检索结果-内蒙古大学图书馆

高教学刊 2025年第9期11卷 29-33页

作者：朱彦旭王雨涵费宝亮李珮阳李倩北京工业大学光电子技术教育部重点实验室北京100020

随着我国高等教育的不断发展和改革,以及“双一流”建设的推进,培养高质量的本科生已成为教育界和社会各界共同关注的重要议题。该文旨在探索“双一流”建设背景下本科生科教融合的人才培养模式,为高等教育的持续发展提供有益的思考和... 详细信息

随着我国高等教育的不断发展和改革,以及“双一流”建设的推进,培养高质量的本科生已成为教育界和社会各界共同关注的重要议题。该文旨在探索“双一流”建设背景下本科生科教融合的人才培养模式,为高等教育的持续发展提供有益的思考和借鉴。该文通过对“双一流”高校本科生人才培养模式的现存问题进行剖析,提出具有针对性和可行性的基于科教融合理念的人才培养模式,并且运用CIPP评价模式构建对这种新型人才培养模式的评价模型,对“双一流”高校本科生人才培养方案的改革和创新具有参考价值,有利于推动高等教育质量提升、促进经济社会发展。

关键词：双一流本科教育人才培养科教融合 CIPP模型

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衬底散热顶发射垂直腔表面发射激光器研究

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激光与光电子学进展 2025年第7期 234-239页

作者：杨春鹏崔碧峰冯靖宇陈中标郑翔瑞闫博昭北京工业大学信息科学技术学院光电子技术教育部重点实验室

针对传统顶发射垂直腔表面发射激光器（VCSEL）有源区与热沉的距离较远，器件内部导热困难，导致单管及阵列器件的输出功率受限这一问题，提出一种在衬底上制备散热孔的顶发射VCSEL：散热孔位于台面位置正下方，填充高导热率材料使器件... 详细信息

针对传统顶发射垂直腔表面发射激光器（VCSEL）有源区与热沉的距离较远，器件内部导热困难，导致单管及阵列器件的输出功率受限这一问题，提出一种在衬底上制备散热孔的顶发射VCSEL：散热孔位于台面位置正下方，填充高导热率材料使器件内部产生的热能快速导出，以保证芯片整体在形成机械支撑的同时提高散热能力。仿真对比表明：带有散热孔的VCSEL器件热翻转功率为9.54 mW，比无散热孔的VCSEL器件热翻转功率高36.4%。实验制备氧化孔径为12μm的VCSEL器件，在脉冲宽度为60μs、占空比为0.6%的工作电流下进行测试，带有散热孔的VCSEL的峰值功率为9.59 mW，比无散热孔的VCSEL峰值功率（7.34 mW）提升31%。

关键词：垂直腔表面发射激光器顶发射衬底高温散热

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p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

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物理学报 2006年第3期55卷 1424-1429页

作者：刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与... 详细信息

采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.

关键词： Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积

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注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响

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物理学报 2008年第5期57卷 2959-2965页

作者：杨浩郭霞关宝璐王同喜沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究,理论上从时间、空间变量的速率方程出发,利用空间积分法分析了典型电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs)横模行为的影响,通过实验测试,得到VCSELs的横模光场分... 详细信息

对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究,理论上从时间、空间变量的速率方程出发,利用空间积分法分析了典型电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs)横模行为的影响,通过实验测试,得到VCSELs的横模光场分布情况,并与理论分析进行对比,得出相应的实验结果,在氧化孔径不变的情况下,随着注入电流的增加,载流子分布从有源区中心向边缘移动,模式从低阶基模向高阶模转变,并发生了较强的模式竞争以及载流子空间烧孔效应,最终导致基模强度的降低.另一方面,通过比较不同注入孔径下高阶模的发生时刻,得出越小的注入孔径,注入强度越低的时候,VCSELs更易实现单横模工作的实验结果.

关键词：横模垂直腔面发射激光器空间烧孔现象模式竞争

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GaN基多量子阱发光二极管的极化效应和载流子不均匀分布及其影响

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物理学报 2007年第8期56卷 4977-4982页

作者：顾晓玲郭霞吴迪徐丽华梁庭郭晶沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的... 详细信息

制备了GaN基绿光发光二极管.利用耦合法求解了在自发极化和压电极化效应影响下的GaN/InGaN量子阱的极化电场强度.考虑载流子在量子阱间的不均匀分布,模拟计算了系统的一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程,得到了载流子在各个阱间的分布比值和辐射复合速率.同时还得到了不同电流下电致发光(EL)谱的峰值波长、谱峰半高宽及EL谱强度的变化情况.发现当测试电流由10mA增加到70mA时,理论结果与实验结果能很好符合.

关键词：极化载流子不均匀分布复合速率

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金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用

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中国机械工程 2005年第Z1期16卷 419-421页

作者：赵林林徐晨杨道虹霍文晓赵慧沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022 北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022 北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022 北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022 北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022 北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形... 详细信息

利用硅微机械加工技术制备微机械Golay-cell红外探测器硅可动敏感薄膜,探测器气室由带薄膜结构硅片与带孔结构硅片键合密闭形成,气室中敏感气体吸收红外辐射而膨胀,使硅膜产生形变,借助硅膜电极板与金属电极板形成的平行板电容反映该形变变化量.运用Si/Ti/Au/Au/Ti/Si实现对探测器的金/硅共晶键合封装,形成气室,制备出探测器样品并初步得到响应.该键合方法能够进行选择区域键合,实验证明键合强度达到体硅强度.

关键词：微机电系统红外探测器金/硅共晶键合

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GaN基双波长发光二极管电致发光谱特性研究

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物理学报 2007年第9期56卷 5531-5535页

作者：顾晓玲郭霞梁庭林巧明郭晶吴迪徐丽华沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值... 详细信息

通过同时调节同一有源区内不同阱层和垒层的In组分,制备了GaN基单有源区蓝、绿光双波长发光二极管(LED).实现了20mA下蓝、绿光同时发射.实验发现随注入电流由10mA增大到60mA,电致发光(EL)谱中绿光峰强度相对于蓝光峰强度不断增强,峰值波长蓝移也更加明显.同时考虑极化效应和载流子不均匀分布的影响,通过对一维薛定谔方程、稳态速率方程和泊松方程的联立自洽求解.分析了测试电流下蓝、绿光EL谱峰值波长和功率的变化情况.发现理论结果与实验结果有很好地符合.

关键词：极化载流子不均匀分布双波长

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电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响

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物理学报 2007年第10期56卷 6003-6007页

作者：张剑铭邹德恕徐晨顾晓玲沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基... 详细信息

在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基倒装LED.通过比较这两种不同电极结构的GaN基倒装大功率LED的电、光性能,发现在350mA正向电流下,插指电极结构的倒装大功率GaN基LED的正向电压为3.35V,比环形插指电极结构的倒装大功率GaN基LED高0.15V.尽管环形插指电极结构GaN基LED的发光面积略小于插指电极结构GaN基LED,但在大电流下,环形插指电极结构倒装GaN基LED的光输出功率比插指电极结构的倒装大功率LED的光输出功率大.并且在大电流下,环形插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和速度慢,而插指电极结构的倒装大功率LED光输出功率饱和明显.这说明优化电极结构能提高电流扩展均匀性,减小焦耳热的产生,改善GaN基LED的性能.

关键词： GaN 发光二极管电极结构大功率

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大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器

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物理学报 2004年第7期53卷 2150-2153页

作者：崔碧峰李建军邹德恕廉鹏韩金茹王东凤杜金玉刘莹赵慧敏沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化... 详细信息

提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构 ,并制备出器件 ,其垂直发散角为 2 0°,阈值电流密度为 2 77A cm2 ,斜率效率在未镀膜时达到 0 80W A .

关键词：半导体激光器大光腔隧道再生发散角砷镓铟砷化镓砷镓铝

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Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

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物理学报 2007年第2期56卷 1036-1040页

作者：李彤王怀兵刘建平牛南辉张念国邢艳辉韩军刘莹高国沈光地北京工业大学北京市光电子技术实验室北京100022

采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺... 详细信息

采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.

关键词：氮化镓 LEDs MOCVD Delta掺杂

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