检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 396-399页

作者：宋欣原邹德恕张剑铭刘思南沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。

关键词：退火反射率全方位反光镜结构

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低噪声GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器

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光电子．激光 2005年第9期16卷 1018-1020页

作者：邓军王斌韩军李建军沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了... 详细信息

提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP)。在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件。对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好。制备了新结构器件,其噪声只是同结构的常规QWIP的1/3。

关键词：多量子阱红外探测器(QWIP) 隧道补偿电流

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GaN基蓝光发光二极管峰值波长偏移的研究

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半导体光电 2007年第3期28卷 338-341页

作者：林巧明郭霞顾晓玲梁庭郭晶沈光地北京工业大学光电子技术实验室北京100022

通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的... 详细信息

通过对蓝光和红光发光二极管在直流和脉冲电流两种情况下进行变电流测试,对其峰值波长的偏移情况进行了深入的对比分析和研究,指出主要是热效应和极化效应两个因素造成蓝光LED的峰值波长发生偏移,并计算出热效应单独引起峰值波长偏移的温度系数为0.080 7nm/K,In0.2Ga0.8N/GaN发光二极管量子阱中的极化强度为3.765 0 MV/cm;分析还认为电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀也是影响器件峰值波长的一个因素,并计算得到去除极化影响后量子阱中的场强,验证了在电流注入下多量子阱中载流子分布不均匀的结论。

关键词： GaN 发光二极管峰值波长热效应极化

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高迁移率GaAs本征外延层的MOCVD生长

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半导体光电 2002年第6期23卷 412-414页

作者：李建军廉鹏邓军韩军郭伟玲沈光地北京工业大学光电子技术实验室北京100022

通过优化生长条件 ,利用EMCORED12 5MOCVD外延系统 ,制备了高迁移率的GaAs外延层 ,其迁移率在室温下达到了 8879cm2 /V·s,在 77K温度下超过了 130 0 0 0cm2 /V·s。结果表明。

关键词： MOCVD GaAs 迁移率

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应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究

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半导体光电 2005年第3期26卷 232-234,243页

作者：俞波韩军李建军盖红星牛南辉邓军邢艳辉廉鹏沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱。对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1300nm波段的... 详细信息

采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱。对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1300nm波段的新型长波长半导体光电子材料。

关键词：应变量子阱光增益 GaInNAs

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一种与光纤高效耦合的新型大光腔大功率半导体激光器

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物理学报 2007年第7期56卷 3945-3949页

作者：于海鹰崔碧峰陈依新邹德恕刘莹沈光地山东建筑大学济南250101 北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

提出并实现了一种新型多有源区隧道级联大光腔半导体激光器,提高了激光器激射窗口的宽度,得到低于20°的垂直发散角,从而提高了光纤输出的耦合效率.对多种形式和规格的透镜光纤的测试结果表明,耦合效率可以提高30%以上.

关键词：半导体激光器大光腔光纤耦合透镜光纤

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InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究

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半导体光电 2006年第3期27卷 240-243页

作者：刘诗文郭霞艾伟伟宋颖娉顾晓玲张蕾沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温... 详细信息

对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。

关键词：氮化镓蓝光发光二极管理想因子

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AlAs/AlGaAs的湿氧氧化及其在VCSEL制备中的应用

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半导体光电 2003年第5期24卷 341-343,349页

作者：黄静郭霞渠红伟廉鹏朱文军邹德恕沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解... 详细信息

根据制备垂直腔面发射激光器 (VCSEL)电流限制层的需要 ,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响 ,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件 ;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析 ,得到解决或改善方案。比较AlAs和Al0 .98Ga0 .0 2 As氧化特性及氧化后的热稳定性 ,结果表明Al0 .98Ga0 .0 2 As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层。将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备 ,得到室温连续工作的VCSEL器件 ,其阈值电流为 0 .8mA ,激射波长为 980nm ,工作电流为 15mA时输出功率可达 3.2mW。

关键词： VCSEL AlGaAs 氧化

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C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长

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半导体光电 2004年第4期25卷 271-273页

作者：李建军韩军邓军邢艳辉刘莹沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

　以CCl4为掺杂源,利用EMCORED125MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层。通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺CGaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等。

关键词： MOCVD GaAs 掺杂

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半导体激光器结温测试研究

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半导体光电 2007年第2期28卷 183-186,190页

作者：罗丹郭伟玲徐晨舒雄文沈光地北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022

提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温。通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI。其中,由理论计算得到dVf/dT推... 详细信息

提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温。通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI。其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2℃/A。把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI≈29.7℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性。

关键词：半导体激光器结温测试温度系数

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