检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2025年第6期74卷 87-94页

作者：方国全林瀚王思越彭璞方哲宇北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

经过几十年的发展,全息成像已成为展示信息的成熟光学技术.然而,仅通过光的波长和偏振作为信息传递的载体的传统全息技术,在信息传播的安全性和容量方面存在一定的不足.将一种新的光学维度,轨道角动量(orbital angular momentum,OAM),... 详细信息

经过几十年的发展,全息成像已成为展示信息的成熟光学技术.然而,仅通过光的波长和偏振作为信息传递的载体的传统全息技术,在信息传播的安全性和容量方面存在一定的不足.将一种新的光学维度,轨道角动量(orbital angular momentum,OAM),引入全息成像为这些问题提供了一个有效的解决方案.通过使用OAM复用的全息技术进行理论分析和仿真计算,二维图像被加密和存储.然后三维物体被切片为多幅二维图像,通过OAM复用的全息技术被存储于一个相位阵列中,实现了信息存储维度的有效降低,并且经过OAM复用的全息技术被成功复现,因而三维全息被实现.此外,每幅图按照相应拓扑荷进行加密,信息传递的安全性被显著提升.这种具有OAM选择性的全息技术更为安全,信息通量更大,具有广泛的应用潜力.

关键词：轨道角动量全息图 3D 成像

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非线性光学晶体及相位匹配方法研究进展（特邀）

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中国激光 2025年第5期 106-117页

作者：姚光杰李家成刘华展马超杰洪浩刘开辉北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学量子材料科学中心松山湖材料实验室

非线性光学晶体是现代光学基础研究和技术应用的重要组成部分，同时也是锁模激光器、非线性频率转换器和量子光源等设备的核心组件。高性能的光学晶体材料体系一直是相关科研工作者追求的目标。与此同时，适配于光学晶体材料特性的相位... 详细信息

非线性光学晶体是现代光学基础研究和技术应用的重要组成部分，同时也是锁模激光器、非线性频率转换器和量子光源等设备的核心组件。高性能的光学晶体材料体系一直是相关科研工作者追求的目标。与此同时，适配于光学晶体材料特性的相位匹配方法可以有效提高非线性过程的转换效率，是构建光学晶体体系并使之走向实用化的关键。本文总结了不同特征的体材料光学晶体及其对应的相位匹配方法的发展历程，以及近期出现的低维材料光学晶体及其转角相位匹配方法的研究成果。

关键词：非线性光学光学晶体相位匹配低维材料

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拓扑绝缘体高次谐波产生的研究进展

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中国科学:物理学、力学、天文学 2025年第1期55卷 49-66页

作者：张嘉宁刘秀兰杨乐怡彭良友人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学物理学院北京100871 北京量子信息科学研究院北京100193

近年来,随着红外激光技术的进步,高次谐波的研究范围扩展到了固体材料.许多实验和理论工作发现,拓扑绝缘体的高次谐波表现出独特的性质,例如增强的谐波产率、特殊的椭偏依赖性以及圆二色性等.本文回顾了近年来人们在拓扑绝缘体高次谐波... 详细信息

近年来,随着红外激光技术的进步,高次谐波的研究范围扩展到了固体材料.许多实验和理论工作发现,拓扑绝缘体的高次谐波表现出独特的性质,例如增强的谐波产率、特殊的椭偏依赖性以及圆二色性等.本文回顾了近年来人们在拓扑绝缘体高次谐波方面的研究进展,分别介绍了SSH模型(一维体系)、Haldane模型(二维体系)和Z2拓扑绝缘体(三维体系)的高次谐波特性,这些特性源于拓扑相材料的贝里曲率和边界态(表面态)等性质.最后,我们讨论了高次谐波作为探测物质拓扑性的可靠标志的可能性,并展望了未来的研究方向.对拓扑材料高次谐波的研究不仅有助于深入理解固体材料中高次谐波的产生机制,还具备揭示拓扑物性的潜在意义.

关键词：拓扑绝缘体边缘态贝里曲率高次谐波辐射圆二色性椭偏依赖性

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铝镓氮基深紫外发光二极管光提取效率研究进展（特邀）

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中国激光 2025年第5期 61-72页

作者：郎婧许福军王嘉铭葛惟昆沈波北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室北京大学纳光电子前沿科学中心北京大学物理学院量子物质科学协同创新中心

铝镓氮基深紫外发光二极管是Ⅲ族氮化物宽禁带半导体光电子领域的主要发展方向之一，在诸多领域中有着重大需求。但目前器件性能难以满足市场大规模产业应用的需求，而光提取效率是限制性能提升的关键技术瓶颈。介绍了深紫外发光二极管... 详细信息

铝镓氮基深紫外发光二极管是Ⅲ族氮化物宽禁带半导体光电子领域的主要发展方向之一，在诸多领域中有着重大需求。但目前器件性能难以满足市场大规模产业应用的需求，而光提取效率是限制性能提升的关键技术瓶颈。介绍了深紫外发光二极管的发展现状，分析了造成光提取效率低下的关键科学技术问题，梳理了针对各个问题的技术创新和研究进展，展望了未来进一步提升光提取效率的技术路线的发展方向。

关键词：光学器件发光二极管铝镓氮深紫外光光提取效率

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氮化镓基半导体激光器研究及进展（特邀）

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中国激光 2025年第5期 221-235页

作者：曹文彧孟令海雷孟铼李曙琨于果陈焕卿陈伟华胡晓东湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室广西飓芯科技有限责任公司北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室

氮化镓（GaN）基激光二极管（LD）在激光显示、激光制造、可见光通信和量子信息技术等领域中具有广阔的应用前景，是第三代半导体光电子器件研究的前沿方向和产业发展的热点。然而，其性能和可靠性的提升仍面临科学和技术上的挑战。介绍... 详细信息

氮化镓（GaN）基激光二极管（LD）在激光显示、激光制造、可见光通信和量子信息技术等领域中具有广阔的应用前景，是第三代半导体光电子器件研究的前沿方向和产业发展的热点。然而，其性能和可靠性的提升仍面临科学和技术上的挑战。介绍了GaN基LD的发展现状，讨论了制约其性能提升的主要瓶颈问题，总结了研究团队在器件设计和材料外延方面的最新研究进展。研究团队提出了三维六角叠层掩模方法，实现了高位错密度区域的降维；建立了漏电流解析模型，揭示了电子阻挡层的作用机制；利用结晶恢复层提高了超厚多量子阱结构的外延质量，并阐明了其对发光性能的影响机理。这些研究为发展高性能GaN基LD提供了物理依据和技术支撑。最后对未来的研究重点进行了展望。

关键词：氮化镓激光二极管位错降低漏电流多量子阱

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扫描近场光学显微术对InGaP微盘发光模式的研究

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红外与毫米波学报 1999年第3期18卷 219-224页

作者：张宇辛永春朱星凌勇尹彦周赫田章蓓甘子钊北京大学物理系人工微结构与介观物理国家重点实验室

采用反射式扫描近场光学显微技术分别对直径为５μｍ和１０μｍ的图钉式ＩｎＧａＰ光学微盘进行了形貌和光致发光的近场图样测量和研究，并与由常规光学荧光显微镜测得的荧光图象相比较．结果表明ＩｎＧａＰ微盘的近场发光图样不仅反映... 详细信息

采用反射式扫描近场光学显微技术分别对直径为５μｍ和１０μｍ的图钉式ＩｎＧａＰ光学微盘进行了形貌和光致发光的近场图样测量和研究，并与由常规光学荧光显微镜测得的荧光图象相比较．结果表明ＩｎＧａＰ微盘的近场发光图样不仅反映出荧光图象的回音壁模式特征，即沿微盘周界显示为一圈红色亮环，而且证实荧光图像中的红色亮环实际上与更精细的由分立的周期性亮点组成的近场光场分布相对应．结合微盘内部与外部的近场分布可以获得光学微盘中发光模式的重要信息．

关键词：扫描近场光学显微技术微盘型铟镓磷发光模式

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三个新的稳定硅表面及其家族领地

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物理学报 2002年第11期51卷 2567-2574页

作者：李文杰姜金龙周立赵汝光杨威生北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

为了对稳定硅表面进行广泛的搜索 ,利用低能电子衍射 (LEED)研究了 1 3个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面 :Si(1 0　 4　 1 3 ) ,(6　 2　 7) ,(8　 4　 1 1 ) ,(4　 1　 1 0 ) ,(2　 1　 5 ) ,(5　 1　 1 0 ) ,(5　 2　 1 0 ) ... 详细信息

为了对稳定硅表面进行广泛的搜索 ,利用低能电子衍射 (LEED)研究了 1 3个散布在极射投影三角内各处的高指数硅表面 :Si(1 0　 4　 1 3 ) ,(6　 2　 7) ,(8　 4　 1 1 ) ,(4　 1　 1 0 ) ,(2　 1　 5 ) ,(5　 1　 1 0 ) ,(5　 2　 1 0 ) ,(5　 1　5 ) ,(5　 1　 6 ) ,(4　 0　 5 ) ,(1 2　 4　 1 9) ,(1 2　 3　 1 4 )和 (1 2　 3　 1 6 ) .结果发现这些清洁的硅表面都不稳定 ,因为在被充分退火后 ,它们会彻底小面化成为分属一个或几个稳定表面的小面 .提出了一套行之有效的方法 ,使小面化表面的复杂LEED图得以可靠地标定 ,进而确定了全部出现的稳定表面的指数 .除已知的Si(1 5　 3　 2 3 )外 ,还发现三个新的稳定表面 ,即Si(2 0　 4　 2 3 ) ,(3　 1　 4 )和 (3　 1　 7) .

关键词：高指数表面硅铟小面化量子点量子线生长稳定表面低能电子衍射

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飞秒时间分辨近场光学系统实现及其应用

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物理学报 2007年第6期56卷 3630-3635页

作者：李智张家森杨景龚旗煌北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

结合飞秒光脉冲和近场光学显微镜,成功实现了飞秒时间分辨近场光学系统.系统通过高频声光调制和差频锁相探测,极大提高了信噪比并消除了抽运、探测光本底信号,从而在收集模式下测得了飞秒时间分辨的透射光微弱信号变化.同时获得了80nm... 详细信息

结合飞秒光脉冲和近场光学显微镜,成功实现了飞秒时间分辨近场光学系统.系统通过高频声光调制和差频锁相探测,极大提高了信噪比并消除了抽运、探测光本底信号,从而在收集模式下测得了飞秒时间分辨的透射光微弱信号变化.同时获得了80nm的空间分辨和小于200fs的时间分辨测量.利用该实验系统,研究了金纳米结构的热电子弛豫动力学过程,观察到不同位置间热电子弛豫动力学的差异.

关键词：飞秒近场扫描近场光学显微镜飞秒光脉冲金纳米颗粒

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基于电光聚合物的表面等离激元调制器

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物理学报 2008年第9期57卷 5893-5898页

作者：陈建军李智张家森龚旗煌北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

基于电光聚合物,提出了一种结构简单,尺寸小,效率高的表面等离激元(SPP)调制器.该调制器采用M-Z干涉仪结构的金属波导,金属周围是均匀极化后的电光聚合物,通过在金属波导两臂间加电压对聚合物折射率进行调制,折射率调制再通过M-Z干涉仪... 详细信息

基于电光聚合物,提出了一种结构简单,尺寸小,效率高的表面等离激元(SPP)调制器.该调制器采用M-Z干涉仪结构的金属波导,金属周围是均匀极化后的电光聚合物,通过在金属波导两臂间加电压对聚合物折射率进行调制,折射率调制再通过M-Z干涉仪结构转化为对金属波导中SPP强度的调制.通过求解金属波导附近的电场分布,并结合SPP场分布的特点,在理论上说明了这种结构可以通过外加电压有效地调制金属波导输出端SPP的强度,调制所需的半波电压约为2.8 V.

关键词：表面等离激元电光调制电光聚合物

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直流磁控溅射一步法原位制备MgB_2超导薄膜

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物理学报 2002年第2期51卷 406-409页

作者：马平刘乐园张升原王昕谢飞翔邓鹏聂瑞娟王守证戴远东王福仁人工微结构和介观物理国家重点实验室北京大学物理系北京100871

用MgB2 靶 ,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态 ,在SrTiO3 衬底上原位一次性得到了MgB2 超导薄膜 ,其起始转变温度为 32K ,零电阻温度为 15K .

关键词：高温超导体超导薄膜直流磁控溅射二硼化镁 MgB2 制备方法

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