检索结果-内蒙古大学图书馆

本文利用注波互作用自洽非线性理论，优化计算出注波互作用高频电路的参数，并采用分布损耗技术和模式变换技术，设计出了混合型高频互作用电路。该高频电路对工作模式衰减小，仅为1dB/cm，对振荡模式衰减量大，因而可有效抑制回旋行波管管内寄生振荡。采用该高频电路的回旋行波管希望能够在毫米波段实现高功率、宽频带稳定输出。

关键词：回旋行波管高频电路优化设计 Ka波段

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微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究

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真空科学与技术学报 2007年第5期27卷 363-366页

作者：陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军邵文生北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京749信箱41分箱北京100016

本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强... 详细信息

本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。

关键词：微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极直流等离子体增强化学气相沉积

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毫米波行波管金刚石夹持高频结构的设计和优化

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真空电子技术 2007年第3期20卷 6-8页

作者：陈波北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

利用TWTCAD软件和美国一维螺旋线行波管大信号计算程序对金刚石夹持高频结构和氧化铍高频结构进行了模拟计算,模拟结果表明采用金刚石作为夹持材料可以大大提高高频结构的耦合阻抗和电子效率,同时在采用非均匀输出线路设计时,金刚石结... 详细信息

利用TWTCAD软件和美国一维螺旋线行波管大信号计算程序对金刚石夹持高频结构和氧化铍高频结构进行了模拟计算,模拟结果表明采用金刚石作为夹持材料可以大大提高高频结构的耦合阻抗和电子效率,同时在采用非均匀输出线路设计时,金刚石结构对电子效率的提高更为明显。

关键词：金刚石高频结构耦合阻抗电子效率

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用边界元法计算回旋管单阳极磁控注入枪

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真空电子技术 2007年第5期20卷 6-9页

作者：李志良朱敏北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

提出了以边界元法作为理论基础,分析磁控注入枪问题,推导出用边界元法计算这类问题的基本理论方程。并根据整管要求,设计了单阳极磁控注入枪。利用Fortran语言编制了一个模拟计算磁控注入枪的程序,利用计算机辅助设计,给出了电极形状、... 详细信息

提出了以边界元法作为理论基础,分析磁控注入枪问题,推导出用边界元法计算这类问题的基本理论方程。并根据整管要求,设计了单阳极磁控注入枪。利用Fortran语言编制了一个模拟计算磁控注入枪的程序,利用计算机辅助设计,给出了电极形状、电子轨迹和电子注参量。理论分析和实际计算结果表明,利用边界元方法分析磁控注入枪是一种有效的方法,具有很好的优点,这为分析电子光学系统提供了一条有效途径。

关键词：边界元法回旋管磁控注入枪优化数值模拟

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钮销支撑螺旋线慢波结构色散特性及二次谐波抑制研究

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真空电子技术 2007年第3期20卷 1-5页

作者：胡明辉廖复疆马少云张健黄福金李发李伟石明孟令图苏德新北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

寻求频带更宽、输出功率更大、体积更小的螺旋线行波管一直是研制工作的目标,二次谐波是影响宽带行波管工作的重要因素,本文对不同形式介质加载的螺旋线慢波结构进行了模拟,并对其中色散曲线最为平坦的钮销慢波结构进行了一维大信号模拟... 详细信息

寻求频带更宽、输出功率更大、体积更小的螺旋线行波管一直是研制工作的目标,二次谐波是影响宽带行波管工作的重要因素,本文对不同形式介质加载的螺旋线慢波结构进行了模拟,并对其中色散曲线最为平坦的钮销慢波结构进行了一维大信号模拟,证明改变螺距或夹持介质形状可有效展宽带宽、降低二次谐波功率。

关键词：螺旋线行波管色散饱和输出功率二次谐波

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微波功率模块中高效率灯丝电源的设计

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电子器件 2006年第4期29卷 1085-1089页

作者：李文陈银杏冯进军雷虹北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016 山东大学信息科学与工程学院济南250100

设计了可有效提高效率的小功率常规集成电源电路。在Pspice仿真的基础上,介绍了利用Magnetics Designer软件设计、优化高频变压器的方法,分析了合理选择开关管、输出整流管及RCD箝位电路参数的依据。通过实验测试,设计的灯丝电源在兼顾... 详细信息

设计了可有效提高效率的小功率常规集成电源电路。在Pspice仿真的基础上,介绍了利用Magnetics Designer软件设计、优化高频变压器的方法,分析了合理选择开关管、输出整流管及RCD箝位电路参数的依据。通过实验测试,设计的灯丝电源在兼顾小型化的同时,满载效率达到92%。

关键词：微波功率模块小型化电源高效率仿真

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敷ZrC的Mo Spindt阵列阴极的发射性能

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真空电子技术 2006年第3期19卷 57-60页

作者：李含雁丁明清冯进军李兴辉张甫权白国栋北京真空电子技术研究大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

对Spin＆阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷，所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后，立刻沉积ZrC薄膜，其中，ZrC厚度为5～10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极（ZrC FEA）在... 详细信息

对Spin＆阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷，所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后，立刻沉积ZrC薄膜，其中，ZrC厚度为5～10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极（ZrC FEA）在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能，如相同栅极电压下的发射电流密度升高，开启电压降低。为清洁和光滑发射体表面，本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理，并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化。

关键词： Mo Spindt阵列阴极 ZrC FEA 发射电流密度开启电压场解吸附

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场发射阵列阴极制作中的感应耦合等离子体刻蚀技术

场发射阵列阴极制作中的感应耦合等离子体刻蚀技术

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中国电子学会真空电子学分会第十五届学术年会暨军用微波管研讨会

作者：李兴辉北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 100016

本文对于在Spindt型场发射阵列阴极制作过程中,应用高密度感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma)作为微细加工手段,进行了理论分析和工艺研究.讨论了刻蚀过程中的几个关键工艺参数,如感应耦合功率、刻蚀功率以及反应气压对于刻蚀... 详细信息

本文对于在Spindt型场发射阵列阴极制作过程中,应用高密度感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma)作为微细加工手段,进行了理论分析和工艺研究.讨论了刻蚀过程中的几个关键工艺参数,如感应耦合功率、刻蚀功率以及反应气压对于刻蚀速率和刻蚀质量的影响,摸索了得到理想的Mo栅极微孔阵列图形的工艺条件.

关键词：反应离子刻蚀场发射阵列阴极感应耦合等离子体刻蚀技术

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