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Pb_(1-x)Tb_xTi_(1-x)Mn_xO_3(0≤x≤0.10)固溶体的合成、结构与表征(英文)

物理化学学报 2011年第4期27卷 990-994页

作者：范敏李国宝王东伟金头男廖复辉林建华北京工业大学材料科学与工程学院北京100022 北京大学化学与分子工程学院北京分子科学国家实验室稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871 国家纳米科学中心北京100190

用固相反应合成了Pb1-xTbxTi1-xMnxO3(0≤x≤0.10)固溶体,并用X射线粉末衍射进行了表征,室温下其空间群为P4mm.热分析仪测试结果显示,随着Tb和Mn掺杂量的增加,该固溶体的相变温度Tc降低.介电常数在Tc附近出现峰值,表明对应的相变是铁电... 详细信息

用固相反应合成了Pb1-xTbxTi1-xMnxO3(0≤x≤0.10)固溶体,并用X射线粉末衍射进行了表征,室温下其空间群为P4mm.热分析仪测试结果显示,随着Tb和Mn掺杂量的增加,该固溶体的相变温度Tc降低.介电常数在Tc附近出现峰值,表明对应的相变是铁电相变.磁性测量显示,当x=0.08和x=0.10时,Pb1-xTbxTi1-xMnxO3分别在25和29 K附近有顺磁性向反铁磁性的转变.

关键词：固相反应 PbTiO3 相变铁电 TbMnO3

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二氧六环参与配位的稀土配合物的制备和荧光性能研究

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光谱学与光谱分析 2011年第3期31卷 727-731页

作者：崔玉民陶栋梁张文保殷榕灿徐怡庄吴瑾光阜阳师范学院化学化工学院安徽阜阳236041 稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871 北京大学化学与分子工程学院北京10087

利用二氧六环(dioxane)小分子作为第二配体,吡哌酸(PPA)作为第一配体合成了稀土荧光配合物Eu(PPA)3dioxane和Tb(PPA)3dioxane。这种小分子直接参与配位形成稀土配合物的现象很少见到。所合成的配合物通过与单独使用吡哌酸作为配体的配合... 详细信息

利用二氧六环(dioxane)小分子作为第二配体,吡哌酸(PPA)作为第一配体合成了稀土荧光配合物Eu(PPA)3dioxane和Tb(PPA)3dioxane。这种小分子直接参与配位形成稀土配合物的现象很少见到。所合成的配合物通过与单独使用吡哌酸作为配体的配合物Eu(PPA)3和Tb(PPA)3对比,发现二氧六环对稀土配合物的荧光具有明显的增强效果,尤其是对Tb3+所形成的稀土配合物,荧光增强非常显著。二氧六环的参与配位,代替了原来的水分子,这样就会在一定程度上减少了热振动所造成的能量损失,从而增强荧光。所制备的稀土配合物通过红外光谱、荧光光谱、荧光寿命等方法进行了表征。对于由Eu和Tb所形成的配合物,加入第二配体二氧六环对其荧光寿命的影响差别很大,这说明对于Eu和Tb所形成的配合物存在着不同的能量传递过程。这种荧光增强现象为检测小分子二氧六环的存在及其含量提供了一种新的方法。

关键词：二氧六环吡哌酸稀土配合物荧光寿命

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二氧化硅包覆稀土配合物Eu(TTA)_3phen制备及其荧光性能研究

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光谱学与光谱分析 2011年第3期31卷 723-726页

作者：陶栋梁崔玉民乔瑞徐怡庄吴瑾光阜阳师范学院化学化工学院安徽阜阳236041 稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871 北京大学化学与分子工程学院北京10087

将稀土配合物Eu(TTA)3phen分散于异丙醇中,通过水解正硅酸乙酯(TEOS)的方法制备了新型荧光材料二氧化硅包覆稀土配合物SiO2/Eu(TTA)3phen。荧光光谱表明二氧化硅包覆后的稀土配合物荧光强度增加了将近一倍,同时,发现Eu3+在617.4nm附近... 详细信息

将稀土配合物Eu(TTA)3phen分散于异丙醇中,通过水解正硅酸乙酯(TEOS)的方法制备了新型荧光材料二氧化硅包覆稀土配合物SiO2/Eu(TTA)3phen。荧光光谱表明二氧化硅包覆后的稀土配合物荧光强度增加了将近一倍,同时,发现Eu3+在617.4nm附近的发射峰变得非常尖锐,而未经二氧化硅包覆的Eu(TTA)3phen在617.4nm附近只是非常不明显的肩峰。这说明了二氧化硅包覆稀土配合物后,Eu(TTA)3phen的结构变得更加刚性化,从而使得荧光强度增强。荧光寿命实验结果表明二氧化硅包覆后的稀土配合物寿命减少,这正是由于稀土配合物分子结构刚性化造成的。

关键词：稀土配合物二氧化硅荧光增强包覆荧光寿命

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还原氧化石墨烯修饰Bi_2WO_6提高其在可见光下的光催化性能(英文)

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物理化学学报 2011年第6期27卷 1482-1486页

作者：应红王志永郭政铎施祖进杨上峰中国科学技术大学材料科学与工程系合肥微尺度物质科学国家实验室中国科学院能量转换材料重点实验室合肥230026 北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学与应用国家重点实验室北京分子科学国家实验室北京100871

通过两步水热法合成了一种新型的还原氧化石墨烯(RGO)修饰的Bi2WO6(Bi2WO6-RGO),结果表明其在可见光下的光催化性能得到了显著的提高.研究了RGO在Bi2WO6-RGO中的含量对其光催化性能的影响,从而确定出RGO相对于Bi2WO6的最佳掺杂质量比值... 详细信息

通过两步水热法合成了一种新型的还原氧化石墨烯(RGO)修饰的Bi2WO6(Bi2WO6-RGO),结果表明其在可见光下的光催化性能得到了显著的提高.研究了RGO在Bi2WO6-RGO中的含量对其光催化性能的影响,从而确定出RGO相对于Bi2WO6的最佳掺杂质量比值为1%.通过扫描电镜(SEM)研究发现,RGO并没有改变Bi2WO6光催化剂的结构和形貌.Bi2WO6-RGO在可见光下的光催化性能得以提高可以归功于RGO.其可能的机理是石墨烯的存在有利于光生载流子(激子)的分离,从而导致产生更多的O2●-用于有机染料污染物(如罗丹明B(RhB))的降解.RhB分子在石墨烯上的有效吸附可能也是导致Bi2WO6-RGO光催化性能提高的另一原因.

关键词： Bi2WO6 石墨烯水热法光催化剂有机染料污染物

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乌青铜型BaNd_2Ti_4O_(12)微波介质陶瓷的电导和介电损耗(英文)

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物理化学学报 2011年第8期27卷 2009-2014页

作者：夏海廷匡小军王春海李文先荆西平赵飞岳振星北京大学化学与分子工程学院北京分子科学国家实验室稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871 内蒙古大学化学与化学工程学院呼和浩特010021 中山大学化学与化学工程学院教育部生物无机与合成化学重点实验室光电材料与技术国家重点实验室广州510275 清华大学材料科学与工程系新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室北京100084

用固相反应合成了乌青铜型钛酸盐陶瓷BaNd2Ti4O12, 并用电化学阻抗和微波介质谐振测试表征了不同热处理和钽掺杂对电导和微波介电损耗的影响. 电导率随退火气氛(空气, 氧气和氮气)的变化与缺陷反应平衡2OO×■2VO··+O2↑+... 详细信息

用固相反应合成了乌青铜型钛酸盐陶瓷BaNd2Ti4O12, 并用电化学阻抗和微波介质谐振测试表征了不同热处理和钽掺杂对电导和微波介电损耗的影响. 电导率随退火气氛(空气, 氧气和氮气)的变化与缺陷反应平衡2OO×■2VO··+O2↑+2e'和TiT×i+e'■Ti'Ti随氧分压的变化一致, 表明BaNd2Ti4O12具有n型导电性质. 在空气和氧气中退火有利于减少包括VO×, Ti'Ti和弱束缚电子在内的本征缺陷因而降低电导. 而在低氧分压的氮气中进行退火处理, 增加了缺陷的浓度, 同时提高了电导率. 在空气/氧气/氮气中的退火处理对微波介电损耗没有明显的影响, 表明本征缺陷对微波介电损耗的影响可以忽略. 空气退火处理样品的电导率和微波介电损耗低于空气淬火处理的样品; 其中电导的变化与缺陷反应平衡相关, 但空气退火降低微波介电损耗可能与退火消除晶格热应力有关. 五价钽的掺杂降低了电导但增大了微波介电损耗. 本研究表明空气退火处理能有效地改善BaNd2Ti4O12陶瓷的品质因子Q×f, 其值提高了约12%.

关键词：缺陷电导微波介电损耗 BaNd2Ti4O12 乌青铜结构

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荆花胃康方治疗消化性溃疡的计算药理学研究

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中国药理通讯 2012年第3期29卷 60-60页

作者：王晨泉马晓慧徐筱杰颜璐璐中国药科大学生理教研室南京 210009 天津天士力集团研究院药理毒理研究所天津 300410 稀土材料化学与应用国家重点实验室北京分子科学国家实验室北京大学化学与分子工程学院北京 100871

目的：对荆花胃康方进行计算网络药理学的研究，探索荆花胃康抗消化性溃疡的可能活性成分以及其相应的作用靶点，以进一步挖掘荆花胃康胶丸的优势特点，同时尝试用网络药理学来阐释中药的药效物质基础和作用机制，积极探索计算网络药理... 详细信息

目的：对荆花胃康方进行计算网络药理学的研究，探索荆花胃康抗消化性溃疡的可能活性成分以及其相应的作用靶点，以进一步挖掘荆花胃康胶丸的优势特点，同时尝试用网络药理学来阐释中药的药效物质基础和作用机制，积极探索计算网络药理学的技术和方法在中药研究中的应用，为后续的中药研究积累经验。方法：1．收集荆花胃康中含169个化合物成分进行化学空间分析考察其类药性；2．主成分分析直观反映这些化合物在化学空间的分布；

关键词：抗消化性溃疡药理学胃康方荆花胃康胶丸治疗药效物质基础活性成分主成分分析

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2-巯基吡啶氮氧化物稀土配合物的合成,结构与磁性

2-巯基吡啶氮氧化物稀土配合物的合成,结构与磁性

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中国化学会第八届全国无机化学学术会议

作者：周长龙王哲明高松北京分子科学国家实验室稀土材料化学及应用国家重点实验室北京大学化学与分子工程学院北京 100871

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