检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2009年第6期39卷 782-785页

作者：金湘亮旷章曲刘志碧程杰范小平陈杰北京思比科微电子技术有限公司北京100085

提出了一种新型单片CMOS摄像传感器电路的体系结构,该结构集成了摄像、噪声消除、模数转换、图像处理、图像增强、色彩空间转变等功能。采用该结构实现的CMOS视觉芯片动态范围大,在弱光和强光下均能拍摄图像;工作在30帧的情况下,消耗的... 详细信息

提出了一种新型单片CMOS摄像传感器电路的体系结构,该结构集成了摄像、噪声消除、模数转换、图像处理、图像增强、色彩空间转变等功能。采用该结构实现的CMOS视觉芯片动态范围大,在弱光和强光下均能拍摄图像;工作在30帧的情况下,消耗的功耗只有75 mW,具有低功耗的优点。基于该单芯片低功耗CMOS视觉传感器芯片开发的系统元器件少,可广泛应用于手机拍照、数码相机和网络视频等多媒体终端。

关键词：片上系统 CMOS 视觉传感器

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无残像CMOS图像传感器的像素结构和制造方法

无残像CMOS图像传感器的像素结构和制造方法

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作者：高文玉郭同辉旷章曲陈杰刘志碧 100085北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

本发明公开了一种无残像CMOS图像传感器的像素结构和制造方法。包括P+型单晶硅衬底及P-型外延层,P-型外延层上设有转移晶体管和掩埋型感光二极管,还包括阈值电压调节区和防穿通区；阈值电压调节区的一边设于掩埋型感光二极管的N区的上...

标准号: CN101599499

本发明公开了一种无残像CMOS图像传感器的像素结构和制造方法。包括P+型单晶硅衬底及P-型外延层,P-型外延层上设有转移晶体管和掩埋型感光二极管,还包括阈值电压调节区和防穿通区；阈值电压调节区的一边设于掩埋型感光二极管的N区的上方,并全部覆盖；另一边设于转移晶体管的栅极及其栅介质的下方并部分覆盖；防穿通区的一边设于转移晶体管的漏极的轻掺杂区和重掺杂区的下方,并全部覆盖；另一边设于阈值电压调节区的下方并部分重叠。通过优化工艺参数,可完全消除图像传感器残像,从而降低图像噪声和提高图像质量。

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像素单元的FD有源区结构及其制备方法及CMOS图像传感器

像素单元的FD有源区结构及其制备方法及CMOS图像传感器

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作者：郭同辉 100085北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

本发明公开了一种像素单元的FD有源区结构,属于CMOS图像传感器领域。该FD有源区结构包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱,P型阱上设有N型硅半导体注入层,所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层,所述 N型硅半导体注入层周围设有...

标准号: CN101459188

本发明公开了一种像素单元的FD有源区结构,属于CMOS图像传感器领域。该FD有源区结构包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱,P型阱上设有N型硅半导体注入层,所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层,所述 N型硅半导体注入层周围设有P型硅半导体注入层,所述P型硅半导体注入层用于隔离N型硅半导体注入层与器件的浅槽隔离区STI,所述N型硅半导体注入层上设有P型硅半导体Pin层,掩埋型接触孔底部穿过P型硅半导体Pin层与N型硅半导体注入层电连接。通过在像素单元FD有源区的N型硅半导体注入层中加入 N-Plus注入层,在N型硅半导体注入层周围增加P型硅半导体注入层,在N型硅半导体注入层上增加Pin注入层等几中结构的改变,有效减小FD有源区漏电流的产生。

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对图像亮度进行调整的方法和装置

对图像亮度进行调整的方法和装置

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作者：江明贡青 100085北京市海淀区上五街7号昊海大厦二层201室

本发明提供了一种对图像亮度进行调整的方法和装置,该方法主要包括：将图像信号分解为背景信号和景物信号；对所述背景信号的亮度进行归一化调整处理,将所述景物信号和处理后的背景信号合成图像信号。该装置主要包括：低频滤波单元...

标准号: CN101247468

本发明提供了一种对图像亮度进行调整的方法和装置,该方法主要包括：将图像信号分解为背景信号和景物信号；对所述背景信号的亮度进行归一化调整处理,将所述景物信号和处理后的背景信号合成图像信号。该装置主要包括：低频滤波单元和增益校正单元；或者,低频滤波单元和补偿处理单元。利用本发明所述方法和装置,从而可以解决CMOS图像传感器的输出图像上的亮度不均匀的问题,避免输出图像上出现FLICKER的现象。

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适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法

适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素及其制造方法

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作者：金湘亮 100085北京市海淀区上地信息路2号创业园D栋412

本发明的适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素的结构在N衬底上生长一层P+型外延层,在P+型外延层上生长一层P型外延层,在P外延层区内注入一层N+区,并在N+区浅注入一层P区,从而形成两个PN结,可以吸收不同波长的注入光。本发明提出...

标准号: CN1889269

本发明的适用于CMOS图像传感器的低暗电流有源像素的结构在N衬底上生长一层P+型外延层,在P+型外延层上生长一层P型外延层,在P外延层区内注入一层N+区,并在N+区浅注入一层P区,从而形成两个PN结,可以吸收不同波长的注入光。本发明提出的是一种基于N衬底和光电二极管的有源像素结构,这种有源像素结构不仅有效的降低了暗电流、提高了量子效率,而且改进了在蓝光区域的量子效应。由于减少了光产生的电子-空穴对的复合,因此可以产生相应的效果。利用N衬底可以有效的防止像素之间的光电荷的扩散,防止弥散现象。

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基于深度检测的身体识别控制装置

基于深度检测的身体识别控制装置

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作者：程杰唐冕刘志碧陈杰 100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

本发明公开了一种基于深度检测的身体识别控制装置，包括光源模块、深度图像模块和数据控制模块。光源模块发射与深度图像模块可视范围相同范围的断续脉冲光；深度图像模块包括图像传感器和深度重构单元，用于接收被光源模块照射到物体...

标准号: CN101699370

本发明公开了一种基于深度检测的身体识别控制装置，包括光源模块、深度图像模块和数据控制模块。光源模块发射与深度图像模块可视范围相同范围的断续脉冲光；深度图像模块包括图像传感器和深度重构单元，用于接收被光源模块照射到物体的反射光，并生成深度图像；数据控制模块包括目标识别单元、目标定位单元、数据转换单元和数据传输单元，对进入可视范围的目标身体部分或全身进行识别定位，并转换为可被识别的数据传输到相应的设备上。本发明可以应用于多媒体教学设备领域，特别应用于计算机教育领域。

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一种实现动态图像处理的方法和装置

一种实现动态图像处理的方法和装置

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作者：张国华 100085北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

本发明实施方式提供了一种实现动态图像处理的方法和装置,具体来说是利用视频图像中含有着的丰富信息,通过图像识别模块提取和识别视频图像中的视频图像信息,并根据视频图像信息自动触发或是更改所需进行的视频特效处理。通过本发明...

标准号: CN101247482

本发明实施方式提供了一种实现动态图像处理的方法和装置,具体来说是利用视频图像中含有着的丰富信息,通过图像识别模块提取和识别视频图像中的视频图像信息,并根据视频图像信息自动触发或是更改所需进行的视频特效处理。通过本发明的实施,可以有效的选择相应的视频图像特效处理方式,而无需用户每次都进行手动修改；同时也能够有效地判断所作的特效处理方式是否适合于当前的视频图像,实现了视频图像处理的智能化管理；另外也进一步丰富了视频图像特效处理的内容,使用户能够获得更加满意的视频流或静态图像。

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高填充系数的有源像素图像传感器结构及制造方法

高填充系数的有源像素图像传感器结构及制造方法

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作者：金湘亮 100085北京市海淀区上地信息路2号创业园D栋412

本发明所述的高填充系数的有源像素图像传感器结构及制造方法,具体是在硅基的一面制造信号处理电路,在另一面制造光电二极管电路。背面的光电二极管与正面的读出电路不再相互争夺芯片面积,从而可以设计方便的优化读出电路；同时背面...

标准号: CN1889270

本发明所述的高填充系数的有源像素图像传感器结构及制造方法,具体是在硅基的一面制造信号处理电路,在另一面制造光电二极管电路。背面的光电二极管与正面的读出电路不再相互争夺芯片面积,从而可以设计方便的优化读出电路；同时背面入射可以使填充系数接近100％,从光电二极管结构中最大的提高量子效率；与传统的CMOS图像传感器结构相比,发明的CIS 图像传感器有更小的暗电流和像素之间的串扰。为了精确控制硅片减薄厚度,采用湿法自停止腐蚀,其可以有效的减小应力损伤。可以大幅度提高灵敏度和填充系数,从根本上解决填充系数低的缺点。

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低衬底漏电流的空穴积累型有源像素及其制造方法

低衬底漏电流的空穴积累型有源像素及其制造方法

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作者：金湘亮 100085北京市海淀区上地信息路2号创业园D栋412

本发明的低衬底漏电流的空穴积累型有源像素的在N衬底上生长一层P+ 型外延层,在P+型外延层上生长一层P型外延层,在P外延层区内注入一层 N+区,并在N+区浅注入一层P区,从而形成两个PN结,可以吸收不同波长的注入光。本发明提出的是一种基...

标准号: CN1889268

本发明的低衬底漏电流的空穴积累型有源像素的在N衬底上生长一层P+ 型外延层,在P+型外延层上生长一层P型外延层,在P外延层区内注入一层 N+区,并在N+区浅注入一层P区,从而形成两个PN结,可以吸收不同波长的注入光。本发明提出的是一种基于N衬底和光电二极管的有源像素结构, 这种低衬底漏电流的空穴积累型有源像素结构有效的降低了暗电流、提高了量子效率。利用N衬底可以有效的防止像素之间的光电荷的扩散,防止弥散现象。

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一种防抖动的调焦方法和系统

一种防抖动的调焦方法和系统

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作者：谭飞 100085北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室

本发明实施例提供一种防抖动调焦方法和系统。方法包括：对图像进行运动估计,当运动估计值在补偿范围内时对所述图像进行抖动补偿,得到补偿后的图像；对所述补偿后的图像划分中心以及四周的调焦区域,对各调焦区域的图像进行清晰度值...

标准号: CN101246250

本发明实施例提供一种防抖动调焦方法和系统。方法包括：对图像进行运动估计,当运动估计值在补偿范围内时对所述图像进行抖动补偿,得到补偿后的图像；对所述补偿后的图像划分中心以及四周的调焦区域,对各调焦区域的图像进行清晰度值计算；根据计算得到的各调焦区域的图像清晰度值,利用整体清晰度评价函数计算所述补偿后图像的整体清晰度值,并输出清晰度值计算结果。能够实现通过调焦系统调焦,且在调焦过程中减少模组抖动对固定焦距的影响,从而提高摄像模组的清晰度水平。

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