检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：张巨先石明尚阿曼北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

通过对高纯、细晶AlO陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶AlO陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶AlO陶瓷的金属化机理与95%AlO陶瓷存在很... 详细信息

通过对高纯、细晶AlO陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶AlO陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶AlO陶瓷的金属化机理与95%AlO陶瓷存在很大不同,高纯、细晶AlO陶瓷金属化时,AlO相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大AlO颗粒表面析出。在AlO颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶AlO陶瓷的紧密结合。

关键词：高纯、细晶Al2O3陶瓷 Mo-Mn金属化金属化机理

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氧化铝陶瓷封接强度的统计分析

氧化铝陶瓷封接强度的统计分析

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真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：石明张巨先刘征高陇桥黄亦工北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

采用Weibull分布和正态分布,对氧化铝陶瓷封接强度进行统计分析,并通过Weibull模数和变异系数来表征了材料强度的离散性。同时通过Weibull分布,比较了标准组合抗拉强度、拉钉强度和抗折强度测试的数据。

关键词：封接统计分析 Weibull模数变异系数

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Ka波段30 W空间行波管

Ka波段30 W空间行波管

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真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：李力冯进军瞿波北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室

介绍了未来星际通讯用Ka波段30 W空间行波管的最新研究进展。行波管电子枪采用传统的皮尔斯型电子枪,高频结构采用螺旋线慢波结构和品型夹持结构,为了保证较高的收集极效率,采用四级降压收集极。测试结果表明在工作频带内行波管输出功... 详细信息

介绍了未来星际通讯用Ka波段30 W空间行波管的最新研究进展。行波管电子枪采用传统的皮尔斯型电子枪,高频结构采用螺旋线慢波结构和品型夹持结构,为了保证较高的收集极效率,采用四级降压收集极。测试结果表明在工作频带内行波管输出功率超过34.6 W,总效率超过47.5%。当行波管工作于低频状态时,行波管总效率超过了50%,已达到目前国外同等功率量级Ka波段空间行波管研究水平。

关键词：行波管输出功率效率 AM/PM

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一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

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真空电子技术 2011年第4期24卷 49-56页

作者：李兴辉 Selvapraba Selvarasah Mehmet R.Dokmeci 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 Department of Electrical and Computer Engineering Northeastern UniversityBostonMA 02115USA

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图... 详细信息

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。

关键词：荫罩掩膜聚对二甲苯微细加工

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一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

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真空电子与专用金属材料、陶瓷——金属封接第十一届技术研讨会

作者：李兴辉 Selvapraba Selvarasah Mehmet R. Dokmeci 北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室 Department of Electrical and Computer Engineering Northeastern University

关键词：荫罩掩膜聚对二甲苯微细加工

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利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极

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真空科学与技术学报 2010年第1期30卷 1-5页

作者：陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室北京100016

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少... 详细信息

通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。

关键词： UV光刻技术变倾角缩口定向碳纳米管的生长场发射阵列冷阴极

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