检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2024年第3期36卷 41-45页

作者：张颜颜陈宏许建军邓坤刘东升刘巧中国电子科技集团公司第二十九研究所电磁空间安全全国重点实验室成都610036 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

对S波段永磁式全腔提取相对论磁控管进行了理论设计和数值模拟研究,并对其进行了实验研究。通过理论分析初步获取相对论磁控管结构参数,并采用三维电磁仿真软件对模型进行粒子仿真优化,根据引导磁场需求设计永磁磁场产生结构。该永磁式... 详细信息

对S波段永磁式全腔提取相对论磁控管进行了理论设计和数值模拟研究,并对其进行了实验研究。通过理论分析初步获取相对论磁控管结构参数,并采用三维电磁仿真软件对模型进行粒子仿真优化,根据引导磁场需求设计永磁磁场产生结构。该永磁式相对论磁控管在500 kV电压输入条件下,输出微波功率1.978 GW,效率49.2%。利用实验室小型脉冲功率驱动源平台开展了初步实验研究。实验中,该永磁式相对论磁控管在脉冲驱动源驱动下获得GW级输出功率,功率转换效率约40%,实验结果与模拟结果吻合得较好。

关键词：稀土永磁相对论磁控管高功率微波矩形波导脉冲驱动源

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纳米边缘发射真空沟道三极管的研究

纳米边缘发射真空沟道三极管的研究

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中国电子学会真空电子学分会第二十一届学术年会

作者：韩攀阳李兴辉蔡军冯进军廖复疆大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京真空电子技术研究所

本文通过电子束蒸发和聚焦离子束刻蚀工艺制备了一种结合了固态器件和真空电子器件两者优势的新型器件—纳米边缘发射真空沟道三极管。我们研究了相关的微纳加工工艺和电子场发射机制,测试了其电子发射特性并且得到了相关的曲线。此研... 详细信息

本文通过电子束蒸发和聚焦离子束刻蚀工艺制备了一种结合了固态器件和真空电子器件两者优势的新型器件—纳米边缘发射真空沟道三极管。我们研究了相关的微纳加工工艺和电子场发射机制,测试了其电子发射特性并且得到了相关的曲线。此研究的目的是为了得到一种真空电子器件,它有着高的电子传输速率、低能耗、能够在严峻的环境下工作,并且可以集成到电路。

关键词：纳米尺寸边缘发射薄膜微纳加工真空沟道三极管

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Spindt阴极可靠性物理问题

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真空电子技术 2017年第6期30卷 7-11,38页

作者：廖复疆北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文研究了Spindt阴极不可靠的主要原因,是其结构中的肖特基二极管。将肖特基二极管从Spindt阴极中移去,可消除其打火现象;用浇铸法或其他方法在金属基片上制造微尖阵列,可以实现可靠的场致发射阴极;双栅极微尖阵列可以改善电子注的聚... 详细信息

本文研究了Spindt阴极不可靠的主要原因,是其结构中的肖特基二极管。将肖特基二极管从Spindt阴极中移去,可消除其打火现象;用浇铸法或其他方法在金属基片上制造微尖阵列,可以实现可靠的场致发射阴极;双栅极微尖阵列可以改善电子注的聚焦特性,有助于推动其在微波管和太赫兹管中的应用。

关键词： Spindt阴极场致发射肖特基二极管

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纳米真空沟道三极管

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真空电子技术 2017年第6期30卷 1-6,24页

作者：廖复疆北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文描述了一种新型纳米真空沟道三极管,在纳米尺度下使电子在真空中实现弹道传输,大大优于半导体载流子在介质中的传输,从而使器件的信息处理速度得到极大地提高。纳米真空沟道三极管有三种途径获得,一是采用场致发射电子源,构建纳米... 详细信息

本文描述了一种新型纳米真空沟道三极管,在纳米尺度下使电子在真空中实现弹道传输,大大优于半导体载流子在介质中的传输,从而使器件的信息处理速度得到极大地提高。纳米真空沟道三极管有三种途径获得,一是采用场致发射电子源,构建纳米真空沟道三极管;二是采用肖特基二极管中的二维电子气作为电子源,构成纳米真空沟道三极管;三是采用激光照射产生的光电子作为电子源,构成纳米真空沟道三极管。无论采用哪一种电子源都是可以用来制造新型纳米真空沟道三极管的电子源,都值得我们进一步研究。

关键词：毫米波太赫兹波真空电子光子带隙 TWT 纳米真空三极管

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国内外真空开关管用95%Al_2O_3陶瓷分析

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真空电子技术 2015年第4期28卷 39-42页

作者：张巨先尚阿曼田志英北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文通过对不同工艺和不同化学配方的真空开关管用95%Al2O3陶瓷的显微结构进行分析,来研究化学配方及制备工艺对材料性能的影响。此外,通过对比国内外真空开关管用95%Al2O3陶瓷的显微结构,从配方和工艺两个角度,探讨了真空开关管用95%Al... 详细信息

本文通过对不同工艺和不同化学配方的真空开关管用95%Al2O3陶瓷的显微结构进行分析,来研究化学配方及制备工艺对材料性能的影响。此外,通过对比国内外真空开关管用95%Al2O3陶瓷的显微结构,从配方和工艺两个角度,探讨了真空开关管用95%Al2O3陶瓷制备工艺的发展趋势。

关键词： 95%Al2O3陶瓷真空开关管显微结构化学组成制备工艺

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国内外真空开关管用95%Al2O3陶瓷分析

国内外真空开关管用95%Al2O3陶瓷分析

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全国电子陶瓷、陶瓷-金属封接第十五届会议

作者：张巨先尚阿曼田志英北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

关键词： 95%Al2O3陶瓷真空开关管显微结构化学组成制备工艺

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W波段回旋行波管收集极热可靠性设计

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强激光与粒子束 2014年第11期26卷 110-113页

作者：孙昊王峨锋朱源曾旭冯进军闫铁昌北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

利用粒子模拟软件和热分析软件,对W波段回旋行波管收集极区的电子轨迹和热分布进行了仿真计算。通过对收集极磁场参数的优化,调节了收集极区的电子分布,使得电子轰击区域从17.05cm2增加到28.52cm2,提高了67%,从而降低了单位面积的功率... 详细信息

利用粒子模拟软件和热分析软件,对W波段回旋行波管收集极区的电子轨迹和热分布进行了仿真计算。通过对收集极磁场参数的优化,调节了收集极区的电子分布,使得电子轰击区域从17.05cm2增加到28.52cm2,提高了67%,从而降低了单位面积的功率密度。通过对收集极内壁热分布的仿真分析,确定了1kW/cm2的功率密度及1.12L/s的冷却水流量,以确保收集极内壁温度低于材料熔点,不会产生物理损坏,使得收集极能够稳定工作,保证了管子的工作稳定性。通过热仿真计算验证了优化方案的可行性,并已应用于实际。

关键词：回旋行波管收集极粒子模拟电子轨迹热仿真

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空间行波管电子枪中阴极热形变及冷启动特性研究

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真空电子技术 2014年第1期27卷 10-13页

作者：尚艳华北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文利用ANSYS软件对空间行波管的电子枪进行了稳态热分析,得到了电子枪阴极温度随灯丝功率的变化结果,计算结果与试验结果一致,验证了ANSYS热分析的正确性。在此基础上分析了阴极的热形变对电子枪性能参数的影响,同时模拟了电子枪中阴... 详细信息

本文利用ANSYS软件对空间行波管的电子枪进行了稳态热分析,得到了电子枪阴极温度随灯丝功率的变化结果,计算结果与试验结果一致,验证了ANSYS热分析的正确性。在此基础上分析了阴极的热形变对电子枪性能参数的影响,同时模拟了电子枪中阴极的冷启动情况,得出阴极在-35℃条件下,在210s内阴极温度可以达到正常工作温度980℃。

关键词：空间行波管电子枪阴极热形变冷启动

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高纯细晶Al_2O_3陶瓷金属化工艺研究

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真空电子技术 2014年第5期27卷 76-80页

作者：陈丽梅黄亦工张巨先北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶Al2O3陶瓷的封接性能进行研究和分析。其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20μm、在1450... 详细信息

本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶Al2O3陶瓷的封接性能进行研究和分析。其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20μm、在1450℃下烧结,镍层的厚度5μm左右时,其平均抗拉强度可达143MPa,超出行业标准50%以上,其显微结构更加连贯、均匀、致密。

关键词：高纯细晶Al2O3陶瓷抗拉强度显微结构金属化层

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高纯细晶Al2O3陶瓷金属化工艺研究

高纯细晶Al2O3陶瓷金属化工艺研究

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作者：陈丽梅黄亦工张巨先北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

关键词：高纯细晶Al2O3陶瓷抗拉强度显微结构金属化层

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