检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 2019年第2期40卷 177-182页

作者：陈越何大伟王永生杨冰洋北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 航天特种材料及工艺技术研究所北京100074

采用水热法制备了二氧化钛纳米管-石墨烯的复合光催化剂。利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对复合材料进行了表征与分析,并对其光催化性能进行了测试。结果显示,同纯二氧化钛纳米管相比,二氧化钛纳米管-石墨烯的光催化... 详细信息

采用水热法制备了二氧化钛纳米管-石墨烯的复合光催化剂。利用X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱仪对复合材料进行了表征与分析,并对其光催化性能进行了测试。结果显示,同纯二氧化钛纳米管相比,二氧化钛纳米管-石墨烯的光催化性能较高。石墨烯与二氧化钛纳米管复合,充当电子受体,载流子迁移率得到提高,从而提升了光催化性能。

关键词：光催化石墨烯二氧化钛纳米管水热法

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氟离子浓度对稀土掺杂上转换发光纳米材料形貌及荧光寿命的影响

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物理化学学报 2016年第8期32卷 2108-2112页

作者：刘珊珊徐征赵谡玲梁志琴朱薇北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所北京100044

利用溶剂热法制备了Yb^(3+)、Er^(3+)共掺的Na YF4上转换发光纳米材料。实验结果表明,不同F-离子对纳米晶的晶型和粒径尺寸起着重要的作用。低F-离子浓度下,NaYF_4纳米材料的粒径尺寸随F-离子浓度的增加逐渐变小且趋于均一;高F-离子浓度... 详细信息

利用溶剂热法制备了Yb^(3+)、Er^(3+)共掺的Na YF4上转换发光纳米材料。实验结果表明,不同F-离子对纳米晶的晶型和粒径尺寸起着重要的作用。低F-离子浓度下,NaYF_4纳米材料的粒径尺寸随F-离子浓度的增加逐渐变小且趋于均一;高F-离子浓度下,六方晶相的形成受到抑制,上转换纳米晶出现团聚现象。在一定浓度范围内,F-离子的浓度有利于促进荧光发射。同时F-离子浓度对荧光寿命也有显著的影响。

关键词：上转换发光纳米材料 NaYF4 形貌控制荧光寿命

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基于叠层结构的本体异质结有机太阳电池

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光电子．激光 2008年第8期19卷 1016-1018页

作者：张馨芳徐征赵谡玲张福俊李妍吴春瑜陈跃宁北京交通大学光电子技术研究所北京100044 北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

研究了叠层结构的本体异质结有机太阳电池,下层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)作为光敏层,上层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)和ZnO纳米颗粒(50nm)组成光敏层。器件结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Ag/MEH-PPV:ZnO/Al。与单层有机太阳电池(ITO/PEDO... 详细信息

研究了叠层结构的本体异质结有机太阳电池,下层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)作为光敏层,上层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)和ZnO纳米颗粒(50nm)组成光敏层。器件结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Ag/MEH-PPV:ZnO/Al。与单层有机太阳电池(ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al)相比,叠层结构的开路电压VOC是单层电池的3.7倍,短路电流JSC是单层电池的1.6倍。

关键词：太阳电池叠层本体异质结 MEH PPV ZnO

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水汽处理对量子点发光二极管的性能影响研究

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光谱学与光谱分析 2020年第4期40卷 1034-1039页

作者：郑旭刚宋丹丹赵谡玲乔泊申崇渝徐征北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所北京100044 易美芯光(北京)科技有限公司北京100176

在量子点电致发光二极管(quantum-dot light-emitting diodes, QLEDs)的研究中,外界空气尤其是水氧一直是影响器件性能的主要因素。而有研究表明水是导致QLED器件固定电流下亮度提升的原因之一,因此通过水汽处理的方式对这一效果进行提... 详细信息

在量子点电致发光二极管(quantum-dot light-emitting diodes, QLEDs)的研究中,外界空气尤其是水氧一直是影响器件性能的主要因素。而有研究表明水是导致QLED器件固定电流下亮度提升的原因之一,因此通过水汽处理的方式对这一效果进行提升有利于进一步优化器件性能。主要基于水对量子点表面缺陷态的钝化作用来研究水汽处理量子点发光层对电致发光器件整体性能的影响,并探索最佳处理时间。首先利用全溶液法制备了一系列QLED器件,并在制备过程中对量子点膜层进行水汽处理,通过保持湿度不变改变处理时长的方式改变水汽处理程度。然后对各个器件进行电致发光光谱的表征,结果表明经过水汽处理的QLED器件的电致发光光谱相对未处理器件有一定程度的蓝移,并且随着处理时间的延长蓝移程度增大,分析发现这是水分子氧化量子点引起表面钝化从而减少带边缺陷态发光的结果。此外,通过测量各个器件的电流密度-电压-亮度(J-V-L)曲线对比不同水汽处理时长下器件的电流密度和发光强度大小,并通过计算得到各器件的电流效率曲线。结果表明随着处理时间的延长, QLED器件的亮度和电流效率都取得较大幅度的提升,处理时长为3 min时亮度提升10%,电流效率提升50%。最后,利用寿命测试设备对器件进行老化,得到不同处理时长器件在相同固定电流密度下亮度随时间变化的曲线。结果表明各个器件亮度均表现出先提升后下降的过程,亮度初始提升幅度约为50%~70%,并且提升到最大值所用时长随处理时间的增大而减小,说明水汽处理对器件亮度提升更有效。通过寿命公式计算器件的寿命并进行对比,发现经水汽处理器件寿命相对未处理器件最高提升了70%。总之,水汽处理对QLED器件的性能在一定程度上起优化作用,这对于QLED器件效率和寿命的提升以及封装工艺的简化是十分有益的。

关键词：量子点发光二极管水汽处理钝化作用电致发光寿命

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提高电子注入的固态阴极射线发光的研究

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物理学报 2007年第9期56卷 5526-5530页

作者：李远赵谡玲徐征张福俊黄金昭宋林欧阳平北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

设计了SiO2与电极间加入ZnS的复合加速层结构,进一步说明靠电子注入的增强来扩大初电子源.同时,在电子发生倍增前后的电压下,对比了单层和夹层结构的不同加速层的发光性能.得到在低压直流下单侧复合加速层器件的发光优于单层SiO2加速层... 详细信息

设计了SiO2与电极间加入ZnS的复合加速层结构,进一步说明靠电子注入的增强来扩大初电子源.同时,在电子发生倍增前后的电压下,对比了单层和夹层结构的不同加速层的发光性能.得到在低压直流下单侧复合加速层器件的发光优于单层SiO2加速层器件而劣于单层ZnS器件;在高压交流下复合加速层表现出明显的优势,在复合加速层中,ZnS不仅对电子有加速作用,而且对增强电子注入贡献很大,同时ZnS和SiO2/ZnS界面还提供了初电子源.另外,与SiO2夹层器件作对比,发现SiO2依然是主要的加速层,只是在加入ZnS以后,改变了电场分布,提高了电子的加速效果,增强了短波峰的光强.这种复合加速层结构,尤其在高场下,对提高固态阴极射线的初电子源,从而提高其发光效率具有促进作用.

关键词：电致发光复合加速层过热电子固态阴极射线

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温度对于掺杂在SrAl12O19中Pr^3＋4f5d发射的影响

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光谱学与光谱分析 2008年第5期28卷 1012-1015页

作者：祁士群黄世华由芳田王大伟高长城发光与光信息技术教育部重点实验室北京交通大学光电子技术研究所北京100044

测量了在真空紫外光激发下,SrAl12O19∶Pr3+在不同温度(308~483 K)时的发射光谱,同时观测到了电偶极禁戒的4f2→4f2和电偶极允许的4f5d→4f2跃迁。随温度升高,4f5d→4f2与1S0发射的相对强度逐渐增强。运用Pr3+4f2组态最高的能级—1S0能... 详细信息

测量了在真空紫外光激发下,SrAl12O19∶Pr3+在不同温度(308~483 K)时的发射光谱,同时观测到了电偶极禁戒的4f2→4f2和电偶极允许的4f5d→4f2跃迁。随温度升高,4f5d→4f2与1S0发射的相对强度逐渐增强。运用Pr3+4f2组态最高的能级—1S0能级和4f5d组态最低能级间的热平衡模型成功解释了SrAl12O19∶Pr3+发射光谱随温度变化的现象。

关键词：三价镨离子真空紫外(VUV) 4y5d组态热激发

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溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

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发光学报 2009年第2期30卷 243-246页

作者：胡峰衣立新王申伟高华何桢北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光... 详细信息

利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。

关键词：硅纳米晶超晶格磁控溅射热退火

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掺杂DCJTB聚乙烯咔唑的发光性质

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发光学报 2008年第6期29卷 957-961页

作者：滕枫唐爱伟北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

研究了PVK∶DCJTB体系的发光特性。实验结果表明,PVK∶DCJTB薄膜光激发时,PVK和DCJTB之间存在能量传递,DCJTB的浓度从1%增加到2%,能量传递效率明显增强,但仍然不充分。引入Alq3层后的PVK∶DCJTB/Alq3双层薄膜,PVK的发光被有效地抑制了,A... 详细信息

研究了PVK∶DCJTB体系的发光特性。实验结果表明,PVK∶DCJTB薄膜光激发时,PVK和DCJTB之间存在能量传递,DCJTB的浓度从1%增加到2%,能量传递效率明显增强,但仍然不充分。引入Alq3层后的PVK∶DCJTB/Alq3双层薄膜,PVK的发光被有效地抑制了,Alq3明显促进了PVK向DCJTB的能量传递效率,说明Alq3起到了能量传递的"桥梁"作用。而结构为ITO/PVK∶DCJTB/Alq3/LiF(1nm)/Al的器件的电致发光光谱与光致发光光谱明显不同。电致发光时,Alq3层的发光的相对强度比光致发光时大许多,而且发光强度随着驱动电压的增加而增强,说明随电压的增加,有更多的空穴注入到Alq3层,致使载流子在Alq3层的复合几率随电场的增强而增大。

关键词：能量传递有机电致发光光致发光掺杂

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掺杂DCJTB聚合物电化学池(LEC)的发光性质

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发光学报 2008年第3期29卷 425-428页

作者：李扬舟滕枫雷月清侯延冰北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

通过在聚合物电化学池（LEC）发光器件的发光材料MEH-PPV中掺杂红光染料DCJTB，对LEC器件的发光性质进行研究。基于器件结构为ITO／MEH-PPV＋PEO＋LiCF3 SO3／Al的薄膜LEC器件，其电致发光峰在570nm左右，通过在MEH-PPV与PEO的混合膜中... 详细信息

通过在聚合物电化学池（LEC）发光器件的发光材料MEH-PPV中掺杂红光染料DCJTB，对LEC器件的发光性质进行研究。基于器件结构为ITO／MEH-PPV＋PEO＋LiCF3 SO3／Al的薄膜LEC器件，其电致发光峰在570nm左右，通过在MEH-PPV与PEO的混合膜中掺杂不同比例的红光染料DCJTB，随着掺杂比例的增加，器件的发光峰由570nm向红光波段移动，通过控制DCJTB的掺杂比例制备了发光峰在570-650nm连续变化的LEC电致发光器件。对其分析认为从LEC主体发光聚合物MEH-PPV到染料DCJTB间发生了良好的能量传递。

关键词：聚合物发光电化学池 MEH-PPV 红光染料DCJTB 掺杂能量传递

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不同稳定剂对水溶性CdTe纳米晶光学性质的影响

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发光学报 2008年第1期29卷 171-175页

作者：王琰侯延冰唐爱伟封宾李妍滕枫北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

分别用巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),L-半胱氨酸(L-Cys),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)作为稳定剂,在水相中合成出CdTe纳米晶体,研究了稳定剂对所制备的纳米晶光学性质的影响,并且对所合成的球状和棒状纳米晶的稳定性进行了研究。实验结果表明... 详细信息

分别用巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),L-半胱氨酸(L-Cys),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)作为稳定剂,在水相中合成出CdTe纳米晶体,研究了稳定剂对所制备的纳米晶光学性质的影响,并且对所合成的球状和棒状纳米晶的稳定性进行了研究。实验结果表明,不同的稳定剂可以得到不同型貌的纳米晶,用L-半胱氨酸(L-Cys),巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)所得到的CdTe纳米晶的吸收和发射峰位不同,这是受稳定剂自身的官能团性质和空间位阻作用影响的结果。

关键词： CdTe 纳米晶稳定剂光学性质

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