检索结果-内蒙古大学图书馆

金属膜电极层对Na_2O-PbO-Nb_2O_5-SiO_2玻璃陶瓷电容器电性能的影响

无机材料学报 2011年第6期26卷 613-618页

作者：朱君罗君张庆猛杜军北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

玻璃陶瓷电容器内电极结构及界面形貌对电性能有重要影响.采用磁控溅射法在介质层与银浆料电极间分别制备了Pt、Au、Cu和Ag金属膜内电极层,研究此电极层对Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷电容器电性能的影响.与单层浆料的电极结构相比,引... 详细信息

玻璃陶瓷电容器内电极结构及界面形貌对电性能有重要影响.采用磁控溅射法在介质层与银浆料电极间分别制备了Pt、Au、Cu和Ag金属膜内电极层,研究此电极层对Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2玻璃陶瓷电容器电性能的影响.与单层浆料的电极结构相比,引入Pt、Au金属膜可以更有效地改善电性能:等效电容值增加25%,漏电流降低一个数量级.由SEM结果可知:Pt、Au、Cu膜与玻璃陶瓷紧密的界面接触能够抑制银向介质中扩散;然而,采用单层银浆料或引入Ag金属膜的样品界面多孔且银扩散严重.以上分析表明:Pt、Au金属膜电极层能够改善玻璃陶瓷电容器界面微观结构,有效抑制银的扩散,提高整体电性能.

关键词：金属膜内电极玻璃陶瓷电容器电性能扩散

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ZrH2/W/B4C/Al复合材料的制备与性能研究

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稀有金属 2018年第12期42卷 1267-1272页

作者：杨剑马书旺刘坤梁秋实王健毛昌辉北京有色金属研究总院先进电子材料研究所

采用粉末冶金法制备了ZrH2/W/B4C/Al复合材料,研究了屏蔽组元的分散均匀性、材料的力学性能和快中子慢化性能。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线无损检测分析方法检测了材料的微观分散性和宏观分散性,检测结果表明,采用本文所述的制备工... 详细信息

采用粉末冶金法制备了ZrH2/W/B4C/Al复合材料,研究了屏蔽组元的分散均匀性、材料的力学性能和快中子慢化性能。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线无损检测分析方法检测了材料的微观分散性和宏观分散性,检测结果表明,采用本文所述的制备工艺实现了屏蔽组元在铝基体中的均匀分散。分析了热等静压后材料的相结构和微观组织结构,分析认为在Zr H2/W/B4C/Al复合材料的热等静压过程中,Al和Zr H2两相之间在高温条件下容易发生物相反应,生成Zr Al3相,而采用合适的热等静压工艺可以避免这种有害反应的发生。研究结果表明,当热等静压温度为540℃时,材料内部没有发生物相反应,材料的致密度和力学性能良好。采用DT中子源,测试了14. 88 Me V快中子穿过测试样品的中子能谱和无样品时的源中子能谱。测试结果表明,快中子经80 mm厚的样品屏蔽后,中子能量有了显著降低,材料对快中子具有良好的慢化效果。

关键词：铝基复合材料材料制备力学性能屏蔽性能

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ZrVFe吸气剂激活过程及其机理

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中国有色金属学报 2008年第7期18卷 1358-1363页

作者：熊玉华顾为尉秀英苑鹏秦光荣北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

通过X射线光电子能谱仪研究ZrVFe吸气剂激活过程中表面成分的变化,采用四极质谱仪监测激活过程中真空腔体内残余气体成分的变化。结果表明:暴露于过大气的吸气剂表面覆盖着H2O、CO2及碳氢化合物等,Zr和V主要以氧化态存在;在吸气剂加热... 详细信息

通过X射线光电子能谱仪研究ZrVFe吸气剂激活过程中表面成分的变化,采用四极质谱仪监测激活过程中真空腔体内残余气体成分的变化。结果表明:暴露于过大气的吸气剂表面覆盖着H2O、CO2及碳氢化合物等,Zr和V主要以氧化态存在;在吸气剂加热激活过程中,V的氧化物在200℃开始还原;激活过程导致表面近金属态Zr的富集以及部分金属碳化物的生成;随着温度的升高,H2O、CO2及碳氢化合物逐渐从吸气剂表面脱附,在200℃以上,主要脱附气体为H2,整个激活过程未发现O2;ZrO2还原为近金属态或金属态,主要是由于ZrO2中的O通过向吸气剂内部扩散而离开吸气剂表面所致。

关键词： ZrVFe吸气剂激活机理残气

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粉末注射成形法制备ZrVMnCe-Zr吸气剂性能研究

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稀有金属 2018年第7期42卷 730-734页

作者：徐大磊崔建东徐瑶华崔航杨志民北京有色金属研究总院先进电子材料研究所

采用粉末注射成形工艺制备ZrVMnCe-Zr吸气剂，研究了不同的ZrVMnCe粉体粒度以及烧结保温时间对ZrVMnCe-Zr吸气材料微观形貌和吸气性能的影响，测试分析了材料的表面形貌、孔隙率、比表面积和吸气性能等特性。研究结果表明，ZrVMnCe的粉... 详细信息

采用粉末注射成形工艺制备ZrVMnCe-Zr吸气剂，研究了不同的ZrVMnCe粉体粒度以及烧结保温时间对ZrVMnCe-Zr吸气材料微观形貌和吸气性能的影响，测试分析了材料的表面形貌、孔隙率、比表面积和吸气性能等特性。研究结果表明，ZrVMnCe的粉体粒度对所制备的ZrVMnCe-Zr烧结材料的孔隙度和比表面积有重要影响，进而影响吸气剂最终的吸气性能。在同等烧结条件下，采用粉体粒度为75～150μm的ZrVMnCe粉体制备的ZrVMnCe-Zr吸气剂的孔隙率和比表面积相对最高，材料的吸气性能也相对最佳。同时，采用粉末注射成形工艺制备的ZrVMnCe-Zr吸气剂在1020℃下烧结时，烧结保温时问是影响材料烧结致密化程度的重要工艺条件。烧结保温时间为20min时，可以获得兼具较高吸气性能和机械强度的ZrVMnCe-Zr吸气剂材料。所制备的ZrVMnCe-Zr吸气剂在500激活10min后可获得比较理想的吸氢性能。

关键词：粉体粒度吸气性能吸气剂粉末注射成形

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氧化物添加对BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷介电性能的影响

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稀有金属 2021年第2期45卷 210-216页

作者：周敏张庆猛陈均优孙竹叶杨婧北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

采用烧结法制备工艺,成功制备了BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷,以钛酸钡体系玻璃陶瓷为基础成分添加不同种类氧化物(Y2O3,Ni2O3,ZrO2),并采用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),精密阻抗分析仪测试仪(LCR)对添加不同氧... 详细信息

采用烧结法制备工艺,成功制备了BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷,以钛酸钡体系玻璃陶瓷为基础成分添加不同种类氧化物(Y2O3,Ni2O3,ZrO2),并采用X射线衍射(XRD),场发射扫描电镜(FESEM),精密阻抗分析仪测试仪(LCR)对添加不同氧化物玻璃陶瓷样品的析出相成分、微观结构和介电性能进行表征,研究了氧化物添加对BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷性能的影响。研究结果表明:添加不同的氧化物并未改变BaO-TiO_(2)-Al_(2)O_(3)-SiO_(2)玻璃陶瓷的析出相种类,但能够促进基体中钙钛矿结构钛酸钡结晶相的生成。同时添加不同氧化物后样品的致密度均随烧结温度的升高呈现先增大后减小的变化趋势,在最适烧结温度下,氧化物的添加提高了不同烧结玻璃陶瓷样品的致密度,并优化了样品的介电性能。通过添加不同种类氧化物获得了同时具有高致密度和良好介电性能的玻璃陶瓷成分,当添加0.5%(质量分数)Ni_(2)O_(3)时,样品在最佳烧结温度1230°C下烧结获得最大致密度为98.6%,提高了1.65%,样品室温下的介电常数高达1100,提高了139.5%。

关键词：氧化物钛酸钡玻璃陶瓷高介电常数

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不同结晶时间对PbO-BaO-Na_2O-Nb_2O_5-SiO_2体系玻璃陶瓷介电性能与储能性能的影响研究

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稀有金属 2017年第2期41卷 167-172页

作者：黎畅张庆猛唐群周昊谭飞虎杜军北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

玻璃陶瓷材料具有优异的介电特性与耐击穿特性,是一种极具潜力的高储能密度介电材料。介电陶瓷的微观结构尤其是纳米尺度的陶瓷晶粒对材料的介电特性有着显著影响。本文利用可控结晶技术,通过改变结晶时间(1~1000 min),制备一系列微观... 详细信息

玻璃陶瓷材料具有优异的介电特性与耐击穿特性,是一种极具潜力的高储能密度介电材料。介电陶瓷的微观结构尤其是纳米尺度的陶瓷晶粒对材料的介电特性有着显著影响。本文利用可控结晶技术,通过改变结晶时间(1~1000 min),制备一系列微观结构逐渐改变的玻璃陶瓷纳米复合材料。X射线衍射(XRD)与透射电镜(TEM)结果表明,随着结晶时间由1 min增加至1000 min,Pb O-Ba O-Na2O-Nb2O5-Si O2(PBNNS)体系玻璃陶瓷的晶粒尺寸由几十纳米增大到几百纳米,但结晶相几乎没有变化。介电特性研究结果表明,PBNNS玻璃陶瓷的介电常数及其温度稳定性、电场稳定性均强烈依赖于结晶时间;PBNNS玻璃陶瓷的极化曲线随着结晶时间增加呈现铁电极化趋势。此外,对极化曲线的计算结果表明,样品的能量密度随结晶时间逐渐增加,而能量释放效率逐渐降低;结晶时间为1 min的样品能量释放效率最高,达到87.8%,这可能是由于PBNNS玻璃陶瓷中存在较弱的界面极化行为所致。

关键词：玻璃陶瓷晶粒尺寸结晶时间介电性能能量密度能量释放效率

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核-壳和中空多面体二氧化钛制备、表征及光催化

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无机化学学报 2013年第7期29卷 1419-1427页

作者：何明明莫茂松北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

本文采用水热法控制制备了具有特殊纳米结构的核-壳和中空多面体二氧化钛,以进一步提高具有特定暴露面多面体二氧化钛的比表面积,达到更优异的光催化效果。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等技术对所制备特殊结构二氧... 详细信息

本文采用水热法控制制备了具有特殊纳米结构的核-壳和中空多面体二氧化钛,以进一步提高具有特定暴露面多面体二氧化钛的比表面积,达到更优异的光催化效果。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等技术对所制备特殊结构二氧化钛的物相和微/纳结构进行表征分析,结果表明所得核-壳和中空结构多面体二氧化钛具有一个类似隧道结构的(001)/(001)洞开的截顶双金字塔型壳层。这两种特殊结构的形成可能是源于配位/弱酸性腐蚀原理的共同作用。用核-壳和中空结构二氧化钛对亚甲基蓝进行光降解实验,结果表明:两种新颖结构二氧化钛具有优异的光催化性能,尤其是在添加过氧化氢条件下。可能原因是:两种特殊结构二氧化钛大比表面积正面作用抵消了(001)晶面消失或减少所产生的副作用,以及过氧化氢在光催化反应中提供的活性氢氧根自由基使得光辐照二氧化钛产生的电子-空穴对在催化剂表面得到有效分离。

关键词：多面体核-壳结构中空结构二氧化钛光催化水热合成

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AuSi_x(x=1/2,1/7)纳米颗粒的制备及光致发光性能研究

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光学学报 2010年第8期30卷 2338-2343页

作者：黄立娟王磊杜军北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300℃真空原位退火30min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)观察发现,退火前样品表面是一层平整的薄膜,而退火后样品表面形成均匀分布的岛状纳米颗粒,颗粒... 详细信息

采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300℃真空原位退火30min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显微镜(TEM)观察发现,退火前样品表面是一层平整的薄膜,而退火后样品表面形成均匀分布的岛状纳米颗粒,颗粒直径为10～20nm,面密度约1×1011cm-2。X射线光电子能谱(XPS)及TEM分析表明,退火后样品表面形成单晶结构的AuSix(x=1/2,1/7)纳米颗粒。室温下对退火后样品的光致发光(PL)特性进行测试,样品在580,628和700nm处出现三个发光峰,经过分析这些发光峰与样品表面的SiO2结构,AuSix纳米颗粒周围的悬挂键等缺陷以及样品表面SiO2纳米结构中的无桥联氧等因素有关。

关键词：纳米颗粒光致发光磁控溅射 AuSix

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流延成型法制备Mn掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/MgO陶瓷及其介电性能

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硅酸盐学报 2010年第3期38卷 387-392页

作者：宋占永董桂霞杨志民马书旺北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

用流延成型法制备Mn掺杂钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)/MgO复相陶瓷厚膜,介绍从制粉、流延浆料制备到厚膜的脱脂及烧结的整个工艺流程。通过差热-热重测试曲线分析Mn掺杂BST/MgO流延膜的脱脂特性,制定膜片的脱脂工艺。用扫描电镜观察不同... 详细信息

用流延成型法制备Mn掺杂钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)/MgO复相陶瓷厚膜,介绍从制粉、流延浆料制备到厚膜的脱脂及烧结的整个工艺流程。通过差热-热重测试曲线分析Mn掺杂BST/MgO流延膜的脱脂特性,制定膜片的脱脂工艺。用扫描电镜观察不同温度烧结样品的微观结构,确定最佳厚膜烧结工艺,在1320℃和1350℃烧结的陶瓷厚膜样品的相对密度达到96.1%。分析研究不同温度烧结陶瓷厚膜的介电性能的结果表明:1350℃烧结样品的室温相对介电常数为108,介电损耗低于0.002,Curie温度在-70℃左右,介电常数可调率为25.15%。

关键词：流延成型脱脂烧结介电性能

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Pb_2Nb_2O_7-NaNbO_3-SiO_2纳米复合材料的制备及其介电性能

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中国有色金属学报 2008年第2期18卷 301-306页

作者：杜军唐群罗君董桂霞北京有色金属研究总院先进电子材料研究所北京100088

通过辊压成型及随后的可控结晶过程，制备Pb2Nb2O7-NaNbO3-SiO2系纳米复合材料。X射线衍射分析结果表明：温度为750-000℃时，Pb2Nb2O7，NaNbO3和PbNb2O6晶相可在玻璃基体中析出：Pb2Nb2O7相在750℃结晶析出，850℃消失；NaNbO3为850℃... 详细信息

通过辊压成型及随后的可控结晶过程，制备Pb2Nb2O7-NaNbO3-SiO2系纳米复合材料。X射线衍射分析结果表明：温度为750-000℃时，Pb2Nb2O7，NaNbO3和PbNb2O6晶相可在玻璃基体中析出：Pb2Nb2O7相在750℃结晶析出，850℃消失；NaNbO3为850℃时的主晶相：而PbNb2O6相的晶化温度为850℃；由可控结晶技术制备的玻璃陶瓷介电性能受热处理过程中所形成的相组成影响很大；试样在850℃退火3h，具有最高的介电常数（〉600）。微观结构分析结果表明，残余玻璃相填充在纳米晶粒的晶界处。电镜分析进一步发现，850℃退火3h的试样中不均匀地分布着纳米NaNbO3和PbNb2O6颗粒，这是材料具有高介电常数的主要原因。

关键词：玻璃陶瓷铌酸盐介电性能显微结构电介质

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