检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2010年第2期30卷 304-307页

作者：朱海娜徐征张福俊赵谡玲王智斌宋丹丹张妍斐北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044

实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件,分别用N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-napthyl)1,1'-biphenyll-4,4'-diamine(NPB)和4,4,N,N'-dicarbazolebiplaenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒.讨论了3个器件在反向偏压... 详细信息

实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件,分别用N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-napthyl)1,1'-biphenyll-4,4'-diamine(NPB)和4,4,N,N'-dicarbazolebiplaenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒.讨论了3个器件在反向偏压调制下的光致发光的猝灭.研究结果显示在作者所制备的器件中NPB层中激子的猝灭速度要比CBP层中的激子猝灭速度快.这主要是因为NPB层中的有效电场要比CBP层中的有效电场强.当所制备的有机阱结构器件的周期数增加时,在相同的反向电场下,NPB和CBP层中的激子猝灭速度会随之增加,因为实验中制备的这3个器件为Ⅱ型量子阱结构,激子在这种阱结构器件中会随着阱周期数的增加而变得越来越不稳定,因此周期数较大的器件猝灭现象比较明显.

关键词：异质结有机阱结构光致发光猝灭

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溶胶-凝胶法制备Zn2SiO4:Eu3+红色荧光粉

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光谱学与光谱分析 2011年第4期31卷 890-893页

作者：邬洋王永生何大伟富鸣陈震旻李玥苗锋北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4:Eu3+.通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4:Eu3+的内部结构和发光特性.扣描电镜结果显示样品为球状荧光粉,颗粒... 详细信息

采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4:Eu3+.通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4:Eu3+的内部结构和发光特性.扣描电镜结果显示样品为球状荧光粉,颗粒直径为1～3μm.在395 nm激发下,样品在613 nm处发射出很强的红光.结合荧光光谱,分析了样品的退火温度,Eu3+的浓度,电荷补偿剂Li+的浓度对样品发光强度的影响.研究发现,红色荧光粉Zn2SiO4:Eu3+的发光强度随退火温度的升高而增加,发光强度随Eu3+和Li+浓度的增加先增大后减小.

关键词：溶胶-凝胶法 Zn2SiO4:Eu3+ Eu3+浓度 Li+浓度

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混合界面对溶液制备的磷光OLED器件性能的影响

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光谱学与光谱分析 2011年第6期31卷 1454-1457页

作者：宋丹丹赵谡玲徐征张福俊卢丽芳张妍斐孔超闫光北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面.在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比... 详细信息

利用混蒸的方法、将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合,在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面.在相同驱动电压下,采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高,在电压为10 V时,常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA·cm-2和1.03μW,而采用混合界面的器件可以分别达到18.1mA·cm-2和3.64μW.通过分析认为,引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入,也增大了,到达发光层的电子数目,从而增大了发光几率,引起了电流密度和发光功率的共同增长.

关键词：混合界面磷光电子注入电子传输

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空穴注入层对蓝色有机电致发光器件性能的影响

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光谱学与光谱分析 2011年第4期31卷 886-889页

作者：高利岩赵谡玲徐征张福俊孙钦军张天慧孔超北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

以DPVBi为发光层,NPB为空穴传输层,在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT:PSS,制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs):ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT:PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al,研究了不同空穴注入材料对蓝色OLEDs发光性能的影响,并与没有空穴注入层的器件进行了比较.其中CuPc分别采用旋涂和真空蒸镀两种丁艺,比较了不同成膜工艺对器件发光特性的影响.结果表明:加入空穴注入层的器件比没有空穴注入层器件性能要好,其中插入水溶性CuPc的器件,其发光亮度和效率虽然比蒸镀CuPc器件要低,但比插入PEDOT:PSS 器件发光性能要好.又由于水溶性CuPc采用旋涂工艺成膜,与传统CuPc相比,制备工艺简单,所以为一种不错的空穴注入材料.

关键词：空穴注入层 CuPc PEDOT:PSS 蓝色有机电致发光

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通过插入Au薄膜改善绿光OLED器件的发光色纯度

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光谱学与光谱分析 2014年第4期34卷 903-905页

作者：张妍斐赵谡玲徐征北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，北京 100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，北京 100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室，北京交通大学光电子技术研究所，北京 100044

在一些有机电致发光器件中，A u常被用作阳极，研究者希望A u在导电的同时兼具半透明可出光的属性，这要求Au在能导电的同时厚度要尽量薄。因此制备两种金属共同组成电极成为了选择。将半透明Au/Al层插入阳极一侧，制备了结构为 ITO/Al... 详细信息

在一些有机电致发光器件中，A u常被用作阳极，研究者希望A u在导电的同时兼具半透明可出光的属性，这要求Au在能导电的同时厚度要尽量薄。因此制备两种金属共同组成电极成为了选择。将半透明Au/Al层插入阳极一侧，制备了结构为 ITO/Al（16 nm）/Au（10 nm）/TPD（30 nm）/AlQ（30 nm）/LiF（0.5 nm）/Al的OLED器件，相对于器件ITO/TPD（30 nm）/AlQ（30 nm）/LiF（0.5 nm）/Al在长波方向出现了光谱窄化现象，通过分析和实验判断该现象是Au薄膜特有的对光的选择透过性造成，而并非微腔效应。阳极一侧加入了Au/Al的器件保持了广视角无角度依赖的优点，同时可以输出滤掉部分红光的纯度更高的发光，发光色纯度得到了改善。

关键词： OLED Au 微腔效应光透过率色纯度

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有机多层量子阱的能量转移

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物理学报 2007年第6期56卷 3499-3503页

作者：宋淑芳赵德威徐征徐叙瑢北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

采用多源有机分子气相沉积系统制备了不同类型的有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安法和吸收光谱、荧光光谱研究了量子阱的类型、光致发光的特性.电化学循环伏安法和吸收光谱的测量结果表明,PBD/8-羟基喹啉铝(Alq3)有机量子阱为Ⅰ型... 详细信息

采用多源有机分子气相沉积系统制备了不同类型的有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安法和吸收光谱、荧光光谱研究了量子阱的类型、光致发光的特性.电化学循环伏安法和吸收光谱的测量结果表明,PBD/8-羟基喹啉铝(Alq3)有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构,NPB/Alq3和BCP/Alq3有机量子阱为Ⅱ型量子阱结构.荧光光谱的研究结果表明,PBD/Alq3和BCP/Alq3量子阱结构可以实现PBD,BCP向Alq3能量完全转移,而NPB/Alq3量子阱结构,NPB和Alq3之间只是部分能量转移.文中对影响能量转移的因素进行了讨论.

关键词：有机量子阱能量转移

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有机电致发光器件的动态电学特性

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物理学报 2007年第3期56卷 1632-1636页

作者：张秀龙杨盛谊娄志东侯延冰北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用交流阻抗谱技术,研究了有机发光二极管ITO/Alq3(90nm)/Al的载流子传导机理.根据器件对不同频率的响应曲线及其等效电路模型,该器件可看作是由并联的电阻Rp和电容Cp再与电阻Rs串联而成,并根据实验数据求出了Rp,Cp和Rs的数值.实验结... 详细信息

利用交流阻抗谱技术,研究了有机发光二极管ITO/Alq3(90nm)/Al的载流子传导机理.根据器件对不同频率的响应曲线及其等效电路模型,该器件可看作是由并联的电阻Rp和电容Cp再与电阻Rs串联而成,并根据实验数据求出了Rp,Cp和Rs的数值.实验结果表明器件的载流子传输机理属于指数分布式的陷阱电荷限制电流,其介电弛豫时间随偏压的增加而逐渐减小.

关键词： Alq3 陷阱电荷限制电流交流阻抗谱有机发光二极管

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NPB/Alq_3有机量子阱光电特性研究

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光谱学与光谱分析 2007年第4期27卷 643-646页

作者：黄金昭徐征赵谡玲张福俊王勇北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用热蒸发的方法制备了有机量子阱发光器件和Alq3单层发光器件,其中NPB(N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)作垒层,Alq3(Tris-(8-quinolinolato)aluminum)作阱层,量子阱结构类似于无机半导体的Ⅱ型量子阱结构。实验发现有机量子阱发光器件结构中存在垒层向阱层的F rster无辐射共振能量转移,具有良好的电流-电压特性,光谱的窄化及蓝移,并且光谱的蓝移程度随电压的增大而逐渐增强。

关键词：有机量子阱电致发光光致发光

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有机薄膜晶体管中接触效应的研究

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物理学报 2010年第11期59卷 8125-8130页

作者：孙钦军徐征赵谡玲张福俊高利岩田雪雁王永生北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以M0O3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42 cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16 V,开关比4.7... 详细信息

研究了接触效应对有机薄膜晶体管性能的影响.首先在n型重掺杂Si片上制备了以M0O3修饰的Al电极为源漏电极的Pentacene基OTFTs(organic thin film transistors),器件场效应迁移率μef达到0.42 cm2/V·s,阈值电压VT为-9.16 V,开关比4.7×103.通过中间探针法,对器件电势分布做了定性判断,发现源漏端电势分布不均匀;沟道电阻RL和接触电阻RC都随着栅压VG增加而减小,并且R1减小的比RC更快;RL随源漏电压VDS增加缓慢变大.随后采用电荷漂移理论对其输出特性进行了分析和理论模拟,发现考虑接触电阻后,由实验结果计算得出的器件场迁移率增加两倍多,达到1.1 cm2/V·s.因此如何分析、减小接触电阻是OTFT器件提高性能和实现、扩大应用中要解决的重要问题之一.

关键词：有机薄膜晶体管场效应迁移率接触效应电荷漂移

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有机多层量子阱结构的光致发光特性的研究

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光谱学与光谱分析 2007年第4期27卷 625-628页

作者：赵德威宋淑芳赵谡玲徐征王永生徐叙瑢北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

采用多源高真空有机分子束沉积系统(OMBDs),将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs),并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD和Alq3的最低空分子轨道(LUMO)和最高占... 详细信息

采用多源高真空有机分子束沉积系统(OMBDs),将两种有机小分子材料PBD和Alq3以交替生长的方式,制备了不同厚度的PBD/Alq3有机多层量子阱结构(OMQWs),并利用电化学循环伏安法和光吸收分别测定了PBD和Alq3的最低空分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)。该结构类似于无机半导体中的Ⅰ型量子阱结构,PBD层作为势垒层,Alq3层作为势阱层和发光层,并进行了小角X射线衍射(XRD)的测量。利用荧光光谱研究了OMQWs光致发光(PL)特性,得到随着阱层厚度的降低,光致发光的峰位将蓝移;同时随垒层厚度的减小,PBD的发光峰逐渐消失。利用量子阱结构可以使PBD的能量有效的传递给Alq3,从而增强Alq3的发光。

关键词：有机多层量子阱结构(OMQWs) 激子发光光致发光(PL)

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