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文献类型

  • 10 篇 期刊文献
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馆藏范围

  • 11 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 11 篇 工学
    • 9 篇 电子科学与技术（可...
    • 8 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 光学工程
    • 1 篇 电气工程

主题

  • 4 篇 击穿电压
  • 3 篇 功耗
  • 2 篇 导通电阻
  • 2 篇 超结器件
  • 2 篇 功率器件
  • 2 篇 功率半导体器件
  • 1 篇 金属氧化物半导体...
  • 1 篇 碰撞电离
  • 1 篇 场环场板
  • 1 篇 槽栅mosfet
  • 1 篇 输入电压
  • 1 篇 npt-igbt
  • 1 篇 埋氧化物
  • 1 篇 pt-igbt
  • 1 篇 多级场板
  • 1 篇 驱动场
  • 1 篇 槽栅双极模式jfet
  • 1 篇 二极管
  • 1 篇 coolmostm
  • 1 篇 coolmos^tm

机构

  • 11 篇 北京工业大学

作者

  • 7 篇 吴郁
  • 7 篇 亢宝位
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  • 3 篇 wu yu
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  • 2 篇 韩峰
  • 2 篇 tian bo
  • 2 篇 kang bao-wei
  • 2 篇 cheng xu
  • 1 篇 gao yi-xing
  • 1 篇 张慧慧
  • 1 篇 zhang huihui
  • 1 篇 zhang yanfei
  • 1 篇 吴立成
  • 1 篇 魏峰
  • 1 篇 周新田
  • 1 篇 黄淮
  • 1 篇 mu xin
  • 1 篇 zhou xintian

语言

  • 11 篇 中文
检索条件"机构=北京工业大学功率半导体器件研究室"
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功率MOSFET概述
功率MOSFET概述
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
作者： 胡冬青 北京工业大学功率半导体器件研究室 北京100124
本文介绍了低压MOSFET的结构、工艺、性能分析了硅高压VDMOS技术发展的两个阶段：1998年之前，主要侧重平面DMOS结构优化;1998年开始，引入超结(SJ)技术。文中综述了国际上功率MOSFET 30多年的发展简介，中国功率MOSFET产业的发展也很... 详细信息
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