检索结果-内蒙古大学图书馆

光谱学与光谱分析 2002年第6期22卷 891-894页

作者：章婷徐征陈晓红沈鸿刘舒曼北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑 (PVK) :Rubrene和Alq3:MN PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究 ,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子... 详细信息

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑 (PVK) :Rubrene和Alq3:MN PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究 ,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子在光致发光和电致发光中的复合速率不同造成的 ;同时发现对于不同浓度的PVK :Rubrene及Alq3:MN PPV电致发光随电压增加都发生变色现象 ,但是它们分别是由两种不同的机制造成的 :前者作为染料分子Rubrene ,不能形成类似Alq3那样的分相体系 ,Rubrene发光主要来自PVK的能量传递及陷阱电子对PVK空穴的吸引 ;后者是由于分相造成载流子在两相中的迁移不平衡。

关键词：掺杂有机电致发光电压调制变色有机电致发光器件能量传递聚乙烯基咔唑聚合物发光机理 Alq3:MN-PPV

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(Eu^(2+),Nd^(3+))∶CaAl_2O_4的长余辉发光及机理的研究

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光学学报 2003年第3期23卷 356-360页

作者：孟宪国王永生孙力何志毅邓朝勇李海玲北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

采用高温固相反应法制备了Eu2 + ∶CaAl2 O4、(Eu2 + ,Nd3 + )∶CaAl2 O4,等系列材料。测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线。分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用。并对其发光机理进行了深入地探讨。

关键词：发光学长余辉发光稀土离子电子俘获 Eu^2+

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(Ca,Sr)S:Eu,Sm的光激励发光和电子俘获机理的研究

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光电子．激光 2003年第7期14卷 729-732页

作者：何志毅王永生孙力徐征徐叙北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0～1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3... 详细信息

研究了CaxSr1-xS:Eu,Sm(x=0～1)的光激励发光和吸收性质,测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强,增强部分的波长分布与光激励谱相同,峰的位置随组分x值而变化,同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm3+对陷阱的红外激励吸收的影响。据此提出一个复合陷阱模型,指出电子俘获中心并非Sm3+附近形成的晶格缺陷。

关键词：光激励发光电子俘获碱土金属硫化物 Sm Eu

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SiO_2/C_9-PPV异质结中类阴极射线发光及有机电致发光的交互增强

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物理学报 2003年第4期52卷 1013-1018页

作者：刘明衣立新滕枫徐征徐叙镕北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放研究实验室北京100044

用夹在两层SiO2 之间的发光聚合物C9 PPV作成器件 ,在交流电激发下得到了超出有机电致发光黄绿色发光的蓝色发光 .通过对器件光学特性的研究 ,发现这种发光源于SiO2 中加速电子直接碰撞激发有机发光层而引起的类阴极射线发光 .使用非对... 详细信息

用夹在两层SiO2 之间的发光聚合物C9 PPV作成器件 ,在交流电激发下得到了超出有机电致发光黄绿色发光的蓝色发光 .通过对器件光学特性的研究 ,发现这种发光源于SiO2 中加速电子直接碰撞激发有机发光层而引起的类阴极射线发光 .使用非对称结构。

关键词： Si02/C9-PPV异质结混合发光类阴极射线发光有机电致发光有机-无机复合电致发光器件交互增强

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MEH-PPV夹层结构的430nm蓝色电致发光

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光电子．激光 2001年第5期12卷 477-479页

作者：王晓峰徐征陈晓红张希清何大伟王永生北方交通大学光电子技术研究所信息存储.显示与材料部级开放实验室北京100044

本文首次报道了不同于 MEH- PPV本征发光的蓝色发光。我们制备了以 Si O2 为加速层、MEH-PPV为发光层的有机 /无机复合电致发光器件 ,用交流电压驱动时 ,除 MEH- PPV的本征发光外 ,还得到了 430 nm的蓝色发光。我们认为 430 nm的蓝色发... 详细信息

本文首次报道了不同于 MEH- PPV本征发光的蓝色发光。我们制备了以 Si O2 为加速层、MEH-PPV为发光层的有机 /无机复合电致发光器件 ,用交流电压驱动时 ,除 MEH- PPV的本征发光外 ,还得到了 430 nm的蓝色发光。我们认为 430 nm的蓝色发光是由被 Si O2 加速的电子直接碰撞 MEH- PPV所致。

关键词： MEH-PPV 夹层结构蓝光电致发光

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具有新型空穴缓冲层材料TiO_2的有机薄膜发光器件

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光电子．激光 2004年第5期15卷 520-523页

作者：张志峰邓振波鲁成祝徐登辉张梦欣梁春军林鹏刘青宜北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 许昌教育学院许昌461000

以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为... 详细信息

以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为3.45cd/A,有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。

关键词：有机电致发光 TiO2 Sol—gel法二氧化钛空穴缓冲层材料

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共轭聚合物MEH-PPV的固态阴极射线发光

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发光学报 2003年第1期24卷 103-106页

作者：刘明滕枫孙世菊刘姗姗徐征北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放研究实验室

在有机 /无机异质结ZnS/MEH PPV/ZnS器件中 ,交流驱动条件下 ,实现了共轭聚合物MEH PPV的固态阴极射线发光 ,器件的发光光谱与MEH PPV的光致发光谱相同。电子经过ZnS层加速后 ,成为过热电子 ,这些过热电子直接碰撞激发MEH PPV而发光。... 详细信息

在有机 /无机异质结ZnS/MEH PPV/ZnS器件中 ,交流驱动条件下 ,实现了共轭聚合物MEH PPV的固态阴极射线发光 ,器件的发光光谱与MEH PPV的光致发光谱相同。电子经过ZnS层加速后 ,成为过热电子 ,这些过热电子直接碰撞激发MEH PPV而发光。在日光灯照明下 ,可以看到器件的均匀发光。

关键词：共轭聚合物 MEH-PPV 固态阴极射线发光有机/无机异质结电致发光器件发光光谱平板显示

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富锌型氧化锌薄膜的蓝区及近紫外区发光特性

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科学通报 2001年第6期46卷 517-520页

作者：衣立新张希清侯延冰徐征何大伟王永生徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放研究实验室北京100044

用电子束蒸发的方法制备了富锌的氧化锌薄膜, 在室温下测量了它的光致发光和电致发光光谱, 发现光致发光主要集中在近紫外(UV)区. 而电致发光光谱中, 出现了近紫外发射峰和蓝色发射带, 并且在电场调制下发光出现了场致猝灭现象. 电致发... 详细信息

用电子束蒸发的方法制备了富锌的氧化锌薄膜, 在室温下测量了它的光致发光和电致发光光谱, 发现光致发光主要集中在近紫外(UV)区. 而电致发光光谱中, 出现了近紫外发射峰和蓝色发射带, 并且在电场调制下发光出现了场致猝灭现象. 电致发光中蓝色发射带的位置与用低压MOCVD方法制备的富锌的氧化锌薄膜的电致发光相比有较大的蓝移. 这些结果表明在用所设计方案制备的器件中, 富锌型氧化锌薄膜可以产生大于禁带宽度的过热电子能量, 是获得UV及蓝光发射的一种具有新机理的、有希望的新途径.

关键词：富锌型氧化锌薄膜电致发光光致发光蓝区半导体材料光谱近紫外区

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一种新结构ZnS∶Tm^(3+)薄膜电致发光器件的研究

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中国稀土学报 2001年第6期19卷 583-585页

作者：杨胜何大伟成正维邓朝勇关亚菲北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为... 详细信息

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2

关键词：稀土薄膜电致发光器件硫化锌铥掺杂薄膜电致发光电子束蒸发法显示材料

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稀土氧化钕对铝酸盐长余辉发光材料性能的影响

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中国稀土学报 2001年第6期19卷 599-601页

作者：何大伟崔兴龙北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

制备了SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Nd3+ 和SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ ,Nd3+ 长余辉材料 ,研究了所合成的材料在不同波段紫外光激发条件下的发光光谱和激发光谱的差异和Eu2 + ,Dy3+ ,Nd3+ 的摩尔掺杂浓度对材料的余辉性能的影响等。

关键词：稀土 SrAl2O4:Eu^2+,Dy^3+ 陷井中心铝酸盐长余辉发光材料氧化钕发光性能

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