检索结果-内蒙古大学图书馆

本文研究最大熵图像重建用于地球物理学中井间观测问题,着重研究了剑桥算法.对算法中拉格朗日乘子的确定给出了新方法;解决了算法的收敛条件和收敛范围;提出了减少算法计算量和内存量的方法,并编制了实用程序MECT.通过数值模型的研究,最后重建出了某矿区的剖图,与BPT和ART方法的结果进行了比较.证明最大熵图像重建法的优越性在于能有效地抑制噪声,分辨率高,边界影响程度小.若改善观测条件,将提高最大熵成像法的分辨率.

关键词：井间层析成像最大熵电磁波

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跟踪机动目标的一种新方法的研究(英文)

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控制理论与应用 1992年第3期9卷 215-223页

作者：张伯彦蔡庆宇袁曾任北京无线电测量研究所 100854 清华大学计算机科学与技术系北京100084

本文提出了跟踪三维空中机动目标的一种新方法,在这种方法中,未知的目标加速度被认为是具有非零均值、时间相关的随机过程并将它的概率密度函数假定为截断正态型。借助于切比雪夫(Chebyshev)不等式来确定目标随机加速度的均值和方差之... 详细信息

本文提出了跟踪三维空中机动目标的一种新方法,在这种方法中,未知的目标加速度被认为是具有非零均值、时间相关的随机过程并将它的概率密度函数假定为截断正态型。借助于切比雪夫(Chebyshev)不等式来确定目标随机加速度的均值和方差之间的关系。理论分析和仿真结果表明,由作者们提出的模型和算法去跟踪恒加速目标时稳态偏差为零,从而消除了***方法在跟踪恒加速度目标时所存在的稳态偏差。给出了计算机仿真结果。截断正态概率密度模型和自适应算法适合于跟踪高度机动目标并且易于实现。

关键词：机动目标目标跟踪

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计算机控制的探孔场发射显微镜系统

引用

电子科学学刊 1991年第4期13卷 398-403页

作者：巩运明曾海山张恩虬北京大学无线电电子学系中国科学院电子学研究所

由Apple Ⅱ微机控制的探孔场发射显微镜系统已研制成功,并可用其测量单个晶面的逸出功。被探测微区的探孔电流由探测荧光屏,光电倍增管和电流放大器的联合体进行测量。观察屏电压(阳极电压)由D/A转换器调节。场发射体总电流和探孔电流... 详细信息

由Apple Ⅱ微机控制的探孔场发射显微镜系统已研制成功,并可用其测量单个晶面的逸出功。被探测微区的探孔电流由探测荧光屏,光电倍增管和电流放大器的联合体进行测量。观察屏电压(阳极电压)由D/A转换器调节。场发射体总电流和探孔电流数据由A/D转换器采集。测量系统校准后,用BASIC语言编写的程序处理所测得的数据和计算Fowler-Nordheim图参数,从而得到被测的单个晶面的逸出功。用此系统已测得清洁的W(100)和W(111)面逸出功分别为4.67eV和4.45eV。

关键词：场发射显微镜计算机控制显微镜

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电子产品设计文件的标准化检查

电子产品设计文件的标准化检查

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标准类型：行业标准

本标准规定了电子产品设计文件标准化检查的内容和程序。本标准适用于设计文件和设计文件更改通知单的标准化检查。其他技术文件的标准化检查可参照使用。

标准号: SJ/T 10151-1991

关键词：电子产品设计文件检查方法

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场强标准和EMS测试装置

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宇航计测技术 1990年第1期9卷 46-54,60页

作者：冯桂山马蔚宇航空航天部无线电计量测试研究所

本文简述了TEM小室的用途、结构设计及主要性能的测试方法。TEM小室不仅能作电磁场标准,而且能作EMC测试设备,它的工作频率范围为5kHz～300MHz。所产生的最大场强为300V/m。所提供的横电磁波的大小由输入功率或输入电压计算。文章还介... 详细信息

本文简述了TEM小室的用途、结构设计及主要性能的测试方法。TEM小室不仅能作电磁场标准,而且能作EMC测试设备,它的工作频率范围为5kHz～300MHz。所产生的最大场强为300V/m。所提供的横电磁波的大小由输入功率或输入电压计算。文章还介绍了为降低输入端驻波比所采取的一些措施,给出了性能测试结果,并用广义方和根法分析了系统的不确定度。

关键词：场强电磁兼容性测试装置标准

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任意切型压电石英晶片测角数据的计算机分析和计算

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宇航计测技术 1990年第3期9卷 74-80页

作者：林健李丕宁航空航天部无线电计量测试研究所

本文从压电石英的结构入手,付石英的18种一次转角和36种二次转角切型进行了分析和归纳,提出并实现了一种用微机对任意切型的一、二次转角晶片X光定向数据进行计算的方法,其结果与实际十分吻合。

关键词：石英晶片压电测角数据计算机

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差分SPV法测定a-Si:H PIN结构I层少子扩散长度

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太阳能学报 1990年第2期11卷 170-178页

作者：白毅彬陈庭金庞大文宿昌厚云南师范大学太阳能研究所北京工业大学无线电电子学系

基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。用我们研制的测试系... 详细信息

基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了空间电荷区宽度、样品厚度及背面势垒对测量结果的影响,绘出了测量条件和测量方法。用我们研制的测试系统进行了多项测量,对不同样品测得的扩散长度值在0.10—0.64μm之间。测试系统重复性好。

关键词：太阳能电池测定 PIN结构 SPV法扩散长度

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