检索结果-内蒙古大学图书馆

电子技术应用 2017年第10期43卷 20-22,25页

作者：周寒冰赵东艳唐晓柯张海峰王东山北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

电力线载波通信具有网络覆盖范围广、接入方便的特点,但电力线不是一种理想的传输信道,其信道传输环境恶劣,不但具有阻抗匹配和频率选择性衰减的问题,而且还存在着严重的噪声和干扰。长期的实践证明:对抗恶劣电力线信道的最有效手段是... 详细信息

电力线载波通信具有网络覆盖范围广、接入方便的特点,但电力线不是一种理想的传输信道,其信道传输环境恶劣,不但具有阻抗匹配和频率选择性衰减的问题,而且还存在着严重的噪声和干扰。长期的实践证明:对抗恶劣电力线信道的最有效手段是信道编码技术,HomepulgAV标准中给出了双二元Turbo编码构造以及码内交织方案,但这种编码已经被国外通信设备商申请了专利,如果照搬恐会引起知识产权纠纷,因而给出了一种新的Turbo码交织方案,其性能比HomeplugAV标准略有提升,复杂程度完全相同,并给出仿真结果。

关键词：宽带电力线载波通信 Turbo 信道编码

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宽带电力线通信芯片的低功耗设计

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电子技术应用 2017年第10期43卷 16-19页

作者：周春良周芝梅杨晓平李璐冯曦唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

针对宽带电力线通信芯片因工作频段宽和通信速率高而导致功耗较大的问题,在介绍宽带电力线通信单元及芯片的基础上,围绕芯片功耗的影响因素,从工作频段、物理层、MAC层及芯片级多方面详细分析了芯片的低功耗设计技术。目前宽带电力线通... 详细信息

针对宽带电力线通信芯片因工作频段宽和通信速率高而导致功耗较大的问题,在介绍宽带电力线通信单元及芯片的基础上,围绕芯片功耗的影响因素,从工作频段、物理层、MAC层及芯片级多方面详细分析了芯片的低功耗设计技术。目前宽带电力线通信芯片及模块已研发成功,测试结果表明完全满足国家电网用电信息采集系统对宽带电力线通信单元的功耗要求。

关键词：宽带电力线通信芯片低功耗通信单元用电信息采集

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一种低时钟频率下UHF RFID标签芯片PIE解码电路的实现方案

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电子技术应用 2017年第8期43卷 52-54,61页

作者：周芝梅张彤刘亮张海峰北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

对于标签芯片,降低系统时钟频率是降低功耗、提高通讯距离的最有效手段。首先从理论上按照一种等效判决方法推导出PIE解码电路的更低时钟频率,提出了一种低时钟频率下基于ISO 18000-6 TYPE C协议的UHF RFID标签芯片解码电路的实现方案... 详细信息

对于标签芯片,降低系统时钟频率是降低功耗、提高通讯距离的最有效手段。首先从理论上按照一种等效判决方法推导出PIE解码电路的更低时钟频率,提出了一种低时钟频率下基于ISO 18000-6 TYPE C协议的UHF RFID标签芯片解码电路的实现方案。设计的解码电路大幅度降低了标签芯片解码电路功耗,提高了标签响应灵敏度。

关键词：射频识别标签 PIE 解码电路 ISO18000-6 TYPE C

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LTE230数字中频接收机的设计

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电子技术应用 2017年第9期43卷 46-49页

作者：周春良周芝梅王连成冯曦刘亮唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

针对230 MHz频段频点分布离散、带宽窄、无法直接进行高速数据传输的问题,设计出一种新型的低成本、高可靠性、高性能的数字中频接收机。该接收机采用两级数字下变频、下采样、滤波结构,实现了对230 MHz频段40个离散频点的聚合,从而达... 详细信息

针对230 MHz频段频点分布离散、带宽窄、无法直接进行高速数据传输的问题,设计出一种新型的低成本、高可靠性、高性能的数字中频接收机。该接收机采用两级数字下变频、下采样、滤波结构,实现了对230 MHz频段40个离散频点的聚合,从而达到宽带传输的效果。经仿真及FPGA验证通过后,该接收机已应用到LTE230无线通信基带芯片并在试点项目中长时间稳定运行,充分表明数字中频接收机的设计是很成功的。

关键词： LTE230 数字中频接收机数字下变频下采样滤波器

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TVS对移动电话辐射杂散的影响研究

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电力电子技术 2020年第6期54卷 95-98页

作者：符荣杰李杰伟雷康张海峰北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

此处旨在研究瞬态电压抑制二极管(TVS)非线性特性对移动电话DCS1800频段辐射杂散二次谐波发射的影响。通过使用传导射频(RF)信号注入的方法,对带有TVS的扬声器电路进行验证,得到传导杂散二次谐波数值;利用电路板搭建测试电路进行TVS的U-... 详细信息

此处旨在研究瞬态电压抑制二极管(TVS)非线性特性对移动电话DCS1800频段辐射杂散二次谐波发射的影响。通过使用传导射频(RF)信号注入的方法,对带有TVS的扬声器电路进行验证,得到传导杂散二次谐波数值;利用电路板搭建测试电路进行TVS的U-I曲线的测量验证,得到TVS的U-I曲线。实测结果表明不同厂家TVS所产生的杂散二次谐波的幅值大小不同,EPCOS要明显优于ST,低大约40 dB;不同厂家的TVS开启电压水平差异显著,EPCOS TVS开启电压高于25 V,ST TVS开启电压为16 V左右,EPCOS TVS要远高于ST TVS。TVS用于移动电话各功能模块的静电放电(ESD)防护时,尤其是天线附近区域时,可使用传导RF注入法和U-I曲线测量法进行验证评估,确保不影响辐射杂散谐波发射值。

关键词：瞬态电压抑制二极管非线性辐射杂散

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SRAM版图布局方向对产品失效率的影响

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半导体技术 2021年第3期46卷 236-240页

作者：梁家鹏唐晓柯关媛李大猛李秀全王小曼北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失... 详细信息

静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失效位点,通过离子聚焦束(FIB)切片及扫描电子显微镜(SEM)分析造成失效的异常物理结构,结合平台同类产品的设计布局对比及生产过程中光刻工艺制程的特点,确认失效的具体原因。对可能造成失效的工艺步骤或参数设计实验验证方案,根据验证结果制定相应的改善措施,通过良率测试及SEM照片确认改善结果,优化工艺窗口。当SRAM中多晶硅线布局方向与测试单元中一致时,工艺窗口最大,良率稳定;因此在芯片设计规则中明确SRAM结构布局方向,对于保证产品的良率具有重要意义。

关键词：静态随机存储器(SRAM) 版图布局光刻关键尺寸工艺窗口

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基于TrustZone技术的微处理器芯片架构

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电子设计工程 2020年第2期28卷 189-193页

作者：刘亮陈震北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室

安全是物联网发展面临的最大问题之一,对物联网设备的安全攻击包括通信攻击、物理攻击、软件攻击等多种方式。针对物联网面临的软件攻击威胁,ARM在V8M架构中引入Trustzone技术,使M系列架构的处理器支持TrustZone技术,实现了硬件层次对... 详细信息

安全是物联网发展面临的最大问题之一,对物联网设备的安全攻击包括通信攻击、物理攻击、软件攻击等多种方式。针对物联网面临的软件攻击威胁,ARM在V8M架构中引入Trustzone技术,使M系列架构的处理器支持TrustZone技术,实现了硬件层次对抗软件攻击的手段。由于M系列微处理器芯片和A系列应用处理器面向的应用不同,ARM V8M架构的TrustZone下和A系列的TrustZone技术存在区别。本文介绍ARM V8M架构芯片总线结构以及数据通路,做为基于ARM V8M TrustZone技术的芯片设计参考。基于ARM V8M TrustZone技术的微处理器芯片架构,芯片中的存储空间分为安全域和非安全域两部分,用IDAU和SAU定义Master发出地址的安全属性,用MPC、PPC等组件保护存储数据和外设资源不被非法访问,实现安全域和非安全域的硬件隔离保护。

关键词： ARMV8M TrustZone 微处理器物联网安全

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适用于高密度封装的失效分析技术及其应用

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半导体技术 2018年第4期43卷 310-315页

作者：刘晓昱陈燕宁李建强乔彦彬马强单书珊张海峰唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司电力芯片设计分析重点实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像（CT）技... 详细信息

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像（CT）技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势。并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因。最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围。

关键词：失效分析高密度封装可靠性计算机辅助层析成像(CT)技术键合失效

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320 nm AlGaN肖特基型紫外探测器的研制

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电力电子技术 2020年第2期54卷 117-119页

作者：刘芳张海峰陈燕宁付振北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠集成电路设计工程技术研究中心北京100192

制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350~400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350~40... 详细信息

制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350~400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350~400 nm之间深能级响应谱出现的原因。电流-电压测试结果表明理想因子在2以上,说明正向输运机制中存在由缺陷能级引起的复合电流,电容平方倒数对电压斜率的变化表明在该探测器本征层中存在由缺陷引起的深能级响应。两种测试分析结果均表明该响应由本征层中的缺陷引起。

关键词：紫外探测器光电性能缺陷

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电网站域空间环境下移动目标主动定位方法

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电网与清洁能源 2021年第10期37卷 36-44,50页

作者：侯战斌臧志成庞振江王海宝刘建军潘国峰北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯半导体科技有限公司北京100192 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室天津300130

通过对站域巡检的作业人员及其装备在复杂工况环境下的定位问题进行研究,在基于信号到达时间差(TDOA)定位方法的基础上,提出了一种针对移动目标的主动定位测量方法。引入概率误差,对电网站域环境中的待定位目标节点到不同基站的距离差... 详细信息

通过对站域巡检的作业人员及其装备在复杂工况环境下的定位问题进行研究,在基于信号到达时间差(TDOA)定位方法的基础上,提出了一种针对移动目标的主动定位测量方法。引入概率误差,对电网站域环境中的待定位目标节点到不同基站的距离差实现目标节点定位的传统定位方法进行优化,能够有效地提高站内工作人员及其装备的定位精度。通过在复杂工频电场环境中进行试验的结果表明,采用该优化方法计算得出的结果均优于现有的传统定位方法,其在视距条件下能够有效提升定位精度,实现对变电站空间内的移动目标进行定位,并保障作业人员安全的目的。

关键词：移动目标误差概率空间定位站域空间定位精度

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