检索结果-内蒙古大学图书馆

计算物理 2018年第2期35卷 138-150页

作者：孟续军王瑞利北京应用物理与计算数学研究所

通过含温有界原子模型,给出基于35种交换关联势形式,计算等离子体电子状态方程不确定度的方法.设计一种快速粗估不确定度的方法,并在TF模型中进行检验.以金为例,计算温度从1.0 eV-10 000.0 eV、密度为1.0、10.0、100.0 g·cm^-3的... 详细信息

通过含温有界原子模型,给出基于35种交换关联势形式,计算等离子体电子状态方程不确定度的方法.设计一种快速粗估不确定度的方法,并在TF模型中进行检验.以金为例,计算温度从1.0 eV-10 000.0 eV、密度为1.0、10.0、100.0 g·cm^-3的电子总能量、压强、离化度的不确定度和拟真值.计算结果可为工程设计提供参考.

关键词：电子状态方程不确定度原子结构

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不同喷压比下欠膨胀射流对特征频率激励的响应

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推进技术 2019年第6期40卷 1239-1246页

作者：李晓鹏周蕊庄法坤曹逻炜谢国山范学军中国特种设备检测研究院北京100029 北京应用物理与计算数学研究所计算物理重点实验室北京100094 中国科学院力学研究所高温气体动力学国家重点实验室北京100190

为了揭示欠膨胀激励射流的流动机理,以及考察不同喷压比下射流对相同激励的流动响应,采用大涡模拟方法,对喷压比NPR=5.60和9.34的欠膨胀定常射流和激励射流进行了三维数值计算。激励频率为定常射流中固有的轴对称频率fe=14.569kHz,激励... 详细信息

为了揭示欠膨胀激励射流的流动机理,以及考察不同喷压比下射流对相同激励的流动响应,采用大涡模拟方法,对喷压比NPR=5.60和9.34的欠膨胀定常射流和激励射流进行了三维数值计算。激励频率为定常射流中固有的轴对称频率fe=14.569kHz,激励形式为在射流喷管入口处施以正弦压力扰动。结果表明,特征频率激励影响射流的声场特征,缩小射流核心区的范围,减少射流近场的激波胞格数目,并影响射流气体与环境空气的混合。同时,激励射流的特征频率转变为激励频率及其高阶倍频,激励射流的主不稳定模态均为轴对称模态。其中,NPR=9.34的欠膨胀射流的主不稳定模态和外加压力扰动的形式相一致,射流与外加激励发生了更加剧烈的流动耦合和响应。这使得在NPR=9.34时,射流核心区长度减小得更多,压力脉动的振幅更大,激励对射流混合的增强作用更加明显。

关键词：欠膨胀射流喷压比特征频率激励大涡模拟流动响应

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避免人工干预的流体力学Riemann解法器

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计算物理 2018年第1期35卷 1-12页

作者：任健沈智军闫伟袁光伟北京应用物理与计算数学研究所

为克服体平均多流管格式（MFCAV）实施中存在人工干预的不足,基于移动网格设计适用于若干实际流场计算的HLLCM格式,该格式可以较好地抑制网格非物理变形,可避免人为调整网格.简化模型算例表明,HLLCM格式保持球对称性,计算结果优于MFCAV... 详细信息

为克服体平均多流管格式（MFCAV）实施中存在人工干预的不足,基于移动网格设计适用于若干实际流场计算的HLLCM格式,该格式可以较好地抑制网格非物理变形,可避免人为调整网格.简化模型算例表明,HLLCM格式保持球对称性,计算结果优于MFCAV格式;应用模型算例表明,在复杂流场、实用状态方程、无人为干预措施的情形,与MFCAV格式相比,HLLCM格式可有效模拟的物理过程时间大幅延长,流场网格品质与能量守恒误差均有较大的改善.

关键词：多流管格式人工干预措施 HLLCM格式 Riemann解法器 ALE方法

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一种太赫兹微电真空折叠波导行波管放大器的慢波结构

一种太赫兹微电真空折叠波导行波管放大器的慢波结构

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作者：张芳束小建董志伟孙会芳 100094 北京市海淀区丰豪东路2号

本发明涉及一种太赫兹微电真空折叠波导行波管放大器的慢波结构，所述慢波结构包括：依次连接的n段折叠波导慢波结构，其中，n为正整数且n≥2，第i段折叠波导慢波结构与第i+1段折叠波导慢波结构满足：gi＜gi+1且gi为所述第i段折叠波导... 详细信息

标准号: CN106098508B

本发明涉及一种太赫兹微电真空折叠波导行波管放大器的慢波结构，所述慢波结构包括：依次连接的n段折叠波导慢波结构，其中，n为正整数且n≥2，第i段折叠波导慢波结构与第i+1段折叠波导慢波结构满足：g_i＜g_i+1且g_i为所述第i段折叠波导慢波结构的折叠度，v_i为所述第i段折叠波导慢波结构的电子束输入端口处电子速度，i∈[1,n‑1]；本发明提供的一种太赫兹折叠波导行波管放大器的慢波结构，采用多段式折叠波导慢波结构提高太赫兹微电真空折叠波导行波管放大器的功率和效率。

关键词：折叠慢波结构波导放大器行波管微电电子束输入端口依次连接多段式正整数

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2020年中国高性能计算机发展现状分析与展望

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数据与计算发展前沿 2020年第6期2卷 1-10页

作者：张云泉袁良袁国兴李希代中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室北京100190 北京应用物理与计算数学研究所北京100088

【目的】本文根据2020年11月发布的中国高性能计算机TOP100排行榜的数据,对国内高性能计算机的发展现状从总体性能、制造商、行业领域等方面进行了深入分析。【结果】中国TOP100的平均Linpack性能继续保持比国际TOP500平均Linpack性能... 详细信息

【目的】本文根据2020年11月发布的中国高性能计算机TOP100排行榜的数据,对国内高性能计算机的发展现状从总体性能、制造商、行业领域等方面进行了深入分析。【结果】中国TOP100的平均Linpack性能继续保持比国际TOP500平均Linpack性能高的局面,且TOP100的入门性能门槛仍然超过TOP500。中国TOP100上的超级计算系统出现了新面孔,Dell公司的一台机器上榜,打破了榜单连续两年全为国产超算系统的记录。联想为系统数量冠军,联想、曙光和浪潮三强争霸的局面继续保持。【结论】在此基础上,本文根据十九届排行榜的性能数据,对未来中国大陆高性能计算机的发展趋势进行了分析预测。根据新的数据,我们认为:峰值Exaflops的机器将在2021年到2022年间出现。

关键词：高性能计算机 TOP100 排行榜性能分析

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一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器

一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器

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作者：李梦蕾江伟周梅张平郑法伟 100088 北京市海淀区花园路6号

本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接，三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定，且衬底在第一方向上的另一边与... 详细信息

标准号: CN109449284A

本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接，三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定，且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流；电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲，导致CrI₃膜受到挤压或拉伸，可将经过CrI₃薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流，也可不改变经过CrI₃薄膜的电流性质。

关键词：压电晶体碘化铬衬底磁性膜自旋电场自旋极化控制器垂直薄膜过滤电源方向可控形变方向形变拉伸挠曲挤压

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基于静态双重区域分解的两种接触并行算法

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气体物理 2019年第2期4卷 44-54页

作者：姜玉曦周海兵熊俊北京应用物理与计算数学研究所

CHAP3D是北京应用物理与计算数学研究所自主研发的Lagrange通用弹塑性流体力学分析程序.文章介绍了在CHAP3D程序中使用的、针对多处理器集群的、基于静态双重区域分解的两种接触并行算法.第一种是分配单个完整接触面的接触并行算法,此... 详细信息

CHAP3D是北京应用物理与计算数学研究所自主研发的Lagrange通用弹塑性流体力学分析程序.文章介绍了在CHAP3D程序中使用的、针对多处理器集群的、基于静态双重区域分解的两种接触并行算法.第一种是分配单个完整接触面的接触并行算法,此算法将一对完整的接触面分配到一个处理器上,并建立计算域与接触域的通信关系.此接触并行算法的优点是简单,在具有接触面的处理器上可以直接使用串行的接触搜索算法和接触力耦合计算算法.另一种是主面剖分区域分解的接触并行算法,此算法将所有接触面的主面区域分解到所有处理器上.须建立计算域与接触域以及接触域内各处理器间的两种通信关系.该接触并行算法是一个负载平衡的并行算法,具有很好的并行效率和可扩展性.数值算例显示,这两种接触并行算法都能够很好地模拟多种不同类型的接触问题.

关键词：接触并行算法接触算法区域分解消息传递接口 Lagrange数值模拟

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2019年中国高性能计算机发展现状分析与展望

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数据与计算发展前沿 2020年第1期2卷 18-26页

作者：张云泉袁良袁国兴李希代中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室北京100190 北京应用物理与计算数学研究所北京100088

【目的】本文根据2019年11月发布的中国高性能计算机TOP100排行榜的数据,对国内高性能计算机的发展现状从总体性能、制造商、行业领域等方面进行了深入分析。【结果】中国TOP100的平均Linpack性能继续保持比国际TOP500平均Linpack性能... 详细信息

【目的】本文根据2019年11月发布的中国高性能计算机TOP100排行榜的数据,对国内高性能计算机的发展现状从总体性能、制造商、行业领域等方面进行了深入分析。【结果】中国TOP100的平均Linpack性能继续保持比国际TOP500平均Linpack性能高的局面,且TOP100的入门性能门槛仍然超过TOP500。中国TOP100上的超级计算系统依然全部都是国产超算系统,曙光和联想并列为数量冠军,曙光、联想和浪潮三强争霸的局面继续保持和加强。【结论】在此基础上,本文根据十八届排行榜的性能数据,对未来中国大陆高性能计算机的发展趋势进行了分析预测。根据新的数据,我们认为:峰值Exaflops的机器将在2020年到2021年间出现;峰值10Exaflops的机器将在2022年到2023年间出现;峰值100Exaflops的机器将在2024年到2025年间出现。

关键词：高性能计算机 TOP100 排行榜性能分析

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一种含f电子金属材料电导率、热导率的第一性原理计算方法及系统

一种含f电子金属材料电导率、热导率的第一性原理计算方法及系统

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作者：宋海峰朱雪燕高兴誉方俊周愈之刘瑜刘海风王帅创 100083 北京市海淀区花园路6号

本发明涉及一种含f电子金属材料电导率、热导率的第一性原理计算方法及系统，能够显著降低镧、锕系材料的电导率和热导率计算结果与实验结果的误差；并且能够使得d‑>f电子跃迁矩阵计算的总浮点操作数从1012量级降低至104，从而... 详细信息

标准号: CN110188429A

本发明涉及一种含f电子金属材料电导率、热导率的第一性原理计算方法及系统，能够显著降低镧、锕系材料的电导率和热导率计算结果与实验结果的误差；并且能够使得d‑>f电子跃迁矩阵计算的总浮点操作数从10¹²量级降低至10⁴，从而大幅提高计算效率。

关键词：电导率热导率计算方法及系统第一性原理金属材料电子跃迁计算效率矩阵计算操作数浮点锕系

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基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器

基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器

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作者：张平李梦蕾周梅郑法伟 100088 北京市海淀区花园路6号

本发明提供了一种基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器，包括：三碘化铬磁性膜、压电晶体和电源；电源的正极与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，电源的负极与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连；三碘化铬磁性膜在... 详细信息

标准号: CN109524459A

本发明提供了一种基于三碘化铬的极化方向可控的自旋电流过滤器，包括：三碘化铬磁性膜、压电晶体和电源；电源的正极与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，电源的负极与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连；三碘化铬磁性膜在第一方向上的一边固定，三碘化铬磁性膜在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流，第一方向和第二方向组成的平面与三碘化铬磁性膜的膜厚度方向垂直。该自旋电流过滤器通过压电晶体拉伸CrI₃薄膜，将经过CrI₃薄膜的非自旋极化的电流过滤成只有一个方向的自旋极化的电流，同时还可以控制输出电流的自旋极化方向。

关键词：碘化铬压电晶体磁性膜自旋极化垂直过滤器电源电场自旋电流薄膜过滤正极极化方向输出电流形变方向负极可控的拉伸自旋

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