检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 154-157页

作者：桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心北京大学电镜室北京100871

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。

关键词：化合物半导体位错透射电镜蓝宝石氮化铝

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脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响

脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心北京大学电镜室

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。

关键词：化合物半导体位错透射电镜蓝宝石氮化铝

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介观光学与新一代纳/微光子器件研究

介观光学与新一代纳/微光子器件研究

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2008介观光学及其应用研讨会

作者：张国义北京大学物理学院人工与微结构介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

＜正＞～～

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脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响

脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京 100871 北京大学电镜室北京 100871

在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界... 详细信息

在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。

关键词：化合物半导体氮化铝薄膜透射电镜位错密度脉冲缓冲层外延生长

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GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化

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发光学报 2007年第1期28卷 114-120页

作者：潘华璞黄利伟李睿林亮陈志忠张国义胡晓东北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定... 详细信息

针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。

关键词： GaN基LED 电流扩展串联电阻有限元方法电极结构

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垂直电极结构GaN基发光二极管的研制

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 482-485页

作者：康香宁包魁陈志忠徐科章蓓于彤军聂瑞娟张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京100871

利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰... 详细信息

利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.

关键词： GaN LED 激光剥离金属合金键合垂直电极

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GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 471-474页

作者：魏启元李倜王彦杰陈伟华李睿潘尧波徐科章蓓杨志坚胡晓东北京大学宽禁带半导体研究中心北京100871 北京大学物理学院人工微结构和介观国家重点实验室北京100871

研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量... 详细信息

研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.

关键词：氮化镓激光二极管量子阱多元合金增益

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用微结构压印提高GaN基发光二极管的输出光强

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Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 464-466页

作者：包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇北京大学物理学院和宽禁带半导体研究中心微流与纳米技术研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 Laboratoire de Photonique et Nanostructures Route de Nozay91460 MarcoussisFrance

为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压... 详细信息

为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.

关键词： GaN基发光二极管出光效率纳米压印技术微结构

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GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质

GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：沈波唐宁北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心

AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)浓度一般高一个数量级,其输运和... 详细信息

AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)浓度一般高一个数量级,其输运和自旋性质很可能具有新的特点。

关键词： GaN 基异质结构二维电子气量子输运自旋分裂

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GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED

GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED

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第11届全国发光学学术会议

作者：张国义陈志涛杨学林北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

液晶显示的迅猛发展,推动了人们对于液晶显示的深入研究,其中 LED 背光源以其低功耗、显色指数高、长寿命、无辐射等优点倍受关注。液晶显示的基本原理如图1所示,在整个光路中,当光通过下层偏振片时,光由圆偏振光转换成线偏振光,此时有... 详细信息

液晶显示的迅猛发展,推动了人们对于液晶显示的深入研究,其中 LED 背光源以其低功耗、显色指数高、长寿命、无辐射等优点倍受关注。液晶显示的基本原理如图1所示,在整个光路中,当光通过下层偏振片时,光由圆偏振光转换成线偏振光,此时有50%的光被吸收而浪费掉。因此,如何使原本被吸收的50%偏振光被重新利用,就成为当前研究的热点。通过发射膜,线栅等传统方法已经有所报道。

关键词：偏振光稀磁半导体 GaMnN LED

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