当电子陷阱。当激发后的样品受到光激励时,电子与空穴中心或VK心复合后将能量传递给Cu+离子,产生d-s跃迁的特征发射。

关键词：光激励发光 KCl Cu^+ 电子俘获

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Ba_2SiO_4荧光粉中Ce^(3+)和Eu^(2+)的光谱性质和能量传递

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光谱学与光谱分析 2006年第10期26卷 1790-1793页

作者：刘红利何大伟沈芳北京交通大学光电子技术研究所信息存储和显示材料实验室北京100044

采用高温固相法合成了绿色荧光粉Ba2SiO4∶Ce3+,Eu2+。测量了它们的吸收光谱、激发光谱和发射光谱,观察到了Ba2SiO4中Ce3+对Eu2+发光的敏化现象,发光的敏化作用缘于Ce3+和Eu2+之间的高效无辐射能量传递。

关键词： Ce^3+和Eu^2+ 正硅酸盐敏化能量传递

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MO-Y_2O_3-B_2O_3:Re(M=Mg,Sr;Re=Eu,Tb)的真空紫外光谱特性

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光谱学与光谱分析 2006年第7期26卷 1290-1293页

作者：梁忠益何大伟史艳宁北京交通大学光电子技术研究所信息存储和显示材料实验室北京100044

采用高温固相反应法合成了掺杂Eu^3＋及Tb^3＋的17MO-7．88Y2O3-7582O3样品，研究了它们的光谱特性，结果表明，MO-Y2O3一B2O3基质在真空紫外（ⅥⅣ）区有很强的吸收，MgO-Y2O3-B2O3：Eu在147nm真空紫外光激发下产生对应于Eu^3＋的^5D0... 详细信息

采用高温固相反应法合成了掺杂Eu^3＋及Tb^3＋的17MO-7．88Y2O3-7582O3样品，研究了它们的光谱特性，结果表明，MO-Y2O3一B2O3基质在真空紫外（ⅥⅣ）区有很强的吸收，MgO-Y2O3-B2O3：Eu在147nm真空紫外光激发下产生对应于Eu^3＋的^5D0→^7FJ（J=1，2，3，4）跃迁的59O和613nm强发射峰；MgO-Y2O3-B2O3：EuK中Sr的引入使材料体系在147nm附近的吸收和在613nm附近的发射获得明显增强；MgO-Y2O3-B2O3：Tb的真空紫外激发谱除在147nm附近的基质吸收外，还有对应于Tb^3＋的4f^5d→4f^8跃迁位于170，178，195，204，225nm左右的一组谱峰，两者相互叠加使得材料在真空紫外区（120-220nm）内都有很好的吸收。

关键词： 17MO-7.88Y2O3—7582O3 等离子体平板显示真空紫外光谱

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水溶胶CdSe纳米复合器件电致发光特性的研究

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功能材料 2006年第7期37卷 1105-1107页

作者：唐爱伟滕枫高银浩梁春军王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小。用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小。用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作为电子传输层,在发光层与Alq3之间加入了空穴阻挡层BCP制备了多层电致发光器件,研究了不同CdSe/PVK配比下水溶胶CdSe纳米复合器件的电致发光特性,结果发现随着水溶胶CdSe纳米晶在纳米复合物中所占比例的降低,电致发光器件的发光强度有所提高,起亮电压有所降低。

关键词：纳米复合器件水溶胶 CdSe/PVK 电致发光

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掺杂有机电致发光中电压调制变色两种机制的探讨

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光谱学与光谱分析 2002年第6期22卷 891-894页

作者：章婷徐征陈晓红沈鸿刘舒曼北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑 (PVK) :Rubrene和Alq3:MN PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究 ,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子... 详细信息

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑 (PVK) :Rubrene和Alq3:MN PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究 ,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子在光致发光和电致发光中的复合速率不同造成的 ;同时发现对于不同浓度的PVK :Rubrene及Alq3:MN PPV电致发光随电压增加都发生变色现象 ,但是它们分别是由两种不同的机制造成的 :前者作为染料分子Rubrene ,不能形成类似Alq3那样的分相体系 ,Rubrene发光主要来自PVK的能量传递及陷阱电子对PVK空穴的吸引 ;后者是由于分相造成载流子在两相中的迁移不平衡。

关键词：掺杂有机电致发光电压调制变色有机电致发光器件能量传递聚乙烯基咔唑聚合物发光机理 Alq3:MN-PPV

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(Eu^(2+),Nd^(3+))∶CaAl_2O_4的长余辉发光及机理的研究

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光学学报 2003年第3期23卷 356-360页

作者：孟宪国王永生孙力何志毅邓朝勇李海玲北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

采用高温固相反应法制备了Eu2 + ∶CaAl2 O4、(Eu2 + ,Nd3 + )∶CaAl2 O4,等系列材料。测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线。分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用。并对其发光机理进行了深入地探讨。

关键词：发光学长余辉发光稀土离子电子俘获 Eu^2+

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(Ca,Sr)S:Eu,Sm的光激励发光和电子俘获机理的研究

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光电子．激光 2003年第7期14卷 729-732页

作者：何志毅王永生孙力徐征徐叙北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0～1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3... 详细信息

研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0～1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3+对陷阱的红外激励吸收的影响。据此提出一个复合陷阱模型,指出电子俘获中心并非Sm3+附近形成的晶格缺陷。

关键词：光激励发光电子俘获碱土金属硫化物 Sm Eu

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反应压强变化对Fe:NiO_x阳极催化薄膜性质的影响

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物理化学学报 2006年第3期22卷 330-334页

作者：李海玲王文静亢国虎黄金昭徐征北京太阳能研究所北京100083 北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

采用磁控溅射法在镍衬底上制备了不同性质的Fe:NiOx薄膜,通过改变反应压强,发现薄膜的催化活性随着压强的增大而提高.进一步利用EDX、XRD、XPS、SEM等分析发现,薄膜的有效表面积、结晶度以及样品中Ni3+的含量都对样品的催化活性有影响.... 详细信息

采用磁控溅射法在镍衬底上制备了不同性质的Fe:NiOx薄膜,通过改变反应压强,发现薄膜的催化活性随着压强的增大而提高.进一步利用EDX、XRD、XPS、SEM等分析发现,薄膜的有效表面积、结晶度以及样品中Ni3+的含量都对样品的催化活性有影响.另外对薄膜的透过特性也进行了研究,发现当膜厚超过1000nm后,对波长小于500nm的可见光几乎全部吸收,表现出了很差的透光特性.

关键词：析氧反应催化薄膜制氢过电势磁控溅射

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