检索结果-内蒙古大学图书馆

第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

作者：李志良冯进军王峨锋刘本田曾旭张杨北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京 100015

本文以TE02为工作模式，对W波段二次谐波回旋行波管的注波互作用进行了系统的理论研究。通过稳定性分析，给出了一个W波段二次谐波TE02模回旋行波管的数值模拟结果，获得465kW输出功率，23％的效率，49dB的饱和增益和6%的带宽结果。而... 详细信息

本文以TE02为工作模式，对W波段二次谐波回旋行波管的注波互作用进行了系统的理论研究。通过稳定性分析，给出了一个W波段二次谐波TE02模回旋行波管的数值模拟结果，获得465kW输出功率，23％的效率，49dB的饱和增益和6%的带宽结果。而且，利用祸合波理论设计了一个TE02-TE01模式变换器，获得效率在95%以上时，带宽达到4GHz。

关键词：回旋行波管放大器模式耦合器二次谐波

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高纯细晶Al2O3陶瓷金属化工艺研究

高纯细晶Al2O3陶瓷金属化工艺研究

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全国电子陶瓷、陶瓷——金属封接第十四届会议暨真空电子与专用金属材料分会2014年年会

作者：陈丽梅黄亦工张巨先北京真空电子技术研究所北京100015 北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶AlO3陶瓷的封接性能进行研究和分析.其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20μm、在1450℃... 详细信息

本文主要从金属化配方、涂膏方法、金属化层的厚度、金属化温度和镍层的厚度等工艺角度对高纯、细晶AlO3陶瓷的封接性能进行研究和分析.其结果显示,采用高Mo含量的金属化膏剂、丝网印刷的涂膏方法、金属化层的厚度约为20μm、在1450℃下烧结,镍层的厚度5μm左右时,其平均抗拉强度可达143MPa,超出行业标准50％以上,其显微结构更加连贯、均匀、致密.

关键词：氧化铝陶瓷金属化工艺抗拉强度显微结构

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低介电损耗、细晶Al_2O_3陶瓷材料应用性能研究

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真空电子技术 2013年第4期26卷 19-22页

作者：张巨先北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文从低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷的材料性能及其封接件焊接性能、疲劳可靠性、高温Mo-Mn金属机理四个方面,综合介绍了细晶Al2O3陶瓷材料应用性能的研究情况,从研究结果看,低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷材料具有优良的应用性能,是高性能微... 详细信息

本文从低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷的材料性能及其封接件焊接性能、疲劳可靠性、高温Mo-Mn金属机理四个方面,综合介绍了细晶Al2O3陶瓷材料应用性能的研究情况,从研究结果看,低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷材料具有优良的应用性能,是高性能微波器件的理想介质材料。

关键词：细晶Al2O3陶瓷焊接性能疲劳可靠性金属化机理

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V波段空间行波管研制

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真空电子技术 2013年第2期26卷 52-54页

作者：李力瞿波冯进军尚艳华北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文介绍了国内外V波段空间行波管研究进展,给出了作者在V波段空间行波管设计和性能测试结果。V波段空间行波管电子枪采用传统皮尔斯型电子枪,高频采用螺旋线结构,为了提高行波管效率,采用四降压收集极。测试结果表明在工作频带内V波段... 详细信息

本文介绍了国内外V波段空间行波管研究进展,给出了作者在V波段空间行波管设计和性能测试结果。V波段空间行波管电子枪采用传统皮尔斯型电子枪,高频采用螺旋线结构,为了提高行波管效率,采用四降压收集极。测试结果表明在工作频带内V波段空间行波管连续波饱和输出功率超过20 W,总效率超过21.8%,行波管动态流通率超过98%,在整个工作频带内行波管饱和增益超过了43dB。

关键词：行波管 V波段效率增益

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99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究

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真空电子技术 2013年第4期26卷 23-26页

作者：陈丽梅张巨先北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验。封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当。通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶... 详细信息

采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验。封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当。通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶瓷中的分布情况分析,探讨了99%氧化铍陶瓷Mo-Mn金属化机理。研究发现,99%氧化铍陶瓷金属化时,在氧化铍陶瓷和Mo海绵骨架中间形成了一层约3μm的过渡层,金属化层的Mo海绵骨架结构通过过渡层与氧化铍陶瓷基体紧密连接。

关键词： 99％氧化铍陶瓷 Mo-Mn金属化封接强度金属化机理过渡层玻璃相

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高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响

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真空电子技术 2013年第4期26卷 27-30页

作者：尚阿曼高鸣黄亦工张巨先北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品。利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进行分析。然后,将各种不同表面形貌的高纯Al... 详细信息

本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品。利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描电镜对其表面显微形貌进行分析。然后,将各种不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷进行高温Mo-Mn法金属化,并用Ag焊料进行封接。最后,测试出不同表面形貌的高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度,进而研究高纯氧化铝陶瓷表面形貌对其Mo-Mn金属化封接强度的影响。结果发现,表面未加工高纯Al2O3陶瓷金属化封接强度高、一致性最好。

关键词：高纯Al2O3陶瓷表面形貌高温Mo-Mn法金属化封接强度

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Mo-Mn金属化层对氧化铝陶瓷抗折强度的影响

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真空电子技术 2013年第4期26卷 31-34页

作者：田志英陈丽梅张巨先北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文通过比较95% Al2O3瓷和高纯Al2O3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度。约25μm厚的金属化层使95% Al2O3瓷的抗折强度提高20%左右,使高纯Al2O3瓷抗折强度的提高则高达70%。实验通过扫描电镜及光学... 详细信息

本文通过比较95% Al2O3瓷和高纯Al2O3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度。约25μm厚的金属化层使95% Al2O3瓷的抗折强度提高20%左右,使高纯Al2O3瓷抗折强度的提高则高达70%。实验通过扫描电镜及光学显微镜观察分析,认为金属化层提高瓷件抗折强度的主要原因是金属化层通过塑性变形吸收了来自裂纹扩展的大量能量。

关键词： Al2O3瓷金属化热处理抗折强度

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低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷材料应用性能研究

低介电损耗、细晶Al2O3陶瓷材料应用性能研究

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作者：张巨先北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室