检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2020年第19期69卷 324-347页

作者：潘祚坚陈志忠焦飞詹景麟陈毅勇陈怡帆聂靖昕赵彤阳邓楚涵康香宁李顺峰王琦张国义沈波北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京100871 北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室北京100871 北京大学东莞光电研究院东莞523808

随着显示技术的不断发展,高度微型化和集成化成为显示领域主要的发展趋势.微米发光二极管(lightemitting diode,LED)显示是一种由微米级半导体发光单元组成的阵列显示技术,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和稳定性等... 详细信息

随着显示技术的不断发展,高度微型化和集成化成为显示领域主要的发展趋势.微米发光二极管(lightemitting diode,LED)显示是一种由微米级半导体发光单元组成的阵列显示技术,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和稳定性等方面相比于液晶显示和有机发光二极管显示均具有巨大的优势,应用前景十分广阔,同时也被视为下一代显示技术.目前商用的5G通信技术与显示领域的虚拟现实、增强现实和超高清视频等技术的结合,将进一步推动微米LED显示产业的发展.在面临发展机遇的同时,微米LED显示领域也存在着一些基础科学技术问题需要解决.本文主要总结了微米LED显示从2000年以来的一些研究进展,重点介绍了微米LED显示在外延生长和芯片工艺两方面存在的主要问题和可能的解决方案.在外延生长方面主要介绍了缺陷控制、极化电场控制和波长均匀性等研究进展,芯片工艺方面主要介绍了全彩色显示、巨量转移和检测技术等进展情况,并对微米LED显示在这两方面的发展趋势进行了讨论.

关键词：微米发光二极管显示外延芯片检测

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分子动力学研究SiC材料中的辐照损伤过程

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北京大学学报（自然科学版） 2009年第3期45卷 385-389页

作者：何斌薛建明邹雪晴王宇钢北京大学核物理与核技术国家重点实验室北京100871

利用分子动力学方法模拟了SiC材料的辐照损伤过程,对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中,SiC原子之间的作用势采用Tersoff经验势,入射离子采用了10 keV的Si和200 keV的Au。在200 keV的Au原子入射的情况下,利用iontrac... 详细信息

利用分子动力学方法模拟了SiC材料的辐照损伤过程,对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中,SiC原子之间的作用势采用Tersoff经验势,入射离子采用了10 keV的Si和200 keV的Au。在200 keV的Au原子入射的情况下,利用iontrack模型考虑了电子能损的效应。结果表明电子能损的影响主要体现在级联碰撞过程中移位原子的峰值的增大,对系统稳定后最后的缺陷数量影响不明显,缺陷对个数与核能损仍然保持幂函数的关系。

关键词：分子动力学电子能损辐照损伤 SiC

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激光加速高能质子实验研究进展及新加速方案

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物理学报 2021年第8期70卷 73-87页

作者：马文君刘志鹏王鹏杰赵家瑞颜学庆北京大学核物理与核技术国家重点实验室北京100871 北京激光加速创新中心北京101407 北京大学应用物理研究中心北京100871

利用超强激光与等离子体相互作用来加速高能离子是激光等离子体物理及加速器物理领域的研究热点.经过了近20年的发展,激光离子加速已取得丰硕成果,催生了一批新的应用.本文概述了国内外激光离子加速所取得的标志性实验研究进展,围绕高... 详细信息

利用超强激光与等离子体相互作用来加速高能离子是激光等离子体物理及加速器物理领域的研究热点.经过了近20年的发展,激光离子加速已取得丰硕成果,催生了一批新的应用.本文概述了国内外激光离子加速所取得的标志性实验研究进展,围绕高能质子的产生这一关键问题进行了深入的探讨,介绍了近几年来发展的有潜力的新加速方案.

关键词：激光离子加速激光加速实验结果激光加速方法激光加速器

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6H-SiC辐照点缺陷诱发化学无序的分子动力学分析

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无机材料学报 2020年第8期35卷 889-894页

作者：张修瑜陈晓菲王浩郭寻薛建明北京大学核物理与核技术国家重点实验室北京100871 中国核科技信息与经济研究院北京100048

为配合6H-SiC中化学无序对其导电性能影响的研究,本研究运用经典分子动力学方法,采用LAMMPS软件对6H-SiC的线性级联碰撞过程进行了模拟,给出了在不同能量、不同种类PKA(Primary Knock-on Atom)的情况下,6H-SiC单次线性级联碰撞和多次线... 详细信息

为配合6H-SiC中化学无序对其导电性能影响的研究,本研究运用经典分子动力学方法,采用LAMMPS软件对6H-SiC的线性级联碰撞过程进行了模拟,给出了在不同能量、不同种类PKA(Primary Knock-on Atom)的情况下,6H-SiC单次线性级联碰撞和多次线性级联碰撞过程中主要点缺陷的演化过程,并统计了多次级联碰撞后化学无序的演化和六种点缺陷各自最终所占的比例。结果表明,级联碰撞产生的Si–Si键比C–C键更易形成且更加稳定,Si–Si键主要由SiC反位缺陷形成, C–C键主要由C间隙原子聚集形成, PKA的种类及初始能量影响点缺陷的产额和化学无序的程度,但不影响六种点缺陷各自的占比。

关键词：点缺陷化学无序线性级联碰撞分子动力学辐照

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Ar+CH_4混合气体中电子漂移速率的双栅法测量

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原子能科学技术 2008年第8期42卷 691-696页

作者：张家国张国辉陈金象北京大学物理学院重离子物理研究所和核物理与核技术国家重点实验室北京100871

提出了一种快速、准确测量电子在气体中漂移速率的新方法。通过分析电子在双栅电离室中两个栅极上产生的感应信号波形来确定电子漂移的起止时刻,从而得出电子在一定约化场强下的漂移速率。采用数据采集卡(waveform digitizer)对电离室... 详细信息

提出了一种快速、准确测量电子在气体中漂移速率的新方法。通过分析电子在双栅电离室中两个栅极上产生的感应信号波形来确定电子漂移的起止时刻,从而得出电子在一定约化场强下的漂移速率。采用数据采集卡(waveform digitizer)对电离室的极板信号进行记录。测量了电子在8种混合比例的Ar+CH4气体中漂移速率随约化场强的变化曲线。通过分析实验数据,得到任意混合比例的Ar+CH4气体中电子漂移速率的计算公式。

关键词：电子漂移速率双栅电离室数据采集卡

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基于核脊回归方法预测的中子俘获率在s-过程模拟中的应用

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原子能科学技术 2023年第4期57卷 743-750页

作者：黄天行吴鑫辉北京大学物理学院、核物理与技术国家重点实验室北京100871

慢中子俘获过程(s-过程)产生了自然界中约一半比Fe重的元素,中子俘获率是s-过程研究的关键核物理输入量。近年来,机器学习方法在核物理研究中的应用取得了很大的成功,其中包括了机器学习核脊回归方法对中子俘获率的研究。为了探究机器... 详细信息

慢中子俘获过程(s-过程)产生了自然界中约一半比Fe重的元素,中子俘获率是s-过程研究的关键核物理输入量。近年来,机器学习方法在核物理研究中的应用取得了很大的成功,其中包括了机器学习核脊回归方法对中子俘获率的研究。为了探究机器学习方法对中子俘获率的修正对s-过程研究的影响,本文分别利用修正前后的中子俘获率数据,基于核反应网络进行了s-过程模拟,并对所得s-过程丰度进行了对比分析。结果表明,机器学习对中子俘获率的修正对s-过程模拟所得的丰度分布整体影响较小,但对处于s-过程路径上的个别重要核素的丰度影响可达30%左右。

关键词： s-过程中子俘获率机器学习核脊回归方法

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堆舱可见光-红外监测样机核辐射下成像研究

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核动力工程 2016年第5期37卷 171-173页

作者：周旭华伊雄鹰胥建国高原北京核化安全研究所北京100077 北京大学核物理与核技术国家重点实验室北京100871

在北京大学4.5 MV静电加速器上,通过氘离子束流轰击厚铍靶产生中子与γ射线来模拟堆舱的核辐射环境。在此环境下,考验了堆舱可见光-红外监测样机的CCD可见光成像机芯、热敏电阻型红外成像机芯以及睿星CMOS、CCD成像器件在辐射环境下的... 详细信息

在北京大学4.5 MV静电加速器上,通过氘离子束流轰击厚铍靶产生中子与γ射线来模拟堆舱的核辐射环境。在此环境下,考验了堆舱可见光-红外监测样机的CCD可见光成像机芯、热敏电阻型红外成像机芯以及睿星CMOS、CCD成像器件在辐射环境下的成像性能。实验结果表明:热敏电阻型红外热成像器件的抗核辐射性能优于CCD、CMOS成像器件且适合在堆舱环境中使用;CMOS成像器件的抗辐射性能优于CCD器件,在堆舱中应采用抗核辐射加固的CMOS成像器件作为可见光成像器件;为确保整机运行可靠,还应对控制电路作抗核辐射加固。

关键词：船用核动力装置堆舱红外热成像核辐射

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Duhocamis放电特性之空心阴极与热阴极的协同效应

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中国表面工程 2017年第4期30卷 8-13页

作者：赵渭江付东坡巩玲华杨向军丁杏芳刘克新北京大学重离子物理研究所北京100871 北京大学核物理与核技术国家重点实验室北京100871

Duhocamis(双空心阴极金属离子源)是在GSI间热阴极PIG离子源基础上,利用空心阴极圆筒取代空心阳极圆筒,磁镜场取代均匀磁场的强流金属离子源。通过系列变化空心阴极与间热阴极电源电压的弧放电试验,了解其对离子源工作及金属等离子体形... 详细信息

Duhocamis(双空心阴极金属离子源)是在GSI间热阴极PIG离子源基础上,利用空心阴极圆筒取代空心阳极圆筒,磁镜场取代均匀磁场的强流金属离子源。通过系列变化空心阴极与间热阴极电源电压的弧放电试验,了解其对离子源工作及金属等离子体形成的贡献和影响。试验结果分别给出了空心阴极与间热阴极弧放电特性曲线,它们的弧压对弧流关系具有不同的弧阻抗特性;通过磁分析器对等离子体中各种离子成分比例的分析,进一步显示出空心阴极与间热阴极弧放电两者相互强化和联动的协同效应;尤其空心阴极电位从零开始变化的弧放电试验,揭示了离子源从PIG空心阳极放电向双空心阴极放电转换的过程;协同效应不仅证实空心阴极作为赖以产生金属离子的溅射电极,而且对于确立离子源工作模式与优化产生所需金属离子的放电条件至关重要。

关键词：离子源金属离子束潘宁放电空心阴极

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直流-射频超导光阴极电子枪

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科学通报 2023年第9期68卷 1036-1046页

作者：黄森林刘克新赵夔陈佳洱北京大学核物理与核技术国家重点实验室北京100871 北京大学物理学院重离子物理研究所北京100871

直流-射频超导(direct current-superconducting radio frequency,DC-SRF)光阴极电子枪是由北京大学射频超导加速器实验室提出并发展的一种连续波电子源,可产生MHz及以上重复频率、皮秒至亚皮秒脉冲、Me V能量的电子束.作为一类重要的... 详细信息

直流-射频超导(direct current-superconducting radio frequency,DC-SRF)光阴极电子枪是由北京大学射频超导加速器实验室提出并发展的一种连续波电子源,可产生MHz及以上重复频率、皮秒至亚皮秒脉冲、Me V能量的电子束.作为一类重要的超导型光阴极电子枪,DC-SRF将具有高量子效率的半导体光阴极与射频超导加速腔分离,成功地解决了二者之间的兼容问题,并具有结构紧凑、暗电流低等优点.DC-SRF光阴极电子枪的研发经历了样机、DC-SRF-I及DC-SRF-II三个阶段,其中,DC-SRF-I于2014年实现稳定载束运行,并开展了系列应用实验;DCSRF-II于2021年建成,2022年实现100 p C束团电荷量、1 MHz重复频率的连续波模式运行,暗电流小于1 pA,归一化发射度达到亚mm-mrad级,综合性能指标处于领先地位.本文总结DC-SRF电子枪的研究工作,主要内容包括DCSRF-I电子枪、DC-SRF-II电子枪、光阴极与驱动激光等.

关键词：连续波电子源光阴极电子枪高重复频率电子束直流-射频超导电子枪半导体光阴极光阴极驱动激光

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基于实验与模拟相结合的气体样品(n,α)反应截面测量方法研究

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原子能科学技术 2022年第5期56卷 825-834页

作者：胡益伟崔增琪刘杰白浩帆夏聪江浩雨陈金象张国辉北京大学物理学院重离子物理研究所核物理与核技术国家重点实验室北京100871

建立了一套利用屏栅电离室测量快中子诱发气体样品(n,α)反应截面的方法。针对气体样品测量中存在的样品核数确定、中子注量测量、待测事件挑选等问题,本方法首先利用模拟计算结果选择合适的气体样品有效区域,使得事件区尽量无本底覆盖... 详细信息

建立了一套利用屏栅电离室测量快中子诱发气体样品(n,α)反应截面的方法。针对气体样品测量中存在的样品核数确定、中子注量测量、待测事件挑选等问题,本方法首先利用模拟计算结果选择合适的气体样品有效区域,使得事件区尽量无本底覆盖且易于统计;再利用中子准直器和阴极、阳极信号时间信息,分离并统计样品有效区域产生的事件数;最后利用实验测量的^(238)U(n,f)裂变计数和SuperMC模拟结果,得到有效区域内的中子注量。利用该方法在中子能量为4.71、4.87、5.00、5.12、5.29和5.45 MeV的能点系统地测量了^(14)N(n,α_(0))反应的相对截面,结果与ENDF/B-Ⅷ.0符合良好。

关键词： (n,α)反应屏栅电离室共振截面气体样品

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