检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 2007年第z1期28卷 464-466页

作者：包魁章蓓代涛康香宁陈志忠王志敏陈勇北京大学物理学院和宽禁带半导体研究中心微流与纳米技术研究中心人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871 Laboratoire de Photonique et Nanostructures Route de Nozay91460 MarcoussisFrance

为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压... 详细信息

为了进一步提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率,针对倒装焊GaN基发光二极管提出了一个在蓝宝石衬底出光面上引入二维微纳米阵列结构的新构想.根据这一构想,将微结构图形化压印和发光器件的封装有机地结合起来,利用一种简易可行的纳米压印-热硬化性聚合物压印技术,成功地制备出了带有微米级阵列超薄封装结构的LED.结果表明,这种带有微结构阵列LED的输出光强得到了明显增强,1mm×1mm大管芯GaN LED在350mA的直流电注入下的光功率比无微结构的LED提高了60%.这一成功为提高发光二极管的出光强度提供了一个有效的新途径.

关键词： GaN基发光二极管出光效率纳米压印技术微结构

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GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED

GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED

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第11届全国发光学学术会议

作者：张国义陈志涛杨学林北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

液晶显示的迅猛发展,推动了人们对于液晶显示的深入研究,其中 LED 背光源以其低功耗、显色指数高、长寿命、无辐射等优点倍受关注。液晶显示的基本原理如图1所示,在整个光路中,当光通过下层偏振片时,光由圆偏振光转换成线偏振光,此时有... 详细信息

液晶显示的迅猛发展,推动了人们对于液晶显示的深入研究,其中 LED 背光源以其低功耗、显色指数高、长寿命、无辐射等优点倍受关注。液晶显示的基本原理如图1所示,在整个光路中,当光通过下层偏振片时,光由圆偏振光转换成线偏振光,此时有50%的光被吸收而浪费掉。因此,如何使原本被吸收的50%偏振光被重新利用,就成为当前研究的热点。通过发射膜,线栅等传统方法已经有所报道。

关键词：偏振光稀磁半导体 GaMnN LED

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MOCVD法生长(Ga，Mn)N材料的磁学和电子结构特性

MOCVD法生长(Ga，Mn)N材料的磁学和电子结构特性

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：杨学林陈志涛杨志坚于彤军张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

通过用 MOCVD 方法生长出单晶(Ga,Mn)N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统(SQUID)表明(Ga,Mn)N 材料在室温条件下具有明显的铁磁性。光电子能谱(XPS)分析表明由于 Mn 在 GaN 中的受主行为... 详细信息

通过用 MOCVD 方法生长出单晶(Ga,Mn)N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统(SQUID)表明(Ga,Mn)N 材料在室温条件下具有明显的铁磁性。光电子能谱(XPS)分析表明由于 Mn 在 GaN 中的受主行为,随着 Mn 浓度的增加,Ga3d 以及 N1s 的结合能都下

关键词：半导体自旋电子学 (Ga,Mn)N 铁磁性

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MOCVD Mn-delta生长GaN：Mn的结构和磁学性质

MOCVD Mn-delta生长GaN：Mn的结构和磁学性质

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：陈志涛杨学林杨志坚张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

＜正＞利用 MOCVD 方法通过 Mn-delta 生长 GaN:Mn 稀磁半导体材料,并研究了此材料的结构和磁学特性。在生长过程中,在每一个 delta 生长周期中,固定 GaN 层的生长时间为45s,而 Mn-delta 层的生长时间分别为5s、15s、30s 和45s。透射电... 详细信息

＜正＞利用 MOCVD 方法通过 Mn-delta 生长 GaN:Mn 稀磁半导体材料,并研究了此材料的结构和磁学特性。在生长过程中,在每一个 delta 生长周期中,固定 GaN 层的生长时间为45s,而 Mn-delta 层的生长时间分别为5s、15s、30s 和45s。透射电子显微镜（TEM）测量结果表明,在 Mn-delta 层的生

关键词：半导体自旋电子学 (Ga,Mn)N 铁磁性 delta 掺杂

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三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究

三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院

＜正＞GaN 基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。我们的实验表明,采用 InGaN/GaN 三元和 AlInGaN/GaN 四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,就此本文研究了这两种不同量子阱结构的... 详细信息

＜正＞GaN 基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。我们的实验表明,采用 InGaN/GaN 三元和 AlInGaN/GaN 四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,就此本文研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。通过高分辨 X 射线衍射对两种量子阱结构的（000）面作（?）/2theta 扫描测得其卫星峰,进而通过分析得到 AlInGaN/GaN 量子阱中

关键词： AlInGaN/GaN 量子阱 InGaN/GaN 量子阱 XRD RBS TEM

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选区生长GaN基LED的研究

选区生长GaN基LED的研究

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：方浩杨志坚王彦桑立雯赵璐冰于彤军沈波张国义北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

＜正＞选区生长作为一项外延技术已经被广泛应用于半导体材料和器件的研究中。近年来,由于Ⅲ族氮化物成为半导体材料研究领域的热点,这项技术也逐渐受到 GaN 基半导体材料研究者们的关注。利用选区生长技术得到的外延结构已经被应用于...

＜正＞选区生长作为一项外延技术已经被广泛应用于半导体材料和器件的研究中。近年来,由于Ⅲ族氮化物成为半导体材料研究领域的热点,这项技术也逐渐受到 GaN 基半导体材料研究者们的关注。利用选区生长技术得到的外延结构已经被应用于场发射器件,光学波导器什,刻面激光器等研

关键词：

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Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响

Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响

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第十六届全国半导体物理学术会议

作者：张晓敏王彦杰陈伟华廖辉杨志坚张国义胡晓东北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所

本文通过优化 Mg 流量提高了 p 型 GaN 的电学性能。Hall 测量结果表明 Mg 流量从1.4umol/min 降到0.28umol/min时,p 型 GaN 的电阻率降低了一个数量级,在室温下达到了1ohmcm。这种高掺杂情况下空穴浓度随 Mg 流量的增加而降低的现象可... 详细信息

本文通过优化 Mg 流量提高了 p 型 GaN 的电学性能。Hall 测量结果表明 Mg 流量从1.4umol/min 降到0.28umol/min时,p 型 GaN 的电阻率降低了一个数量级,在室温下达到了1ohmcm。这种高掺杂情况下空穴浓度随 Mg 流量的增加而降低的现象可能是由于施主型缺陷 MgV 的自补偿作用造成的。

关键词： p 型 GaN 自补偿掺杂浓度 MOCVD

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GaMnN-DMS and Spin-LED

GaMnN-DMS and Spin-LED

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介观光学及其应用研讨会

作者：张国义杨学林陈志涛北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心

＜正＞～～

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退火对Mg离子注入p-GaN薄膜性能的影响

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材料研究学报 2006年第2期20卷 120-124页

作者：罗浩俊胡成余姚淑德秦志新北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院北京100871

在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质．结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀．在离子注入后... 详细信息

在用 MOCVD 方法生长的 p-GaN 薄膜中注入 Mg 离子,然后在 N_2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了 Mg^+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质．结果表明,离子注入使 GaN 晶体沿着 a 轴和 c 轴方向同时膨胀．在离子注入后的 p-GaN 薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm^(-1)和360 cm^(-1)两个新峰,其强度随着退火温度而变化．这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式．消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的．注入剂量1×10^(14)cm^(-2)是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复．

关键词：无机非金属材料 p—GaN 离子注入拉曼散射

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GaN基紫光LED的可靠性研究

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材料研究学报 2006年第2期20卷 153-155页

作者：商树萍于彤军陈志忠张国义北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室北京大学宽禁带半导体研究中心北京大学物理学院北京100871

测量了GaN 基紫光 LED 的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了 LED 的可靠性．结果表明,紫光 LED 的功率在前48h 内迅速衰减,而在48h 后衰减速率减慢；与光功率的衰减规律相对应,其 I-V 曲线的变化显... 详细信息

测量了GaN 基紫光 LED 的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了 LED 的可靠性．结果表明,紫光 LED 的功率在前48h 内迅速衰减,而在48h 后衰减速率减慢；与光功率的衰减规律相对应,其 I-V 曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加．对载流子的输运机制的分析表明,在 LED 的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED 光功率下降．

关键词：无机非金属材料 GaN 紫光LED 可靠性

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