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检索条件"机构=北京工业大学光电子技术实验室"
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基于偏最小二乘法的甲苯荧光光谱温度测量
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光谱学与光谱分析 2025年 第4期45卷 947-952页
作者: 韩明宏 于欣 彭江波 杨超博 曹振 亓金浩 袁勋 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 黑龙江哈尔滨150001 激光空间信息全国重点实验室 黑龙江哈尔滨150001
温度作为流场的重要参数之一,实现流场温度的测量具有重要意义。甲苯作为激光诱导荧光中常用的示踪剂,由于其荧光强度对温度敏感,常用于流场温度测量。甲苯可以用于温度测量的主要原因是其荧光光谱随温度升高产生红移,而目前缺乏直接阐... 详细信息
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“双一流”建设背景下本科生科教融合人才培养模式研究
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高教学刊 2025年 第9期11卷 29-33页
作者: 朱彦旭 王雨涵 费宝亮 李珮阳 李倩 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室 北京100020
随着我国高等教育的不断发展和改革,以及“双一流”建设的推进,培养高质量的本科生已成为教育界和社会各界共同关注的重要议题。该文旨在探索“双一流”建设背景下本科生科教融合的人才培养模式,为高等教育的持续发展提供有益的思考和... 详细信息
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激光视觉引导的智能焊缝识别方法
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激光与红外 2025年 第3期55卷 350-358页
作者: 王梦莹 陆安江 赵文培 李庞跃 姚依莹 马青青 彭熙舜 张正平 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州贵阳550025 西安工业大学光电工程学院 陕西西安710016 贵州省光电子技术与应用重点实验室 贵州贵阳550025
焊缝识别是实现自动化焊接的重要步骤,针对现有焊缝识别算法中缺少可自动识别多种焊缝的高效识别方法的问题,本文提出一种针对多种焊缝类型的激光视觉引导的焊缝识别算法。采用激光视觉系统采集得到焊缝点云图像,通过点云预处理去除无... 详细信息
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衬底散热顶发射垂直腔表面发射激光器研究
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激光与光电子学进展 2025年 第7期 234-239页
作者: 杨春鹏 崔碧峰 冯靖宇 陈中标 郑翔瑞 闫博昭 北京工业大学信息科学技术学院 光电子技术教育部重点实验室
针对传统顶发射垂直腔表面发射激光器(VCSEL)有源区与热沉的距离较远,器件内部导热困难,导致单管及阵列器件的输出功率受限这一问题,提出一种在衬底上制备散热孔的顶发射VCSEL:散热孔位于台面位置正下方,填充高导热率材料使器件... 详细信息
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组合发动机加力燃烧火焰状态光学图像监测方法研究
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推进技术 2025年 第1期46卷 228-236页
作者: 罗雨馨 曹振 彭江波 杨超博 张樱娜 胡斌 朱涛 李晓晖 刘文备 亓金浩 于欣 哈尔滨工业大学航天学院激光空间信息全国重点实验室 黑龙江哈尔滨150001 哈尔滨工业大学航天学院光电子技术研究所 黑龙江哈尔滨150001 中国科学院工程热物理研究所 北京100190 中国科学院大学航空宇航学院 北京100190 江苏中科能源动力研究中心 江苏连云港222069
为防止发动机在运行过程中出现熄火等异常现象,本文报道了一种基于光学图像的非接触式发动机火焰实时在线监测方法,并在组合发动机加力燃烧试验台上开展了试验验证。利用高速相机采集组合发动机加力燃烧内火焰的OH*自发辐射图像,通过... 详细信息
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隧道再生半导体激光器热弛豫积累过程研究
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固体电子学研究与进展 2008年 第1期28卷 91-94页
作者: 张蕾 崔碧峰 沈光地 郭伟玲 刘斌 王智群 北京工业大学光电子技术实验室
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部的热源分布模型。利用有限元方法模拟计算得到了两有源区隧道再生半导体激光器在不同占空比下工作时的热弛豫积累过程。模拟结果表明,芯片达到平衡前的热弛豫积累时间和达到热平衡时的温度均随注入... 详细信息
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焊料空隙对条形量子阱激光器温度分布的影响
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中国激光 2007年 第9期34卷 1203-1207页
作者: 张蕾 崔碧峰 黄宏娟 郭伟玲 王智群 沈光地 北京工业大学光电子技术实验室
针对量子阱半导体激光器建立了内部的热源分布模型,利用有限元方法模拟计算得到了条形量子阱半导体激光器的三维稳态温度分布,分析了芯片与热沉间的焊料空隙对芯片内部稳态温度分布的影响.模拟结果表明焊料空隙的位置和尺寸都将影响到... 详细信息
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p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究
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物理学报 2006年 第3期55卷 1424-1429页
作者: 刘乃鑫 王怀兵 刘建平 牛南辉 韩军 沈光地 北京工业大学北京市光电子技术实验室 北京100022
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与... 详细信息
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具有电流阻挡层的不同GaN基LED的光电特性(英文)
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发光学报 2013年 第7期34卷 918-923页
作者: 郭伟玲 俞鑫 刘建朋 樊星 白俊雪 北京工业大学光电子技术实验室 北京100124
研究对比了InGaN/GaN多量子阱发光二极管中p电极下的不同SiO2电流阻挡层的光电特性。6种样品被分为3组:普通表面、表面粗化、表面粗化+边墙腐蚀。每组都有两种结构,一种具有电流阻挡层,另一种没有电流阻挡层。每组中,具有电流阻挡层的LE... 详细信息
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注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响
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物理学报 2008年 第5期57卷 2959-2965页
作者: 杨浩 郭霞 关宝璐 王同喜 沈光地 北京工业大学北京市光电子技术实验室 北京100022
对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究,理论上从时间、空间变量的速率方程出发,利用空间积分法分析了典型电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs)横模行为的影响,通过实验测试,得到VCSELs的横模光场分... 详细信息
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