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文献类型

  • 65 篇 期刊文献
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馆藏范围

  • 112 篇 电子文献
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学科分类号

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  • 7 篇 理学
    • 7 篇 物理学
    • 1 篇 化学

主题

  • 18 篇 行波管
  • 12 篇 金属化机理
  • 11 篇 封接强度
  • 8 篇 太赫兹
  • 7 篇 mo-mn金属化
  • 6 篇 二次谐波
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  • 6 篇 毫米波
  • 6 篇 w波段
  • 5 篇 微波管
  • 4 篇 氧化铝陶瓷
  • 4 篇 封接
  • 4 篇 回旋行波管
  • 4 篇 韦伯模数
  • 4 篇 输出功率
  • 4 篇 螺旋线行波管
  • 4 篇 抗折强度
  • 4 篇 边界元法
  • 4 篇 效率
  • 4 篇 表面形貌

机构

  • 55 篇 北京真空电子技术...
  • 50 篇 北京真空电子技术...
  • 32 篇 大功率微波电真空...
  • 3 篇 山东大学
  • 2 篇 大功率微波电真空...
  • 1 篇 department of el...
  • 1 篇 同济大学
  • 1 篇 北京真空电子技术...
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 北京真空电子技术...
  • 1 篇 阴极室 北京真空电...
  • 1 篇 department of el...
  • 1 篇 北京真空电子技术...
  • 1 篇 北京真空电子技术...

作者

  • 57 篇 冯进军
  • 37 篇 张巨先
  • 12 篇 陈丽梅
  • 11 篇 黄亦工
  • 10 篇 李志良
  • 10 篇 李力
  • 10 篇 瞿波
  • 10 篇 李兴辉
  • 10 篇 尚阿曼
  • 10 篇 丁明清
  • 10 篇 石明
  • 9 篇 高陇桥
  • 9 篇 刘本田
  • 9 篇 白国栋
  • 8 篇 田志英
  • 8 篇 王峨锋
  • 8 篇 尚艳华
  • 8 篇 刘征
  • 7 篇 胡银富
  • 7 篇 蔡军

语言

  • 112 篇 中文
检索条件"机构=北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技实验室"
112 条 记 录,以下是21-30 订阅
排序:
Ka波段平面化行波管慢波路设计
Ka波段平面化行波管慢波电路设计
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
作者: 任大鹏 李莉莉 冯进军 蔡军 胡银富 邬显平 北京真空电子技术研究所 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室
本文设计了一种新型曲折线慢波结构,应用理论公式分析了慢波结构特性,利用磁仿真软件模拟了不同介质基片下慢波结构的"冷特性",结果表明利用金刚石做基片可以得到了较低的损耗和较弱的介质加载,并对基片加工工艺进行了展望。
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高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响
高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响
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作者: 尚阿曼 高鸣 黄亦工 张巨先 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京真空电子技术研究所
本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al_2O_3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al_2O_3陶瓷样品。利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描镜对其表面显微形貌进行分析。然后,将各种不同表面形貌的高... 详细信息
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99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究
99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究
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作者: 陈丽梅 张巨先 北京真空电子技术研究所 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室
采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验。封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当。通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶... 详细信息
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低介损耗、细晶Al_2O_3陶瓷材料应用性能研究
低介电损耗、细晶Al_2O_3陶瓷材料应用性能研究
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作者: 张巨先 北京真空电子技术研究所 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室
本文从低介损耗、细晶Al_2O_3陶瓷的材料性能及其封接件焊接性能、疲劳可靠性、高温Mo-Mn金属机理四个方面,综合介绍了细晶Al_2O_3陶瓷材料应用性能的研究情况,从研究结果看,低介损耗、细晶Al_2O_3陶瓷材料具有优良的应用性能,是高... 详细信息
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Mo-Mn金属化层对氧化铝陶瓷抗折强度的影响
Mo-Mn金属化层对氧化铝陶瓷抗折强度的影响
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作者: 田志英 陈丽梅 张巨先 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京真空电子技术研究所
本文通过比较95%Al_2O_3瓷和高纯Al_2O_3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度。约25μm厚的金属化层使95%Al_2O_3瓷的抗折强度提高20%左右,使高纯Al_2O_3瓷抗折强度的提高则高达70%。实验通过扫描镜... 详细信息
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99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究
99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究
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作者: 陈丽梅 张巨先 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京真空电子技术研究所
采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验。封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当。通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶... 详细信息
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低介损耗、细晶A1203陶瓷材料应用性能研究
低介电损耗、细晶A1203陶瓷材料应用性能研究
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全国电子陶瓷、陶瓷-金属封接第十三届会议暨真空电子与专用金属材料分会2013年年会
作者: 张巨先 北京真空电子技术研究所 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015
本文从低介损耗、细晶A12O3陶瓷的材料性能及其封接件焊接性能、疲劳可靠性、高温Mo-Mn金属机理四个方面,综合介绍了细晶Al2O3陶瓷材料应用性能的研究情况,从研究结果看,低介损耗、细晶Al2O3陶瓷材料具有优良的应用性能,是高性能微... 详细信息
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99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究
99%氧化铍陶瓷活化Mo-Mn金属化机理研究
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全国电子陶瓷、陶瓷-金属封接第十三届会议暨真空电子与专用金属材料分会2013年年会
作者: 陈丽梅 张巨先 北京真空电子技术研究所 北京100015 北京真空电子技术研究所 北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015
采用活化Mo-Mn法对99%氧化铍陶瓷进行了金属化实验和抗拉强度实验.封接强度实验结果表明,活化Mo-Mn法适合99%氧化铍陶瓷金属化封接,其焊接强度与氧化铝陶瓷相当.通过对99%氧化铍陶瓷金属化层的显微结构及金属层中的元素在金属层及陶... 详细信息
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Mo-Mn金属化层对氧化铝陶瓷抗折强度的影响
Mo-Mn金属化层对氧化铝陶瓷抗折强度的影响
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全国电子陶瓷、陶瓷-金属封接第十三届会议暨真空电子与专用金属材料分会2013年年会
作者: 田志英 陈丽梅 张巨先 北京真空电子技术研究所北京100015 北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京100015
本文通过比较95%Al2O3瓷和高纯A12O3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度.约25pm厚的金属化层使95%Al2O3;瓷的抗折强度提高20%左右,使高纯A12O3瓷抗折强度的提高则高达70%.实验通过扫描镜及光学... 详细信息
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高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响
高纯氧化铝陶瓷表面形貌对Mo-Mn法金属化封接强度的影响
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全国电子陶瓷、陶瓷-金属封接第十三届会议暨真空电子与专用金属材料分会2013年年会
作者: 尚阿曼 高鸣 黄亦工 张巨先 北京真空电子技术研究所 北京100015 北京真空电子技术研究所 北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 北京100015
本文通过不同烧结温度制备出两种显微结构的高纯Al2O3陶瓷,采用四种不同的加工方式,制备出不同表面状态的高纯Al2O3陶瓷样品.利用轮廓仪测量样品表面粗糙度,并利用扫描镜对其表面显微形貌进行分析.然后,将各种不同表面形貌的高纯Al2O... 详细信息
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