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    • 2 篇 化学
  • 2 篇 教育学
    • 2 篇 教育学

主题

  • 8 篇 氮化镓
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  • 6 篇 gan
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机构

  • 42 篇 北京大学
  • 6 篇 北京大学物理学院...
  • 5 篇 人工微结构和介观...
  • 3 篇 河北工业大学
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  • 1 篇 北京大学物理学院...
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  • 1 篇 人工微结构和介观...
  • 1 篇 河海大学
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  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 36 篇 张国义
  • 23 篇 杨志坚
  • 14 篇 沈波
  • 13 篇 胡晓东
  • 12 篇 陈志忠
  • 11 篇 于彤军
  • 9 篇 章蓓
  • 9 篇 杨学林
  • 9 篇 秦志新
  • 7 篇 陈伟华
  • 6 篇 陈志涛
  • 6 篇 徐科
  • 5 篇 桑立雯
  • 5 篇 潘尧波
  • 5 篇 康香宁
  • 4 篇 李睿
  • 4 篇 陆敏
  • 4 篇 陆羽
  • 4 篇 王琦
  • 4 篇 俞大鹏

语言

  • 55 篇 中文
  • 1 篇 英文
检索条件"机构=北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心"
56 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质
GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 沈波 唐宁 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心
AlxGal-xN/GaN 异质结构是一种典型的高导带阶跃、强极化半导体低维量子体系,在高温、高频、高功率电子器件领域有重要应用。与 AlxGal-xAs/GaAs 异质结构相比,AlxGal-xN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)浓度一般高一个数量级,其输运和... 详细信息
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GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED
GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED
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第11届全国发光学学术会议
作者: 张国义 陈志涛 杨学林 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心
液晶显示的迅猛发展,推动了人们对于液晶显示的深入研究,其中 LED 背光源以其低功耗、显色指数高、长寿命、无辐射等优点倍受关注。液晶显示的基本原理如图1所示,在整个光路中,当光通过下层偏振片时,光由圆偏振光转换成线偏振光,此时有... 详细信息
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MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性
MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 杨学林 陈志涛 杨志坚 于彤军 张国义 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心
通过用 MOCVD 方法生长出单晶(Ga,Mn)N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统(SQUID)表明(Ga,Mn)N 材料在温条件下具有明显的铁磁性。光电子能谱(XPS)分析表明由于 Mn 在 GaN 中的受主行为... 详细信息
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MOCVD Mn-delta生长GaN:Mn的结构和磁学性质
MOCVD Mn-delta生长GaN:Mn的结构和磁学性质
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 陈志涛 杨学林 杨志坚 张国义 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心
<正>利用 MOCVD 方法通过 Mn-delta 生长 GaN:Mn 稀磁半导体材料,并研究了此材料的结构和磁学特性。在生长过程中,在每一个 delta 生长周期中,固定 GaN 层的生长时间为45s,而 Mn-delta 层的生长时间分别为5s、15s、30s 和45s。透射电... 详细信息
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三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究
三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 廖辉 陈伟华 李丁 李睿 杨志坚 张国义 胡晓东 人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院
<正>GaN 基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。我们的实验表明,采用 InGaN/GaN 三元和 AlInGaN/GaN 四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,就此本文研究了这两种不同量子阱结构的... 详细信息
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选区生长GaN基LED的研究
选区生长GaN基LED的研究
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 方浩 杨志坚 王彦 桑立雯 赵璐冰 于彤军 沈波 张国义 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心
<正>选区生长作为一项外延技术已经被广泛应用于半导体材料和器件的研究中。近年来,由于Ⅲ族氮化物成为半导体材料研究领域的热点,这项技术也逐渐受到 GaN 基半导体材料研究者们的关注。利用选区生长技术得到的外延结构已经被应用于...
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Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者: 张晓敏 王彦杰 陈伟华 廖辉 杨志坚 张国义 胡晓东 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所
本文通过优化 Mg 流量提高了 p 型 GaN 的电学性能。Hall 测量结果表明 Mg 流量从1.4umol/min 降到0.28umol/min时,p 型 GaN 的电阻率降低了一个数量级,在温下达到了1ohmcm。这种高掺杂情况下空穴浓度随 Mg 流量的增加而降低的现象可... 详细信息
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GaMnN-DMS and Spin-LED
GaMnN-DMS and Spin-LED
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光学及其应用研讨会
作者: 张国义 杨学林 陈志涛 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心
<正>~~
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退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响
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材料研究学报 2006年 第2期20卷 120-124页
作者: 罗浩俊 胡成余 姚淑德 秦志新 北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院 北京100871
在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850~1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀.在离子注入后... 详细信息
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GaN基紫光LED的可靠性研究
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材料研究学报 2006年 第2期20卷 153-155页
作者: 商树萍 于彤军 陈志忠 张国义 北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院 北京100871
测量了GaN 基紫光 LED 的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(温和60℃)下随时间的变化,研究了 LED 的可靠性.结果表明,紫光 LED 的功率在前48h 内迅速衰减,而在48h 后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其 I-V 曲线的变化显... 详细信息
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