检索结果-内蒙古大学图书馆

电工技术学报 2009年第8期24卷 106-110页

作者：田波吴郁黄淮胡冬青亢宝位北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室北京100124

提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴... 详细信息

提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用。首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(TB-JFET)和槽栅MOSFET(T-MOSFET)等20V级的功率开关器件在高频应用时的功率损耗进行了比较。仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。仿真结果还表明,在不同工作频率下,常闭型JFET的性能都不如T-MOSFET。样管初步测试结果证明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小45%,与仿真结果相一致。

关键词：槽栅MOSFET 槽栅双极模式JFET 栅漏电容埋氧化物功耗

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超结理论的产生与发展

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微电子学 2006年第1期36卷 75-79,83页

作者：田波程序亢宝位北京工业大学功率半导体器件和功率集成电路研究室北京100022

对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例,介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法;并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。

关键词：超结器件功率半导体器件 COOLMOS^TM 导通电阻击穿电压

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快恢复二极管动态雪崩问题及技术发展

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电力电子技术 2012年第12期46卷 97-99,102页

作者：查祎英吴郁李兴鲁高一星北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室北京100124

综述了硅高压功率快恢复二极管抗动态雪崩技术的发展,包括快恢复二极管发生3种不同程度的动态雪崩的过程和原理,提高了快恢复二极管动态雪崩抗性的技术,完善其原理,并对其优点与不足进行了分析。

关键词：二极管动态雪崩功率器件

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一种新结构IGBT—内透明集电区IGBT

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电力电子 2007年第2期5卷 36-38,35页

作者：李震胡冬青亢宝位北京工业大学功率半导体器件与功率IC研究室

本文对一种新的IGBT结构——"内透明集电区IGBT"(ITC-IGBT)进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层,同时适当降... 详细信息

本文对一种新的IGBT结构——"内透明集电区IGBT"(ITC-IGBT)进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层,同时适当降低高复合层以上P区掺杂浓度。仿真结果表明,无论是穿通型结构(有缓冲层)还是非穿通型结构(无缓冲层)的ITC-IGBT,在器件工作电流范围内都具有饱和电压正温度系数,解决了现有的用外延片制造的PT-IGBT所难以克服的饱和电压负温度系数的缺点,有利于IGBT的并联使用。对于1200V以下的IGBT,该新结构开辟了一种可以避免超薄片操作的简单的制造良好温度性能器件的途径。

关键词： IGBT PT-IGBT NPT-IGBT

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硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展

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电子器件 2009年第3期32卷 538-546页

作者：张彦飞吴郁游雪兰亢宝位北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室北京100124

综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。

关键词：功率器件结终端击穿电压

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超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响

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中国集成电路 2008年第8期17卷 15-21页

作者：田波程序亢宝位北京工业大学功率半导体器件和功率集成电路研究室北京100022

关键词：超结器件功率半导体器件 COOLMOSTM 导通电阻击穿电压

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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比

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中国集成电路 2009年第5期18卷 54-58页

作者：韩峰亢宝位吴郁田波北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的... 详细信息

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。

关键词：沟槽栅e-JFET 沟槽栅MOSFET 功耗

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CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

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电力电子 2006年第1期4卷 47-50页

作者：韩峰亢宝位吴郁田波北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室

关键词：沟槽棚e-JFET 沟槽棚MOSFET 功耗

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不同碰撞电离模型对击穿电压仿真的影响

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电力电子 2013年第3期11卷 38-40,18页

作者：魏峰吴郁吴立成周东海李立北京工业大学功率半导体器件实验室

半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱... 详细信息

半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

关键词：场环场板多级场板击穿电压碰撞电离驱动场

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一种施密特触发器型压控振荡器的设计与仿真

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电子科技 2014年第4期27卷 58-59,63页

作者：穆辛周新田张慧慧金锐刘钺杨吴郁北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室北京100124

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,... 详细信息

传统施密特型压控振荡器存在输入电压下限值较高、最高振荡频率较低等缺点。针对这两个问题,文中介绍了一种具有新型充放电电路结构的施密特型压控振荡器,并在0.18μm工艺下对电路进行了仿真。结果表明,相对于传统施密特型压控振荡器,新型振荡器输入电压下限值有所下降,且最高振荡频率也有明显提升。

关键词：输入电压振荡频率压控振荡器

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