检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2006年第4期26卷 601-604页

作者：钱磊滕枫徐征权善玉刘德昂王元敏王永生徐叙北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强... 详细信息

对一维纳米材料在空穴缓冲层PEDOT中的作用进行了研究。光致发光表明在PEDOT中掺杂一维纳米材料(二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒)可以提高双层样品PEDOT/MEH-PPV的发光效率。拉曼光谱的结果说明正是由于一维纳米材料与PEDOT之间存在的强相互作用,才减少了PEDOT/MEH-PPV界面上猝灭发光的缺陷态的产生。在以MEH-PPV作为发光层的聚合物电致发光器件中,在PEDOT中掺杂二氧化钛纳米管和氧化锌纳米棒后,器件的最大效率分别提高了2倍和2.5倍。

关键词：一维纳米材料空穴缓冲层掺杂

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基于有机异质结的有机-无机复合单量子阱发光性质的研究

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光谱学与光谱分析 2006年第2期26卷 240-243页

作者：钱磊徐征滕枫刘德昂权善玉王元敏王永生徐叙瑢北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

制备了包含有机异质结的有机-无机复合单量子阱器件ITO\SiO2(60 nm)\MEH-PPV(40nm)\Alq3(40 nm)\SiO2(60 nm)\Al。通过对这种新结构器件光致发光和电致发光的研究,发现介电限域效应和量子尺寸效应对它的发光和电学性质有明显的影响。在... 详细信息

制备了包含有机异质结的有机-无机复合单量子阱器件ITO\SiO2(60 nm)\MEH-PPV(40nm)\Alq3(40 nm)\SiO2(60 nm)\Al。通过对这种新结构器件光致发光和电致发光的研究,发现介电限域效应和量子尺寸效应对它的发光和电学性质有明显的影响。在交流电驱动下,OISQWOH(organic-inorganic quantum well with organic heterojunction)有三个发光峰:410,510和590 nm。其中410 nm的发光与MEH-PPV的扩展态相关,510和590 nm的发光分别来源于Alq3和MEH-PPV的激子发光。

关键词：单量子阱有机-无机复合体系异质结

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超薄层在白色有机电致发光器件中的应用

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物理化学学报 2008年第4期24卷 700-704页

作者：邓召儒杨盛谊孟令川娄志东北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

以DCJTB为掺杂剂,以BCP为空穴阻挡层,研究了两种结构的有机电致发光器件ITO/NPB/BCP/Alqa3:DCJTB/Alq3/Al(结构A)和ITO/NPB/BCP/Alq3Alq3:DCJTB/Alq3/Al(结构B)的电致发光光谱.实验结果显示,在结构A器件的电致发光光谱中,绿光的相对发光强度较弱,增加Alq3层的厚度对绿光的相对发光强度的影响也很小;而在结构B器件的电致发光光谱中,BCP层与掺杂层(Alq3:DCJTB)之间的Alq3薄层对绿光的相对发光强度影响显著,用很薄的Alq3层就可以得到强的绿光发射.进一步改变器件结构,利用有机超薄层就可以得到稳定的白光器件ITO/NPB(50 nm)/BCP(3 nm)/Alq3(3 nm)/Alq3:DCJTB(1%(w))(5 nm)/Alq3(7 nm)/Al.随着电压的增加(14-18 v),该器件的色坐标基本保持在(0.33,0.37)处不动;在432 mA·cm-2的电流密度下,该器件的发光亮度可达11521 cd·m-2.

关键词：白色有机电致发光器件超薄层空穴阻挡层

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量子阱结构对有机电致发光器件效率的影响

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物理学报 2010年第11期59卷 8093-8097页

作者：朱海娜徐征赵谡玲张福俊孔超闫光龚伟北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

实验中共制备了五种有机量子阱结构电致发光器件,分别对这五种量子阱结构器件的电致发光特性进行了研究,分析了量子阱结构的周期数和势垒层的厚度对器件电学性能的影响.实验结果表明适当周期数的量子阱结构器件的亮度和电流效率比传统... 详细信息

实验中共制备了五种有机量子阱结构电致发光器件,分别对这五种量子阱结构器件的电致发光特性进行了研究,分析了量子阱结构的周期数和势垒层的厚度对器件电学性能的影响.实验结果表明适当周期数的量子阱结构器件的亮度和电流效率比传统的三层结构器件的要大,主要原因是量子阱结构对电子和空穴的限制作用,这种限制作用提高了电子和空穴在发光层中形成激子和复合的概率,从而提高了发光的亮度和效率.当改变阱结构器件中势阱层的厚度时,也会对器件的亮度和效率产生影响,采用适当的势阱层厚度能够提高器件的亮度和效率.

关键词：量子阱结构电致发光电流效率光谱

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水相中CdTe纳米晶的制备及其光学性质(英文)

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物理化学学报 2008年第2期24卷 296-300页

作者：王琰侯延冰唐爱伟封宾李妍滕枫北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

用不同稳定剂(巯基乙酸(TGA)、巯基丙酸(MPA)、L-半胱氨酸(L-Cys)、3-巯基-1,2-丙二醇(TG))在水相中制备了CdTe纳米晶,并用透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线粉末衍射(XRD)等技术对其进行了表征.研究了不同水相合成条件... 详细信息

用不同稳定剂(巯基乙酸(TGA)、巯基丙酸(MPA)、L-半胱氨酸(L-Cys)、3-巯基-1,2-丙二醇(TG))在水相中制备了CdTe纳米晶,并用透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和X射线粉末衍射(XRD)等技术对其进行了表征.研究了不同水相合成条件对CdTe纳米晶光学性质的影响,结果表明,n(Cd)∶n(Te)、溶液pH值、回流时间以及稳定剂的性质,对纳米晶的光学性质具有显著影响.制得的CdTe纳米晶发射峰窄且对称(半高全宽达38nm),用不同稳定剂制备的纳米晶发光量子效率有所不同,用不同的激发波长对纳米晶进行激发时,发射峰并未表现出明显的移动.

关键词： CdTe 纳米晶光学性质光致发光

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M_3Gd(PO_4)_3:Tm^(3+)(M=Mg,Ca,Sr,Ba)真空紫外发光特性

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稀有金属材料与工程 2007年第A01期36卷 601-603页

作者：李鑫何大伟卢鹏志王永生北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

研究了M3Gd(PO4)3:Tm3+(M=Sr,Ba,Ca,Mg)样品的结构特性、发光特性。M3Gd(PO4)3:Tm3+属于立方晶系。基质掺入铥离子后其结构没有明显变化。M3Gd(PO4)3:Tm3+在166nm和210nm附近有强烈的吸收峰。位于166nm附近的强烈吸收峰归因于基质的强... 详细信息

研究了M3Gd(PO4)3:Tm3+(M=Sr,Ba,Ca,Mg)样品的结构特性、发光特性。M3Gd(PO4)3:Tm3+属于立方晶系。基质掺入铥离子后其结构没有明显变化。M3Gd(PO4)3:Tm3+在166nm和210nm附近有强烈的吸收峰。位于166nm附近的强烈吸收峰归因于基质的强烈吸收,210nm附近的吸收峰则归因于Gd3+的8S7/2-6GJ的能级跃迁。在166nm真空紫外光激发下,样品在453nm及363nm处有较强的发射峰,发射主峰位于453nm。随着样品中阳离子的变化,M3Gd(PO4)3:Tm3+的激发峰发生强烈变化,从而导致其发射光谱有了较大变化。

关键词：发光特性 VUV 蓝色发射激发光谱

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SrS：Eu，Sm光存储材料的制备及表征

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固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 400-403,409页

作者：姜薇薇徐征北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再... 详细信息

采用湿法在还原气氛下制备了SrS:Eu,Sm电子俘获光存储材料,研究了制备条件(灼烧温度、灼烧时间、助熔剂含量)对样品光激励发光性能的影响。XRD图谱表明,样品在750°C就可以形成SrS晶格。光谱分析表明,先将样品用紫外光饱和激发后,再用980nm半导体激光照射,具有光激励发光现象,发光峰值位于599 nm。对这种稀土掺杂硫化物材料的光存储机理进行了探讨。

关键词： SrS:Eu,Sm 制备光存储

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荧光寿命的正弦调制测量法及分析

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光谱学与光谱分析 2007年第12期27卷 2523-2526页

作者：冯颖黄世华北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

设计并制作了光强调制度和频率可调的发光二极管驱动电路,应用这种激励源激发荧光样品Eu2L′***2O(L′=C4H4O4),测量了激发光和Eu3+离子的5D0—7F2发射光的波形。实验得到的数据用按照相位法测量荧光寿命的原理用非线性最小平方曲线拟合... 详细信息

设计并制作了光强调制度和频率可调的发光二极管驱动电路,应用这种激励源激发荧光样品Eu2L′***2O(L′=C4H4O4),测量了激发光和Eu3+离子的5D0—7F2发射光的波形。实验得到的数据用按照相位法测量荧光寿命的原理用非线性最小平方曲线拟合,得到Eu3+离子激发态5D0的寿命约为0.680ms。讨论了光源调制中的高次谐波分量对测量结果的影响以及寿命具有一定分布的多指数衰减体系的测量和处理方式,提出应用傅里叶级数展开处理数据的修正方法,以扩大相位法测量荧光寿命的适用范围,得到更准确的荧光寿命值。

关键词：荧光寿命相移法高次谐波分量多指数衰减

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LD泵浦Nd:GdVO_4/KTP双调Q绿光激光器实验研究

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光电子．激光 2009年第7期20卷 874-876页

作者：高利岩徐征孙钦军北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044

采用半导体激光器(LD)单端泵浦Nd:GdVO4晶体,在谐振腔内同时利用声光器件、Cr4+:YAG晶体和KTP晶体,实现532nm内腔倍频双调Q绿光运转。当泵浦功率为7.7W,重复频率为10kHz时,获得最短脉冲宽度为24ns,单脉冲能量为32.4μJ及相应峰值功率为1... 详细信息

采用半导体激光器(LD)单端泵浦Nd:GdVO4晶体,在谐振腔内同时利用声光器件、Cr4+:YAG晶体和KTP晶体,实现532nm内腔倍频双调Q绿光运转。当泵浦功率为7.7W,重复频率为10kHz时,获得最短脉冲宽度为24ns,单脉冲能量为32.4μJ及相应峰值功率为1.35kW的激光脉冲。

关键词： Nd:GdVO4晶体声光调Q 被动调Q 双调Q 内腔倍频绿光激光器

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射频磁控溅射制备纳米晶Ni-Mo催化阴极及其表征

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高等学校化学学报 2006年第5期27卷 909-913页

作者：黄金昭徐征李海玲亢国虎王文静北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京市太阳能研究所北京100083

利用射频磁控溅射方法制备了纳米晶N i-Mo合金薄膜,并将其用作太阳能光电化学制氢的阴极催化膜.采用XRD,EDS,SEM和AFM对膜的晶型、成分、表面形貌以及晶粒尺寸进行了表征.用稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱对膜的析氢电化学特性进行了测... 详细信息

利用射频磁控溅射方法制备了纳米晶N i-Mo合金薄膜,并将其用作太阳能光电化学制氢的阴极催化膜.采用XRD,EDS,SEM和AFM对膜的晶型、成分、表面形貌以及晶粒尺寸进行了表征.用稳态极化曲线和电化学交流阻抗谱对膜的析氢电化学特性进行了测试.结果表明,在较高的工作压强、较低的衬底温度和较远的靶距下沉积的膜有较好的电化学性能,晶粒的细化以及膜中Mo含量的增加有助于析氢催化活性的提高,在电流密度为100 mA/cm2时析氢过电势为177.7 mV,电化学脱附是膜上析氢反应的控制步骤.

关键词：磁控溅射 Ni-Mo合金析氢反应纳米晶

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