检索结果-内蒙古大学图书馆

真空电子技术 2011年第6期24卷 21-25页

作者：任大鹏冯进军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

斜注管是返波管的一种,其基本原理是将电子注稍微倾斜于慢波结构表面,通过改变电子注的倾角来优化有效互作用长度,达到更高的输出功率和效率。本文论述了斜注管的基本原理,对其冷特性进行了研究,初步设计了W波段斜注管慢波结构,并利用3... 详细信息

斜注管是返波管的一种,其基本原理是将电子注稍微倾斜于慢波结构表面,通过改变电子注的倾角来优化有效互作用长度,达到更高的输出功率和效率。本文论述了斜注管的基本原理,对其冷特性进行了研究,初步设计了W波段斜注管慢波结构,并利用3D电磁模拟软件,对其注-波互作用进行了模拟,模拟得到20W的输出功率以及15GHz的带宽。

关键词：斜注管冷特性注波互作用模拟 W波段返波管

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散射参数法微波材料电磁特性自动测试系统及求解多值性的解决方案

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真空电子技术 2011年第6期24卷 16-20页

作者：李镇远梁友焕北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

研发了一套利用散射参数法测量材料电磁特性的自动测试系统,其配套软件功能强大完善且完全商业化,可以快速有效地测量正切损耗角大于0.1的微波材料的复介电常数与导磁率等10项特性参数。首次提出了"尝试-比较"法,以实验结果... 详细信息

研发了一套利用散射参数法测量材料电磁特性的自动测试系统,其配套软件功能强大完善且完全商业化,可以快速有效地测量正切损耗角大于0.1的微波材料的复介电常数与导磁率等10项特性参数。首次提出了"尝试-比较"法,以实验结果证明了其有效性,解决了长期存在的求解多值性难题,进一步完善了散射参数法。

关键词：自动测试系统散射参数法材料介电常数与导磁率多值性

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W波段返波振荡器电子光学系统的设计与模拟

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真空电子技术 2011年第1期24卷 36-38页

作者：唐烨冯进军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文对W波段返波振荡器的电子光学系统进行了设计和模拟研究,软件模拟结果显示在W波段电子枪的工作电流为12mA;设计了特殊的磁场结构,使系统磁场在长为80mm的范围内为0.63T。研究工作为W波段返波振荡器的研制打下了基础。

关键词： W波段返波振荡器均匀磁场电子枪

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氧化铝陶瓷的Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化工艺研究

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真空电子技术 2011年第1期24卷 26-29页

作者：荀燕红张巨先陈丽梅高陇桥北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以... 详细信息

用Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化两种氧化铝陶瓷材料。封接强度实验结果表明,Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂不适宜高纯Al2O3陶瓷的金属化封接,而比较适宜95%Al2O3陶瓷的金属化封接。用该膏剂金属化95%Al2O3陶瓷,其焊接强度最高值可达150MPa以上。通过显微结构分析发现,高纯Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷金属化的机理不同,前者中玻璃相仅仅通过高温熔解-沉析与表面的Al2O3晶粒反应,后者金属化层内玻璃相与陶瓷内玻璃相相互迁移渗透。

关键词： Mo-Mn-Ti-Si-Al系统膏剂金属化机理 95%Al2O3陶瓷高纯Al2O3陶瓷

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氧化铝陶瓷封接强度的统计分析

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真空电子技术 2011年第4期24卷 23-26页

作者：石明张巨先刘征高陇桥黄亦工北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

采用Weibull分布和正态分布,对氧化铝陶瓷封接强度进行统计分析,并通过Weibull模数和变异系数来表征了材料强度的离散性。同时通过Weibull分布,比较了标准组合抗拉强度、拉钉强度和抗折强度测试的数据。

关键词：封接统计分析 Weibull模数变异系数

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氧化铝陶瓷加工表面粗糙度与材料显微结构间关系

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真空电子技术 2011年第6期24卷 44-46页

作者：高鸣曹昆冯佳伦张云贺刘钊张巨先北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

通过研究四种显微结构不同的Al2O3陶瓷加工表面粗糙度的变化规律,来探讨Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度与其显微结构的关系。结果表明,Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度决定于磨料粒径和材料显微结构。总的来说,磨料粒径和陶瓷晶粒越小,表面... 详细信息

通过研究四种显微结构不同的Al2O3陶瓷加工表面粗糙度的变化规律,来探讨Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度与其显微结构的关系。结果表明,Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度决定于磨料粒径和材料显微结构。总的来说,磨料粒径和陶瓷晶粒越小,表面粗糙度精度越高。当磨料粒径降到与陶瓷晶粒尺寸级别相当,或者更小时,决定Al2O3陶瓷材料加工表面粗糙度的关键因素是材料气孔的大小数量。材料越致密,其加工表面粗糙度的精度就能加工得越高。

关键词：氧化铝陶瓷表面粗糙度显微结构

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高纯、细晶Al_2O_3陶瓷的Mo-Mn金属化机理研究

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真空电子技术 2011年第4期24卷 19-22页

作者：张巨先石明尚阿曼北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶... 详细信息

通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷存在很大不同,高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化时,Al2O3相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大Al2O3颗粒表面析出。在Al2O3颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶Al2O3陶瓷的紧密结合。

关键词：高纯、细晶Al2O3陶瓷 Mo-Mn金属化金属化机理

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高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理研究

高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理研究

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真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：张巨先石明尚阿曼北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

通过对高纯、细晶AlO陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶AlO陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶AlO陶瓷的金属化机理与95%AlO陶瓷存在很... 详细信息

通过对高纯、细晶AlO陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶AlO陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶AlO陶瓷的金属化机理与95%AlO陶瓷存在很大不同,高纯、细晶AlO陶瓷金属化时,AlO相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大AlO颗粒表面析出。在AlO颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶AlO陶瓷的紧密结合。

关键词：高纯、细晶Al2O3陶瓷 Mo-Mn金属化金属化机理

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氧化铝陶瓷封接强度的统计分析

氧化铝陶瓷封接强度的统计分析

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真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：石明张巨先刘征高陇桥黄亦工北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

关键词：封接统计分析 Weibull模数变异系数

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Ka波段30 W空间行波管

Ka波段30 W空间行波管

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真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：李力冯进军瞿波北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

介绍了未来星际通讯用Ka波段30 W空间行波管的最新研究进展。行波管电子枪采用传统的皮尔斯型电子枪,高频结构采用螺旋线慢波结构和品型夹持结构,为了保证较高的收集极效率,采用四级降压收集极。测试结果表明在工作频带内行波管输出功... 详细信息

介绍了未来星际通讯用Ka波段30 W空间行波管的最新研究进展。行波管电子枪采用传统的皮尔斯型电子枪,高频结构采用螺旋线慢波结构和品型夹持结构,为了保证较高的收集极效率,采用四级降压收集极。测试结果表明在工作频带内行波管输出功率超过34.6 W,总效率超过47.5%。当行波管工作于低频状态时,行波管总效率超过了50%,已达到目前国外同等功率量级Ka波段空间行波管研究水平。

关键词：行波管输出功率效率 AM/PM

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