检索结果-内蒙古大学图书馆

第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：张振生章蓓徐军任谦杨志坚经光银王琦胡晓东于彤军俞大鹏张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体中心和纳米结构与低维物理实验室(北京)

在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维... 详细信息

在GaN基多层外延膜结构上利用聚焦Ga离子束(FIB)刻蚀技术研制亚微米尺度的空气柱/Ⅲ族-氮化物的二维八重准晶型光子晶体.在相同的离子加速电压条件下,成功地得到占空比10﹪至40﹪、孔径为80nm至1500nm、深度为90nm至370nm的GaN基准二维八重光子准晶阵列.并将其运用于GaN基发光二极管.

关键词： GaN 光子晶体离子束刻蚀

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GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议

作者：陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所(北京)

用MOCVD生长了120周期GaN/AlGaN超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜... 详细信息

用MOCVD生长了120周期GaN/Al<,0.14>Ga<,0.86>N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了生长方向清晰的超晶格,及晶胞周期结构,电子衍射也表明我们生长出了质量较好的超晶格样品.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.我们观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

关键词： GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析线缺陷

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缓冲层对MOCVD生长的氮化镓特性的影响

缓冲层对MOCVD生长的氮化镓特性的影响

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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会

作者：陆敏方慧智黎子兰陆曙杨华章蓓张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心(北京)

本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲层法均有不同程度的改善,实验结果表明改进的缓冲层法能使MOCV... 详细信息

本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽相对常规的单低温缓冲层法均有不同程度的改善,实验结果表明改进的缓冲层法能使MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量提高.

关键词： MOCVD GaN 缓冲层

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MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱LED的稳定性及其与结构特性的关系

MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱LED的稳定性及其与结构特性的关系

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中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议

作者：张国义杨志坚童玉珍胡晓东秦志新陈志忠于彤军丁晓民吴明枋姚淑德周生强北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室(中国北京) 北京大学物理学院技术物理系(中国北京)

本文详细介绍了MOCVD生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光发射二级管(LED)的发射波长,电流/电压,发光强度,反向漏电等性能的稳定性问题的实验研究.结果表明,这些参数在室温长时间使用下,都会发生不同程度的变化.

关键词：多量子阱光发射二极管 MOCVD InGaN/GaN 发射波长发光强度

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In_(0.5)(Ga_(1-x)Al_x)_(0.5)P合金的掺杂生长特性

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发光学报 2002年第5期23卷 469-472页

作者：李忠辉丁晓民于彤军杨志坚胡晓东张国义北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室宽禁带半导体研究中心长春理工大学吉林长春130022

利用LP MOCVD分别生长Zn和Si掺杂的In0 5(Ga1-xAlx) 0 5P外延层 ,研究生长温度、掺杂源流量、Ⅴ/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响。实验结果表明 :降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由 (10 0 )... 详细信息

利用LP MOCVD分别生长Zn和Si掺杂的In0 5(Ga1-xAlx) 0 5P外延层 ,研究生长温度、掺杂源流量、Ⅴ/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长条件对外延层掺杂浓度的影响。实验结果表明 :降低生长温度和Al含量、增加DEZn流量、选择由 (10 0 )向 (111)A偏 6～ 15°的衬底都有利于增加InGaAlP合金中Zn的掺杂浓度 ;提高生长温度和增加SiH4流量、减小Al含量和Ⅴ/Ⅲ比 ,都有助于增加Si掺杂浓度。

关键词：生长特性 InGaAlP LP-MOCVD 掺杂剂掺杂特性铟镓铝磷四元系合金半导体材料外延生长

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氮化物半导体发光材料的新进展

氮化物半导体发光材料的新进展

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第九届全国发光学术会议

作者：张国义章蓓北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

氮化物半导体材料和器件的研究、生产和应用,在经历了近十年的飞速发展,目前形式已经发生了根本性的变化。日本日亚化学公司一枝独秀的金字塔的格局已经被打破,一种新的多极化的全面发展的强劲势头正在形成,应用领域也得到了突飞猛进的... 详细信息

氮化物半导体材料和器件的研究、生产和应用,在经历了近十年的飞速发展,目前形式已经发生了根本性的变化。日本日亚化学公司一枝独秀的金字塔的格局已经被打破,一种新的多极化的全面发展的强劲势头正在形成,应用领域也得到了突飞猛进的发展。尤其是日本、美国、韩国和我国的台湾地区和大陆的进展尤为显著。

关键词：氮化物半导体发光材料激光二极管发光器件量子阱

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