检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：陈欣林蓉芬宋海峰商红慧高兴誉孙强王丽芳 100083 北京市海淀区花园路6号

本发明提供了一种基于异构多核处理器的多层神经网络计算方法及装置，涉及神经网络技术领域，该方法包括：将各从核的内存划分为计算区域和存储区域，获取神经网络参数，将神经网络参数分布式存储至各从核的存储区域中；控制从核从主内... 详细信息

标准号: CN115526302B

本发明提供了一种基于异构多核处理器的多层神经网络计算方法及装置，涉及神经网络技术领域，该方法包括：将各从核的内存划分为计算区域和存储区域，获取神经网络参数，将神经网络参数分布式存储至各从核的存储区域中；控制从核从主内存中读取输入数据，并将输入数据存储至计算区域中；控制从核基于存储区域中存储的神经网络参数及输入数据在计算区域中进行神经网络计算，并将计算得到的输出数据存入主内存中。本发明通过将神经网络参数分布式存储至从核中，无需在每层神经网络计算时与主内存进行数据交互，大大减少了从核与主内存的数据交互次数，减少了从核与主内存的数据交互时间，节约了计算时间，提升了计算效率。

关键词：从核主内存神经网络参数存储区域计算区域数据交互神经网络计算分布式存储计算方法及装置读取输入数据多层神经网络神经网络技术输入数据存储多核处理器计算效率输出数据异构内存存储节约

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计算温稠密物质状态方程的路径积分蒙特卡洛方法

计算温稠密物质状态方程的路径积分蒙特卡洛方法

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作者：张其黎刘海风李琼赵艳红宋红州张弓木 100083 北京市海淀区花园路6号

本发明公开了一种计算温稠密物质状态方程的路径积分蒙特卡洛方法，采用改进后的交换矩阵元形式，计算得到的交换作用能会随着节点数n+1增加而收敛；计算中会随着温度和密度的变化确定虚时节点数，使得计算结果的收敛性一致，有利于Hugo... 详细信息

标准号: CN116541642A

本发明公开了一种计算温稠密物质状态方程的路径积分蒙特卡洛方法，采用改进后的交换矩阵元形式，计算得到的交换作用能会随着节点数n+1增加而收敛；计算中会随着温度和密度的变化确定虚时节点数，使得计算结果的收敛性一致，有利于Hugoniot状态和声速等导出量的计算；对周期条件下长程势的计算在程序实现上更简单，不会增加额外的计算量，且在降低尺寸效应影响方面与现有技术相当。

关键词：变化确定程序实现尺寸效应稠密物质交换矩阵周期条件状态方程计算量节点数收敛性点数长程收敛交换改进

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基于pin-by-pin模型的压水堆生产同位素模拟方法及系统

基于pin-by-pin模型的压水堆生产同位素模拟方法及系统

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作者：史敦福刘鹏邓力付元光李瑞李刚张宝印秦桂明马彦王鑫 100088 北京市海淀区花园路6号

本发明提供的基于pin‑by‑pin模型的压水堆生产同位素模拟方法及系统，通过建立反应堆中的与每个组件的燃料棒和靶件的几何结构相同的几何体，从而考虑了靶件的结构对活化计算的结果的影响，同时，对靶件核素分布的计算同时结合输运模型... 详细信息

标准号: CN109670239B

本发明提供的基于pin‑by‑pin模型的压水堆生产同位素模拟方法及系统，通过建立反应堆中的与每个组件的燃料棒和靶件的几何结构相同的几何体，从而考虑了靶件的结构对活化计算的结果的影响，同时，对靶件核素分布的计算同时结合输运模型、热工水力模型和燃耗模型，消除了目前仅仅通过燃耗模型计算靶件导致不能考虑靶件的自屏蔽效应以及靶件吸收中子后对反应堆该区域功率和中子通量的影响，提高了靶件比活度的计算精度。

关键词：靶件反应堆燃耗几何结构模型计算区域功率水力模型中子通量比活度几何体燃料棒同位素自屏蔽对靶活化热工输运吸收生产

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一种高密度等离子体离子源的扩张杯式扩散和离子引出系统构型

一种高密度等离子体离子源的扩张杯式扩散和离子引出系统构型

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作者：张芳董志伟孙会芳 100094 北京市海淀区丰豪东路2号院

本发明公开了一种高密度等离子体离子源的扩张杯式扩散和离子引出系统构型，包括：等离子体生成区、扩张杯和离子流引出输运系统结构；其中所述扩张杯连接等离子体生成区，利用扩张杯壁面排布的电极施加侧向电压场，使得等离子体生成区... 详细信息

标准号: CN111584337B

本发明公开了一种高密度等离子体离子源的扩张杯式扩散和离子引出系统构型，包括：等离子体生成区、扩张杯和离子流引出输运系统结构；其中所述扩张杯连接等离子体生成区，利用扩张杯壁面排布的电极施加侧向电压场，使得等离子体生成区的等离子体在向扩张杯喷射扩散过程中实现目标离子和杂质离子的角向空间分离；并在目标离子的高占比区域开设引出口，连接所述离子流引出输运系统结构，以引出高纯度目标离子后加速输运到靶，进行束靶互作用。本发明相对于传统扩张杯无电压施加的离子轴向引出系统，能够输运到靶的目标离子束流的占比更高，大大提高了等离子体源的目标离子的引出和到靶纯度，有效提升了离子源的应用范围和使用性能。

关键词：目标离子等离子体生成区输运系统离子流离子源输运等离子体高密度等离子体侧向离子引出系统扩散等离子体源电压施加空间分离使用性能引出系统杂质离子电压场高纯度引出口电极杯壁杯式杯无构型角向排布束流轴向离子喷射施加应用

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氮气火花开关击穿机制的理论和数值研究

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物理学报 2021年第1期70卷 319-328页

作者：孙强周前红宋萌萌杨薇董烨北京应用物理与计算数学研究所北京100094 中国工程物理研究院研究生院北京100088

三电极气体火花开关带有触发极,相比两电极开关,其开关导通的可控性较高,工作电压较低且抖动小,所以气体火花开关中三电极开关的应用较为广泛.本文针对大气压氮气环境下的两电极开关和三电极开关的击穿机制进行了理论与数值模拟研究.通... 详细信息

三电极气体火花开关带有触发极,相比两电极开关,其开关导通的可控性较高,工作电压较低且抖动小,所以气体火花开关中三电极开关的应用较为广泛.本文针对大气压氮气环境下的两电极开关和三电极开关的击穿机制进行了理论与数值模拟研究.通过理论和数值计算发现,对于平板-平板的两电极开关来说,低电压下(小于6.3 kV)无法产生流注击穿,高电压下(大于6.3 kV)会先形成由阴极到阳极的负流注,然后再形成由阳极向阴极的正流注.而在三电极开关的击穿过程中,首先会在触发极和绝缘体之间发生击穿,然后这个通道不断向阴阳极扩展,最终形成阴阳极之间的电弧通道.在本文的计算工况下,如果需要阴极-触发极、阳极-触发极同时击穿的话,其阴极-触发极之间的外加电压需要大于1.18 kV,而阳极-触发极之间的外加电压需要大于3 kV.当考虑触发极的场致发射后,该击穿阈值可以显著降低.

关键词：气体火花开关流注击穿触发极氮气

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热稠密等离子体中Fe25+离子光电离截面的低能特征

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物理学报 2025年

作者：路思梅周福阳高翔吴勇王建国复旦大学现代物理研究所北京应用物理与计算数学研究所计算物理全国重点实验室陕西师范大学物理与信息技术学院北京大学应用物理与技术研究中心

采用原子态分辨（Atomic-state-dependent， ASD）屏蔽模型，研究了热稠密等离子体中Fe25+离子光电离截面的低能特征。等离子体屏蔽会减弱核和束缚电子之间的相互作用，导致束缚电子逐渐进入连续态。对于光电离过程，屏蔽效应改变束缚... 详细信息

采用原子态分辨（Atomic-state-dependent， ASD）屏蔽模型，研究了热稠密等离子体中Fe25+离子光电离截面的低能特征。等离子体屏蔽会减弱核和束缚电子之间的相互作用，导致束缚电子逐渐进入连续态。对于光电离过程，屏蔽效应改变束缚和连续电子的波函数，进一步改变重叠积分和跃迁矩阵元，最终引起截面出现低能特征。相比于传统的德拜模型，ASD模型进一步考虑了电子简并效应和非弹性碰撞过程的影响，能够更加准确的描述温热稠密等离子体的屏蔽效应。基于ASD模型，研究发现，低能阈值区，截面服从Wigner阈值定律；能量逐渐增大时截面出现低能增强、势形共振、Cooper极小、Combet-Farnoux极小等低能特征，导致对应能区的截面显著增加或减小，继而改变光电子谱的性质。本工作研究了热稠密等离子体中离子的光电离过程，可以为天体和实验室中热稠密等离子体的研究提供理论和数据支持。

关键词：原子态分辨屏蔽模型光电离截面等离子体屏蔽

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激光聚变黑腔腔壁结构及黑腔

激光聚变黑腔腔壁结构及黑腔

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作者：蓝可陈耀桦曹辉李波樊元成杨蕤生许晶 100094 北京市海淀区丰豪东路2号

本发明实施例中公开了一种激光聚变黑腔腔壁结构及黑腔。其中，预先将黑腔腔壁划分为光斑区和非光斑区；所述光斑区为腔壁上的激光打击区；所述腔壁结构包括：设置在所述光斑区的用以增加所述光斑区面积的多个凹孔结构和/或多个凸起结... 详细信息

标准号: CN114093528B

本发明实施例中公开了一种激光聚变黑腔腔壁结构及黑腔。其中，预先将黑腔腔壁划分为光斑区和非光斑区；所述光斑区为腔壁上的激光打击区；所述腔壁结构包括：设置在所述光斑区的用以增加所述光斑区面积的多个凹孔结构和/或多个凸起结构；其中，所述多个凹孔结构具有相同或不同的几何参数；所述多个凸起结构具有相同或不同的几何参数。本发明实施例中的技术方案能够降低激光等离子体不稳定性，提高激光吸收效率。

关键词：光斑区黑腔几何参数腔壁结构凸起结构凹孔腔壁激光等离子体激光吸收效率不稳定性激光聚变打击区激光

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电子散射和能量分配方式对电子输运系数的影响

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物理学报 2021年第13期70卷 212-221页

作者：宋萌萌周前红孙强张含天杨薇董烨北京应用物理与计算数学研究所北京100094 中国工程物理研究院研究生院北京100088

电子输运系数是确保低温等离子体建模准确性的关键因素,通过模拟电子的输运过程可对其数值求解.在模拟电子输运时,电子和中性粒子碰撞后的散射和能量分配方式有多种处理方法.为了研究不同处理方法对电子输运系数的影响,本文基于蒙特卡... 详细信息

电子输运系数是确保低温等离子体建模准确性的关键因素,通过模拟电子的输运过程可对其数值求解.在模拟电子输运时,电子和中性粒子碰撞后的散射和能量分配方式有多种处理方法.为了研究不同处理方法对电子输运系数的影响,本文基于蒙特卡罗碰撞方法,建立了电子输运系数的计算模型,模拟约化电场10-1000 Td(1 Td=10^(-21) V·m^(2))氢原子气中的电子输运过程.计算结果表明,各向同性假设对电子输运系数的影响随电场强度增加而增加,但即使对于较低的约化电场(10 Td),各向异性散射假设下电子的平均能量、通量迁移率和通量扩散系数也分别比各向同性假设下的值高38.34%,17.38%和119.18%.不同的能量分配方式对中高电场强度下(>200 Td)的电子输运系数影响较为显著.在高电场时,均分法计算得出的电子平均能量、通量迁移率和通量扩散系数均小于零分法对应的值,汤森电离系数则相反.Opal法得出的电子输运系数介于均分法和零分法之间.此外,考虑各向异性散射时,不同能量分配方式对输运系数的影响高于各向同性.本研究表明,在计算电子输运系数时需要考虑各向异性的电子散射,高电场条件下尤其要注意能量分配方式的选择.

关键词：电子散射能量分配电子输运系数蒙特卡罗碰撞

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全纤化相干合成实现高稳定性近单模万瓦激光输出

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中国激光 2023年第3期50卷 204-205页

作者：李雨薇刘玙谢亮华李克洪邓安琪吴文杰舒强赵鹏飞柯伟伟陶汝茂林宏奂王建军景峰中国工程物理研究院激光聚变研究中心四川成都621001 北京应用物理与计算数学研究所北京100088

近年来,基于空间光路的相干合成技术得到快速发展,2020年,德国耶拿大学报道了12通道脉冲激光相干合成,输出平均功率达到10.4 kW;同年,以色列Civan公司报道了32通道连续激光相干合成,合成总功率达到16 kW;2021年,中国国防科技大学基于19... 详细信息

近年来,基于空间光路的相干合成技术得到快速发展,2020年,德国耶拿大学报道了12通道脉冲激光相干合成,输出平均功率达到10.4 kW;同年,以色列Civan公司报道了32通道连续激光相干合成,合成总功率达到16 kW;2021年,中国国防科技大学基于19通道光纤激光器,实现了20 kW相干合成输出。全纤化相干合成是基于全纤化合束器和主动相位控制实现的全光纤结构激光合成方式,兼具紧凑轻量、抗环境扰动、无杂散光、光束质量好以及光谱纯度高等独特优势,对实现超高亮度激光光源具有重要的科学价值和工程应用意义。然而,全纤化相干合成的关键器件全纤化合束器长期未能解决光束模式畸变退化、器件局域发热烧毁等难题,导致合成功率一直停留在百瓦水平。

关键词：相干合成光纤激光器激光输出光谱纯度光束质量激光光源关键器件国防科技大学

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一种计算非均质材料等效断裂韧度的能量方法

一种计算非均质材料等效断裂韧度的能量方法

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北京力学会第三十一届学术年会

作者：徐云陈军北京应用物理与计算数学研究所

非均质复合材料等效断裂韧度的预测是材料及力学领域一个重要且具有挑战性的问题。等效断裂韧度对于材料各个组分弹性性质的依赖关系尚不清楚。本报告发展了一种计算等效断裂韧度的能量方法,将Eshelby等效夹杂模型推广到了非均质情形,... 详细信息

非均质复合材料等效断裂韧度的预测是材料及力学领域一个重要且具有挑战性的问题。等效断裂韧度对于材料各个组分弹性性质的依赖关系尚不清楚。本报告发展了一种计算等效断裂韧度的能量方法,将Eshelby等效夹杂模型推广到了非均质情形,通过表征材料各个组分弹性性质的影响机制,建立了均匀化局部能量与等效断裂韧度之间的关联。针对非均质复合材料,推导了一个简单准确的等效断裂韧度解析计算公式。它是材料不同组分断裂韧度的一个加权非线性组合,输入参数为各组分体积占比、弹性模量和断裂韧度等材料已知量。采用该公式计算了混凝土和金属玻璃两种材料的等效断裂韧度,与实验观测结果吻合很好。该方法为研究材料韧化机制及设计新型材料提供了理论基础。研究表明弹性非均匀性主导了等效断裂韧度,印证了材料结构决定材料性能的观点。

关键词：非均质材料等效断裂韧度 Eshelby夹杂理论弹性模量均匀化方法

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