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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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871 篇 期刊文献
218 篇 专利
70 篇 会议
57 件 标准
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日期分布

学科分类号

676 篇 工学
- 130 篇 计算机科学与技术...
- 126 篇 仪器科学与技术
- 101 篇 测绘科学与技术
- 101 篇 软件工程
- 100 篇 控制科学与工程
- 95 篇 电子科学与技术（可...
- 79 篇 电气工程
- 75 篇 信息与通信工程
- 73 篇 地质资源与地质工...
- 49 篇 环境科学与工程（可...
- 47 篇 机械工程
- 45 篇 光学工程
- 36 篇 材料科学与工程（可...
- 31 篇 航空宇航科学与技...
- 17 篇 网络空间安全
- 14 篇 交通运输工程
- 14 篇 农业工程
- 11 篇 水利工程
293 篇 理学
- 96 篇 物理学
- 67 篇 数学
- 57 篇 地理学
- 23 篇 大气科学
- 22 篇 生态学
- 11 篇 系统科学
87 篇 管理学
- 69 篇 管理科学与工程(可...
- 14 篇 工商管理
55 篇 农学
- 33 篇 农业资源与环境
37 篇 经济学
- 31 篇 应用经济学
24 篇 艺术学
- 13 篇 设计学（可授艺术学...
15 篇 教育学
- 13 篇 教育学
10 篇 军事学
5 篇 文学
4 篇 法学
4 篇 医学
2 篇 哲学
2 篇 历史学

主题

18 篇 计量学
16 篇 gis
12 篇 深度学习
9 篇 量子计算
8 篇 电力系统
8 篇 大数据
7 篇 图像处理
6 篇 指标体系
6 篇 知识图谱
6 篇 系统设计
6 篇 遥感
5 篇 组网方案
5 篇 量子信息
5 篇 振动准则
5 篇 人工智能
5 篇 应用
5 篇 随机森林
5 篇 可修复系统
5 篇 拓扑绝缘体
5 篇 无人机

机构

283 篇 北京量子信息科学...
155 篇 中国电子科技集团...
114 篇 中国测绘科学研究...
100 篇 清华大学
72 篇 山东科技大学
68 篇 北京化工大学
62 篇 北京大学
61 篇 中国科学院数学与...
59 篇 山东农业大学
56 篇 中国计量科学研究...
48 篇 中国科学院大学
44 篇 北京理工大学
38 篇 北京航空航天大学
30 篇 东北大学
29 篇 北京师范大学
27 篇 国科联盟国际信息...
23 篇 中国电力科学研究...
22 篇 西南交通大学
22 篇 中国电力科学研究...
21 篇 华北电力大学

作者

53 篇 龙桂鲁
36 篇 杨仁福
33 篇 梁勇
22 篇 胡孟军
22 篇 潘栋
21 篇 罗文浩
21 篇 丛楠
20 篇 林宗坚
19 篇 刘东
19 篇 张继贤
19 篇 王敏
18 篇 梁明
18 篇 liang yong
17 篇 王学伟
16 篇 李铁夫
16 篇 王亮
16 篇 顾炎武
16 篇 牛鹏皓
15 篇 祝海江
15 篇 杨平

语言

1,218 篇 中文

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基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片及其制备方法

基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片及其制备方法

引用

作者：李铁夫孙换莹王文彦 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本申请提供一种基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。气体压力传感器芯片包括：真空腔体，在真空腔体的腔体壁内限定出真空腔室；磁性薄膜，覆盖至开口以密封真空腔室，磁性薄膜响应于环境的... 详细信息

标准号: CN118209243A

本申请提供一种基于超导量子干涉仪的气体压力传感器芯片及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域。气体压力传感器芯片包括：真空腔体，在真空腔体的腔体壁内限定出真空腔室；磁性薄膜，覆盖至开口以密封真空腔室，磁性薄膜响应于环境的气体压力变化而产生不同形变；超导量子干涉仪，设置在真空腔体的侧壁上或者底壁和顶壁中未设置磁性薄膜的一个上，响应于磁性薄膜的形变而产生磁通量变化，通过磁通量变化指示真空腔体外部的环境压强；高阻硅基片，设置于超导量子干涉仪与真空腔体的腔体壁之间。利用超导量子干涉仪对磁场的高灵敏性，通过超导量子干涉仪环路中磁通量改变量得到压强的变化量，气体压力传感器芯片结构简单、稳定，探测灵敏度高。

关键词：超导量子干涉仪磁性薄膜真空腔体气体压力传感器磁通量变化形变腔体壁芯片压强超导量子干涉密封真空腔室气体压力变化真空腔体外部半导体芯片探测灵敏度环境压强芯片结构真空腔室响应变化量磁通量改变量硅基片灵敏性侧壁底壁顶壁高阻磁场制备开口覆盖申请

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一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片及其制备方法

一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片及其制备方法

引用

作者：李铁夫刘其春王宇清 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本申请提供一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片及其制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片，包括：衬底硅片；半导体薄膜层，沉积于衬底硅片的上表面及下表面，其中沉积于衬底硅片的上表... 详细信息

标准号: CN118190238B

本申请提供一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片及其制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。一种基于半导体薄膜的气体压力传感器芯片，包括：衬底硅片；半导体薄膜层，沉积于衬底硅片的上表面及下表面，其中沉积于衬底硅片的上表面的半导体薄膜层包含悬空窗口；金属薄膜层，沉积于悬空窗口的上表面；下基板硅片；第一电极和第二电极，分别沉积于下基板硅片的上表面相对的两端；连接模块，沉积于下基板硅片的上表面的边缘，且连接模块与第一电极和第二电极不相连，衬底硅片倒装后通过连接模块与下基板硅片连接。根据本申请的实施例制备的气体压力传感器芯片，结构简单，加工工艺步骤少，易于与其它半导体器件集成加工。

关键词：上表面沉积衬底硅片下基板硅片气体压力传感器连接模块半导体薄膜层半导体薄膜第二电极第一电极芯片制备悬空半导体器件集成半导体器件制备加工工艺步骤金属薄膜层下表面倒装申请加工

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真随机数发生器及产生真随机数的方法

真随机数发生器及产生真随机数的方法

引用

作者：曹易王超任睿智 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本发明公开了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。该真随机数发生器包括随机数发生模块，其包括：导电层，两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极以及并列地设置在导电层上的多个磁隧道结，每个磁隧道结均包括：第一... 详细信息

标准号: CN115411176A

本发明公开了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。该真随机数发生器包括随机数发生模块，其包括：导电层，两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极以及并列地设置在导电层上的多个磁隧道结，每个磁隧道结均包括：第一磁性层，位于导电层之上；自旋流抵消层，位于第一磁性层之上；绝缘势垒层，位于自旋流抵消层之上；第二磁性层，位于绝缘势垒层之上；钉扎层，位于第二磁性层之上；其中，每个磁隧道结的钉扎层的远离第二磁性层的一端均设有第三电极，第一电极和第三电极用于通入第二电流。本发明提供的真随机数发生器，集成度高、随机性好和使用寿命长，具有很好的应用前景。

关键词：磁性层真随机数发生器磁隧道结导电层绝缘势垒层第三电极第一电极钉扎层自旋抵消随机数发生模块随机性第二电极使用寿命真随机数集成度并列应用

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一种基于量子计算的图像滤波方法和装置

一种基于量子计算的图像滤波方法和装置

引用

作者：请求不公布姓名 100094 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本发明实施例提供了一种基于量子计算的图像滤波方法和装置。该方法包括，制备与第一图像对应的第一量子态；将第一经典滤波矩阵映射为第一量子滤波矩阵；将第一量子滤波矩阵转换为第二量子滤波矩阵，其中，第二量子滤波矩阵与第一量子... 详细信息

标准号: CN113012080B

本发明实施例提供了一种基于量子计算的图像滤波方法和装置。该方法包括，制备与第一图像对应的第一量子态；将第一经典滤波矩阵映射为第一量子滤波矩阵；将第一量子滤波矩阵转换为第二量子滤波矩阵，其中，第二量子滤波矩阵与第一量子滤波矩阵具有相同的滤波效果，并且第二量子滤波矩阵能够分解为多个量子门操作的组合，多个量子门的个数基于第一经典滤波矩阵中的元素个数确定；将第二量子滤波矩阵分解为多个量子门操作的组合；基于第一量子态、以及多个量子门操作，获得第二量子态；基于第二量子态获取第二图像，作为第一图像的滤波图像。

关键词：滤波矩阵量子量子门量子态图像方法和装置分解个数确定量子计算滤波图像滤波效果图像滤波映射制备转换

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超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路

超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路

引用

作者：王文彦王光月冯雅晴 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本发明公开了一种超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路。该方法包括：(a)设置第一刻蚀参数，基于所设置的第一刻蚀参数，利用第一刻蚀气体在所述刻蚀用通孔的侧壁和所述硅片的露出的部分上形成保护层；(b)设置第二刻蚀参数... 详细信息

标准号: CN115084014A

本发明公开了一种超导量子芯片集成电路的硅通孔制造方法及集成电路。该方法包括：(a)设置第一刻蚀参数，基于所设置的第一刻蚀参数，利用第一刻蚀气体在所述刻蚀用通孔的侧壁和所述硅片的露出的部分上形成保护层；(b)设置第二刻蚀参数，基于所设置的第二刻蚀参数，利用第二刻蚀气体去除形成在所述硅片的露出的部分的保护层；(c)设置第三刻蚀参数，基于所设置的第三刻蚀参数，利用第三刻蚀气体对去除了所述保护层的所述露出的部分进行刻蚀，以形成所述硅通孔的一部分，所述硅通孔的所述一部分还构成下一次循环的刻蚀用通孔；(d)设置第四刻蚀参数，基于所设置的第四刻蚀参数，利用第四刻蚀气体去除所述刻蚀用通孔的侧壁的保护层。

关键词：刻蚀参数刻蚀气体保护层刻蚀硅通孔通孔硅片侧壁去除芯片集成电路超导量子一次循环集成电路制造

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铁电超导异质结及其应用

铁电超导异质结及其应用

引用

作者：王文琳常凯 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本发明提供了一种铁电超导异质结及其应用。铁电超导异质结包括：衬底；超导体，由二维超导材料制成；以及铁电体，由二维铁电材料制成；其中超导体和铁电体并列布置在衬底上；或超导体和铁电体叠置在衬底上。本发明提供的铁电超导异质... 详细信息

标准号: CN115915910A

本发明提供了一种铁电超导异质结及其应用。铁电超导异质结包括：衬底；超导体，由二维超导材料制成；以及铁电体，由二维铁电材料制成；其中超导体和铁电体并列布置在衬底上；或超导体和铁电体叠置在衬底上。本发明提供的铁电超导异质结为二维材料层状结构，有利于排除界面晶格失配导致的破坏性效应，有利于实现当铁电极化切换时形成的超导态‑正常态的完全开关，有利于提升开关比，降低功耗。能够将衬底、界面晶格匹配限制降低至最小。二维材料特性，更有利于控制层厚和元素掺杂，实现能带工程，对能带对齐和铁电极化强度/方向的精确控制。

关键词：超导体衬底铁电体铁电二维材料铁电极化异质结二维界面晶格匹配破坏性效应并列布置层状结构超导材料降低功耗晶格失配铁电材料元素掺杂对齐超导态开关比控制层正常态叠置异质应用

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一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法

一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法

引用

作者：李铁夫刘玉龙刘其春 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本申请提供了一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法。声学腔读取装置包括：凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构固定连接；凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球... 详细信息

标准号: CN118201471A

本申请提供了一种半导体量子比特的声学腔读取装置及其制备方法。声学腔读取装置包括：凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构固定连接；凸面压电结构包括：第一衬底；第一薄膜层，设置在第一衬底的第一表面；凸面压电薄膜层，呈凸球面形状设置在第一衬底的第二表面；半导体纳米线量子比特结构包括：第二衬底；半导体纳米电极层，设置在第二衬底的表面，半导体纳米电极层包括：半导体纳米线，设置在第二衬底的表面；至少两个电极层，至少两个电极层分别搭接设置在半导体纳米线的两端，至少两个电极层之间裸露有部分半导体纳米线；其中，凸面压电薄膜层设置在裸露的半导体纳米线上方，凸面压电结构和半导体纳米线量子比特结构之间为空腔结构。

关键词：半导体纳米线衬底电极层凸面比特结构压电结构量子半导体纳米压电薄膜层读取装置声学腔裸露半导体量子凸球面形状第二表面第一表面空腔结构薄膜层搭接制备申请

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测量微波场强的装置和测量微波场强的方法

测量微波场强的装置和测量微波场强的方法

引用

作者：杜艺杰杨仁福丛楠何军 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本申请提出一种测量微波场强的装置和测量微波场强的方法、电子设备及非瞬时性计算机可读存储介质，所述装置包括原子气室，所述原子气室内含有碱金属原子蒸汽；激光单元，配置成发射出激光到所述原子气室内，用以将所述碱金属原子从基... 详细信息

标准号: CN116047181A

本申请提出一种测量微波场强的装置和测量微波场强的方法、电子设备及非瞬时性计算机可读存储介质，所述装置包括原子气室，所述原子气室内含有碱金属原子蒸汽；激光单元，配置成发射出激光到所述原子气室内，用以将所述碱金属原子从基态激发到里德堡初态，从而生成电磁感应透明信号；多个微波信号源，配置成发射出不同频率的微波场，并辐射到所述原子气室中，以使所述电磁感应透明信号发生变化。根据本申请的实施例，通过引入电四极跃迁微波缀饰里德堡能级，抑制其非均匀展宽从而提高测量灵敏度。

关键词：场强碱金属原子测量微波电磁感应透明信号原子气室计算机可读存储介质能级室内非均匀展宽微波信号源电子设备激光单元发射灵敏度微波场初态基态四极跃迁配置申请蒸汽微波激光测量辐射引入激发

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单光子源、单光子的制备方法及量子信息系统

单光子源、单光子的制备方法及量子信息系统

引用

作者：王旭杰吴邦袁之良 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本申请公开了一种单光子源、单光子的制备方法及量子信息系统。所述单光子源包括：量子点微腔，包括反应层、第一DBR反射层和第二DBR反射层，反应层设置于第一DBR反射层和第二DBR反射层之间；偏振调制器，设置于激发光的入射光路，用于... 详细信息

标准号: CN116759890A

本申请公开了一种单光子源、单光子的制备方法及量子信息系统。所述单光子源包括：量子点微腔，包括反应层、第一DBR反射层和第二DBR反射层，反应层设置于第一DBR反射层和第二DBR反射层之间；偏振调制器，设置于激发光的入射光路，用于调节激发光的偏振，以得到偏振激发光；光路转换器，设置于偏振激发光的入射光路，用于将偏振激发光的入射光路转换为垂直量子点微腔的入射光路；偏振单光子从量子点微腔出射，并基于预设路径经过光路转换器后由预设的单光子出射端出射，其中偏振单光子是由偏振激发光激发量子点微腔内的量子点所产生的激子在退激发后所产生的。

关键词：量子点偏振激发光入射光路单光子微腔偏振光路转换器单光子源反应层激发光出射偏振调制器量子信息预设路径出射端激发激子预设制备垂直转换申请

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光学微腔和光学器件

光学微腔和光学器件

引用

作者：王嘉俊吴邦袁之良 100193 北京市海淀区中关村软件园二期国际与区域协同创新中心A座

本申请提供了一种光学微腔和光学器件。所述光学微腔包括：衬底层；第一DBR反射层，设置在衬底层上，包括第一预设对数的交替生长的第一反射介质层和第二反射介质层；第二DBR反射层，设置在光学微腔顶部，包括第二预设对数的交替生长的... 详细信息

标准号: CN118151276A

本申请提供了一种光学微腔和光学器件。所述光学微腔包括：衬底层；第一DBR反射层，设置在衬底层上，包括第一预设对数的交替生长的第一反射介质层和第二反射介质层；第二DBR反射层，设置在光学微腔顶部，包括第二预设对数的交替生长的第一反射介质层和第二反射介质层；腔中心层，设置在光学微腔的中部；第一DBR绝热层，设置在第一DBR反射层与腔中心层之间，包括第三预设对数的交替生长的第一绝热介质层和第二绝热介质层；第二DBR绝热层，设置在第二DBR反射层与腔中心层之间，包括第四预设对数的交替生长的第一绝热介质层和第二绝热介质层度。

关键词：反射介质层绝热光学微腔交替生长介质层预设中心层衬底层绝热层光学器件申请

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