检索结果-内蒙古大学图书馆

第八届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：刘本田冯进军王峨锋李志良曾旭北京真空电子技术研究所，大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京，100015

本文给出了工作于TE01模式、基波Ka波段回旋行波管的设计和实验研究结果。所研制的回旋行波管高频互作用电路采用了衰减介质加载结构以抑制管内竞争模式TE11和TE21模式。在维持实验条件不变的情况下，仅调节输入功率使回旋管达到饱和输... 详细信息

本文给出了工作于TE01模式、基波Ka波段回旋行波管的设计和实验研究结果。所研制的回旋行波管高频互作用电路采用了衰减介质加载结构以抑制管内竞争模式TE11和TE21模式。在维持实验条件不变的情况下，仅调节输入功率使回旋管达到饱和输出，对所研制回旋行波管的放大性能进行了测试。工作电压68kV、电流10A条件下，实验测试获得了稳定放大频带为2.4GHz(相对带宽～7％)，最高峰值功率为235kW，饱和峰值功率波动小于1.5dB，管子的带内增益大于40dB，效率大于25％。实验测试结果表明，所研制的回旋行波管具有工作频带宽、峰值功率高、工作稳定性和频谱纯度高的特点。

关键词：毫米波段回旋行波管结构设计性能测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ka波段连续波行波管提高效率研究

Ka波段连续波行波管提高效率研究

引用

第八届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：冯进军瞿波刘明辉李力陈波丁明清北京真空电子技术研究所，大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室，北京 100015

本文针对Ka波段高效率行波管的特点，采用专门的设计技术提高电子互作用效率、收集极效率、电子流通率和采用匹配良好的输能系统，实现了Ka波段30W，55W，80W和100W系列连续波行波管，效率达到45％～60％范围。

关键词：毫米波段行波管结构分析优化设计

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

W波段折叠波导行波管

W波段折叠波导行波管

引用

第八届全国毫米波亚毫米波学术会议

作者：冯进军蔡军胡银富邬显平唐烨杜英华北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室，北京 100015

作者利用折叠波导慢波结构，设计和制作了W波段行波管，连续波行波管功率达到10W以上;脉冲行波管在20％工作比，输出功率达到100W以上，文章给出了设计、模拟和测试结果，并进行了讨论。

关键词：行波管折叠波导慢波结构模拟计算

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

引用

真空电子技术 2011年第4期24卷 49-56页

作者：李兴辉 Selvapraba Selvarasah Mehmet R.Dokmeci 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 Department of Electrical and Computer Engineering Northeastern UniversityBostonMA 02115USA

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图... 详细信息

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。

关键词：荫罩掩膜聚对二甲苯微细加工

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

引用

真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：李兴辉 Selvapraba Selvarasah Mehmet R. Dokmeci 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 Department of Electrical and Computer Engineering Northeastern University

关键词：荫罩掩膜聚对二甲苯微细加工

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极

引用

真空科学与技术学报 2010年第1期30卷 1-5页

作者：陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少... 详细信息

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。

关键词： UV光刻技术变倾角缩口定向碳纳米管的生长场发射阵列冷阴极

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

异型宝石与可伐封接件有限元应力分析