检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2009年第5期21卷 724-728页

作者：李志良冯进军王峨锋刘本田钱丽军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

根据边界元法建立物理与数学模型,编制了计算磁控注入枪的程序。使用该程序设计和模拟一个工作在35 GHz,70 kV,10 A基波回旋行波管放大器的双阳极磁控注入枪,获得较好的模拟结果。并对电子注在不同工作电压和磁场下的质量进行了分析计... 详细信息

根据边界元法建立物理与数学模型,编制了计算磁控注入枪的程序。使用该程序设计和模拟一个工作在35 GHz,70 kV,10 A基波回旋行波管放大器的双阳极磁控注入枪,获得较好的模拟结果。并对电子注在不同工作电压和磁场下的质量进行了分析计算。计算表明,边界元法在分析回旋器件电子光学方面是一种非常有效的方法。

关键词：回旋行波管边界元法磁控注入枪数值计算

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W波段回旋行波管收集极热可靠性设计

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强激光与粒子束 2014年第11期26卷 110-113页

作者：孙昊王峨锋朱源曾旭冯进军闫铁昌北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

利用粒子模拟软件和热分析软件,对W波段回旋行波管收集极区的电子轨迹和热分布进行了仿真计算。通过对收集极磁场参数的优化,调节了收集极区的电子分布,使得电子轰击区域从17.05cm2增加到28.52cm2,提高了67%,从而降低了单位面积的功率... 详细信息

利用粒子模拟软件和热分析软件,对W波段回旋行波管收集极区的电子轨迹和热分布进行了仿真计算。通过对收集极磁场参数的优化,调节了收集极区的电子分布,使得电子轰击区域从17.05cm2增加到28.52cm2,提高了67%,从而降低了单位面积的功率密度。通过对收集极内壁热分布的仿真分析,确定了1kW/cm2的功率密度及1.12L/s的冷却水流量,以确保收集极内壁温度低于材料熔点,不会产生物理损坏,使得收集极能够稳定工作,保证了管子的工作稳定性。通过热仿真计算验证了优化方案的可行性,并已应用于实际。

关键词：回旋行波管收集极粒子模拟电子轨迹热仿真

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利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极

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真空科学与技术学报 2010年第1期30卷 1-5页

作者：陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少... 详细信息

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。

关键词： UV光刻技术变倾角缩口定向碳纳米管的生长场发射阵列冷阴极

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无支撑、光学级MPCVD金刚石膜的研制

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真空科学与技术学报 2011年第6期31卷 661-665页

作者：丁明清陈长青白国栋李含雁冯进军胡银富大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京真空电子技术研究所北京100015

利用引进的6 kW微波等离子体化学气相沉积设备,进行了无支撑金刚石膜工艺的初步研究。在800~1050℃的基片温度范围内,金刚石膜都呈（111）择优取向;基片相对位置对沉积较大面积、光学级金刚石膜至关重要。制出0.25 mm厚Φ50 mm的无支撑... 详细信息

利用引进的6 kW微波等离子体化学气相沉积设备,进行了无支撑金刚石膜工艺的初步研究。在800~1050℃的基片温度范围内,金刚石膜都呈（111）择优取向;基片相对位置对沉积较大面积、光学级金刚石膜至关重要。制出0.25 mm厚Φ50 mm的无支撑金刚石膜。拉曼光谱和X射线衍射分析表明,合成的金刚石膜晶体结构完整,sp2含量极低;透过率测试结果说明了优良的光学性能：截止波长225 nm,光学透过率（λ≥2.5μm）≥70%。

关键词：微波等离子体化学气相沉积无支撑金刚石膜光学透过率

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具有二维光子带隙结构的太赫兹谐振腔的谐振特性

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光子学报 2008年第5期37卷 944-947页

作者：刘晓杰于海波余恬雷虹冯进军山东大学信息科学与工程学院济南250100 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

采用数值计算方法,模拟了具有二维光子带隙结构的太赫兹频段谐振腔的谐振模式场分布,计算了这种谐振腔的品质因数,详细分析了光子晶体结构、缺陷腔几何参量对谐振特性的影响·计算得到频率落在光子晶体禁带内的单一、高阶谐振模式,... 详细信息

采用数值计算方法,模拟了具有二维光子带隙结构的太赫兹频段谐振腔的谐振模式场分布,计算了这种谐振腔的品质因数,详细分析了光子晶体结构、缺陷腔几何参量对谐振特性的影响·计算得到频率落在光子晶体禁带内的单一、高阶谐振模式,且缺陷腔横向尺寸越大,谐振模式的阶数越高·这种谐振腔具有很高的品质因数,腔体的纵向长度对品质因数的影响较大·

关键词：光子带隙太赫兹谐振腔功率损耗品质因数

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共轴环光子晶体的缺陷微腔特性

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强激光与粒子束 2009年第8期21卷 1245-1249页

作者：刘晓杰雷虹余恬冯进军廖复疆山东大学信息科学与工程学院济南250100 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

采用数值计算方法,模拟了共轴环光子晶体缺陷微腔的谐振模式场分布,计算了此微腔的品质因数和功率损耗,并分析其几何参数对谐振特性的影响。以此缺陷微腔为基础构建周期性慢波系统,讨论了该系统的色散特性。结果表明,微腔中能够存在单... 详细信息

采用数值计算方法,模拟了共轴环光子晶体缺陷微腔的谐振模式场分布,计算了此微腔的品质因数和功率损耗,并分析其几何参数对谐振特性的影响。以此缺陷微腔为基础构建周期性慢波系统,讨论了该系统的色散特性。结果表明,微腔中能够存在单一的谐振模式,微腔的纵向长度和介质环介电常数对谐振特性影响较大。所构建的慢波系统有较宽的慢波频域,且慢波比曲线较为平坦。增大电子注开孔半径和减小周期长度对于提高工作频率及增加带宽较为有效。

关键词：光子晶体缺陷微腔功率损耗品质因数周期性慢波系统色散特性

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氧化铝陶瓷金属化封接件疲劳特性的研究

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硅酸盐通报 2012年第4期31卷 1035-1038页

作者：石明张巨先高陇桥刘征北京真空电子技术研究所北京100015 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

本文通过氧化铝陶瓷金属化封接件的强度特性试验,评估氧化铝陶瓷金属化强度方面的可靠性。测试表明,氧化铝陶瓷金属化封接材料的强度规律如下:循环疲劳断裂强度<静疲劳强度<抗拉强度(平均)。本文中95%氧化铝陶瓷金属化封接材料的... 详细信息

本文通过氧化铝陶瓷金属化封接件的强度特性试验,评估氧化铝陶瓷金属化强度方面的可靠性。测试表明,氧化铝陶瓷金属化封接材料的强度规律如下:循环疲劳断裂强度<静疲劳强度<抗拉强度(平均)。本文中95%氧化铝陶瓷金属化封接材料的循环疲劳强度门槛值接近69.8 MPa,若循环应力超过该值,就有可能产生疲劳失效。在实际的陶瓷-金属封接设计使用中,应使应力小于疲劳强度尤其是循环疲劳强度,才能尽可能避免疲劳失效,保证高可靠性。

关键词：封接疲劳可靠性应力

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异型宝石与可伐封接件有限元应力分析

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硅酸盐通报 2010年第2期29卷 477-480页

作者：李新宇高陇桥刘征王经强张巨先北京真空电子技术研究所北京100016 大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

采用ANSYS软件对三维复杂形状宝石窗与可伐封接件在焊接过程中产生的应力进行分析,裂纹位置、形式与模拟的应力结果一致。在数值模拟分析基础上,优化封接结构,改进工艺,封接取得了成功。

关键词：有限元封接应力

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太赫兹真空源斜注管高频结构研究

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微波学报 2010年第S1期26卷 551-553页

作者：任大鹏冯进军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室100015

斜注管的工作原理是将电子注稍微倾斜于慢波系统表面,通过改变电子注的倾角,来优化有效互作用长度,实现较高的输出功率和效率,可以作为一种新型高功率太赫兹器件。本文就国外的发展情况进行了评述。初步设计了W波段斜注管的几何尺寸和... 详细信息

斜注管的工作原理是将电子注稍微倾斜于慢波系统表面,通过改变电子注的倾角,来优化有效互作用长度,实现较高的输出功率和效率,可以作为一种新型高功率太赫兹器件。本文就国外的发展情况进行了评述。初步设计了W波段斜注管的几何尺寸和电尺寸,并对其"冷"特性进行了初步研究。

关键词：斜注管太赫兹返波振荡器真空器件

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3mm二次谐波回旋振荡管设计与数值模拟

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微波学报 2011年第1期27卷 67-70页

作者：李志良冯进军王峨锋刘本田北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100015

二次谐波回旋振荡管的互作用磁场比基波回旋振荡管的磁场降低了一半,从而降低了设计难度,具有广阔的应用前景。通过对单腔结构的W波段二次谐波回旋振荡管高频结构、起振电流、模式竞争以及注波互作用研究,确定了W波段TE02模二次谐波回... 详细信息

二次谐波回旋振荡管的互作用磁场比基波回旋振荡管的磁场降低了一半,从而降低了设计难度,具有广阔的应用前景。通过对单腔结构的W波段二次谐波回旋振荡管高频结构、起振电流、模式竞争以及注波互作用研究,确定了W波段TE02模二次谐波回旋振荡管的基本工作参数,通过粒子模拟(PIC)软件进行计算,在电子注电压为60kV,注电流为6A及速度比为1.5时,获得了67.5kW的输出功率和超过18%的效率,且工作稳定。

关键词：二次谐波回旋振荡管粒子模拟

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