检索结果-内蒙古大学图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 2017年第1期29卷 196-210页

作者：崔小乐王文明缪旻金玉丰北京大学深圳研究生院集成微系统科学工程与应用重点实验室深圳518055 北京信息科技大学信息与通信工程学院北京100192

针对"多塔"结构的3D堆叠集成电路(3D-SIC)测试耗时很长的问题,提出一种基于量子粒子群优化的测试调度方法,以缩短测试时间.首先,构造初始粒子群用以表示初始可行解,产生具有量子行为的新粒子,并更新粒子群;然后进行粒子群的... 详细信息

针对"多塔"结构的3D堆叠集成电路(3D-SIC)测试耗时很长的问题,提出一种基于量子粒子群优化的测试调度方法,以缩短测试时间.首先,构造初始粒子群用以表示初始可行解,产生具有量子行为的新粒子,并更新粒子群;然后进行粒子群的迭代进化以获取全局最优解.最小化"终堆"测试时间和集成过程总测试的调度结果均表明,该方法可显著地缩短测试时间;当复杂晶片集成在3D-SIC底层时,"终堆"测试时间较短,而集成过程的总测试时间较长.

关键词： “多塔” 3D-SIC 量子粒子群优化测试调度 “部分堆” “终堆”

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一款精度高、响应速度快的电流检测电路

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北京大学学报（自然科学版） 2009年第2期45卷 204-208页

作者：姜梅王新安马新闻张兴北京大学深圳研究生院信息工程学院集成微系统科学工程与应用重点实验室深圳518055

提出一种应用于电流模的PWMDC-DC转换器系统、利用senseFET作电流检测器件的新颖的电流检测电路。该电路结构简单,易于集成,具有功耗低、频率特性好、响应速度快、不降低电源系统的工作效率等优点。同时,该电路在很大的负载电流范围内... 详细信息

提出一种应用于电流模的PWMDC-DC转换器系统、利用senseFET作电流检测器件的新颖的电流检测电路。该电路结构简单,易于集成,具有功耗低、频率特性好、响应速度快、不降低电源系统的工作效率等优点。同时,该电路在很大的负载电流范围内实现高精度的电流检测功能。芯片利用CSMC0.5μm2p3M3.3V CMOS工艺实现。这款降压芯片能够在1.2～2MHz的频率范围内将输入的2.5～5.5V的直流电源电压转换为1.5V的稳定直流电压输出,完全适用于单节锂电池电源的系统。在50～600mA的负载电流范围内,测试检测电流的精度最高可达到97.75%。

关键词：电流检测电流模 SMPC 共栅放大器检测电阻检测晶体管

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一种片上集成低压高精度电流检测电路

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微电子学 2008年第5期38卷 688-690,696页

作者：姜梅张兴王新安马新文陈红英北京大学深圳研究生院信息工程学院集成微系统科学工程与应用重点实验室广东深圳518055

提出了一种应用于电流模PWM DC-DC转换器的片上集成电流检测电路。它利用检测电阻和检测晶体管的结合,实现电感电流的检测;同时,在I-V转换电路中,运用结构简单的电流镜连接的共栅放大器实现反馈控制。在10～600mA电感电流范围内,都可以... 详细信息

提出了一种应用于电流模PWM DC-DC转换器的片上集成电流检测电路。它利用检测电阻和检测晶体管的结合,实现电感电流的检测;同时,在I-V转换电路中,运用结构简单的电流镜连接的共栅放大器实现反馈控制。在10～600mA电感电流范围内,都可以得到高精度的检测电流,最小检测误差为0.04%。该电路在VTHN=0.735V、|VTHP|=0.941V的0.5μm 1P2M CMOS工艺条件下,电路最低工作电压为1.5V。

关键词：电流检测电路检测电阻检测晶体管共栅放大器

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一种可实现低功耗的CS层槽栅LIGBT结构

一种可实现低功耗的CS层槽栅LIGBT结构

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：刘美华江兴川林信南北京大学深圳研究生院信息工程学院集成微系统科学工程与应用重点实验室广东深圳 518055

针对传统LIGBT存在导通电压较高,导通电阻较大等问题,本文提出了一种新型的载流子储存槽栅横向IGBT(Carrier-Storage Trench-gate Lateral IGBT,CS-TLIGBT)结构.新器件采用槽栅和载流子存储层相结合的结构,通过载流子储存层参数的优化,... 详细信息

针对传统LIGBT存在导通电压较高,导通电阻较大等问题,本文提出了一种新型的载流子储存槽栅横向IGBT(Carrier-Storage Trench-gate Lateral IGBT,CS-TLIGBT)结构.新器件采用槽栅和载流子存储层相结合的结构,通过载流子储存层参数的优化,在不牺牲击穿良好特性的情况下,可以减小开态导通压降和降低开态损耗.

关键词：横向型绝栅双极晶体管载流子存储层槽栅结构

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一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT

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变频技术应用 2013年第5期8卷 55-58页

作者：李志贵江兴川林信南北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室广州深圳518055

绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。本文提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受... 详细信息

绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。本文提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为．情况下，新结构的导通压降相比普通结构可以降低约25％。

关键词： IGBT SP槽栅导通压降模拟

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一种N层插入形成分离P体区的新型槽栅IGBT

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电源技术应用 2014年第4期17卷 12-16页

作者：李志贵江兴川林信南北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室广州深圳518055

绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子技术中应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。文中提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电... 详细信息

绝缘栅双极晶体管（IGBT）在功率电子技术中应用，比如电动机控制和高压开关模式电源等方面具有重要的意义。文中提出了一种新型的IGBT结构，就是在普通IGBT的P体区中插入N层，形成分离的P体区。这种结构导通压降低，同时又保持击穿电压不受影响。在集电极电流密度为5×10-5A／μm情况下，新结构的导通压降比普通结构的器件可以降低约25％。

关键词： IGBT SP槽栅导通压降模拟

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一种集电极双掺杂(CDD)超结IGBT

一种集电极双掺杂(CDD)超结IGBT

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第十二届全国电技术节能学术年会

作者：江兴川吴佳珍李志贵林信南北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室

本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII的区域可以加速器件关断,减小关断损耗.2D器件的开态、关断特性和击穿电压模拟结果表明... 详细信息

本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII的区域可以加速器件关断,减小关断损耗.2D器件的开态、关断特性和击穿电压模拟结果表明,与普通超结IGBT相比,CDD超结IGBT击穿电压从204V增加到329V,有月61.27％提高;同时,关断时间从335ns 减小到170ns,减小了49.3％.CDD超结IGBT相比普通超结IGBT相比,集电极-发射极饱和压降Vce(sat)与关断时间(toff)之间的矛盾有所改善,并且更有效抑制拖尾电流.

关键词：绝缘栅双极晶体管结构表征功能特性技术改造

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一种集电极双掺杂(CDD)超结IGBT

一种集电极双掺杂(CDD)超结IGBT

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2014 电力电子与航天技术高峰论坛

作者：江兴川吴佳珍李志贵林信南北京大学深圳研究生院信息工程学院集成系统科学工程与应用重点实验室深圳 518055

本文提出了一种集电极双掺杂(CDD,Collector Double Doped)超结IGBT,在器件开启的时候,重掺杂为PIII的区域可以提供一个合理的开态电压,轻掺杂为PII的区域可以加速器件关断,减小关断损耗.2D器件的开态、关断特性和击穿电压模拟结果表明,与普通超结IGBT相比,CDD超结IGBT击穿电压从204V增加到329V,有月61.27％提高;同时,关断时间从335ns减小到170ns,减小了49.3％.CDD超结IGBT相比普通超结IGBT相比,集电极-发射极饱和压降Vce(sat)与关断时间(toff)之间的矛盾有所改善,并且更有效抑制拖尾电流.

关键词：绝缘栅双极晶体管结构分析集电极双掺杂技术功率器件

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一种GSM手机发射机数字模块的设计

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通信技术 2010年第8期43卷 97-99,102页

作者：郭玲杨佳宁李挥吴晔谢亨骏深圳职业技术学院电子与信息工程学院广东深圳518055 北京大学深圳研究生院集成微系统科学工程与应用重点实验室广东深圳518055 中国电信股份有限公司深圳分公司广东深圳518048

设计了一种GSM射频芯片的锁相环式直接调制发射机的数字模块,完成了对基带数据的差分编码,高斯滤波,对信道码的处理,多级噪声整形,给锁相环提供分频比,并实现了对发射和接收信道的选择。通过Matlab建模仿真,完成对各个模块的结构设计,通... 详细信息

设计了一种GSM射频芯片的锁相环式直接调制发射机的数字模块,完成了对基带数据的差分编码,高斯滤波,对信道码的处理,多级噪声整形,给锁相环提供分频比,并实现了对发射和接收信道的选择。通过Matlab建模仿真,完成对各个模块的结构设计,通过RTL级代码设计和编写相应的testbench进行功能验证,在Modelsim下进行仿真,实现了预定要求。在实践当中,通过了TSMC0.18μm的CMOS工艺,实现了CHRF06/GSM/E-GSMDCS/PCS射频芯片的发射数字部分的功能。

关键词：全球移动通信发射机高斯频移键控多级噪声整形

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