检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2008年第6期38卷 886-890页

作者：刘琳李萌陈磊陈子晏张润曦赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心上海200062

基于TSMC 0.25μm RF CMOS工艺,提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的可编程全差分低通滤波器电路。该滤波器为6阶切比雪夫有源RC滤波器,其中的运放采用带共模反馈的全平衡差动放大器结构(FBDDA)实现了全差... 详细信息

基于TSMC 0.25μm RF CMOS工艺,提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的可编程全差分低通滤波器电路。该滤波器为6阶切比雪夫有源RC滤波器,其中的运放采用带共模反馈的全平衡差动放大器结构(FBDDA)实现了全差分的缓冲器。仿真结果表明:该电路可以通过3位信号控制位产生截止频率为400 kHz、600 kHz、800 kHz、1 MHz以及1.3 MHz的全差分低通滤波器,1 MHz处的点噪声为20 nV/(Hz)^(1/2),1 dB输入压缩点为15 dBm,3.3 V电源电压下电路消耗总电流为4.86 mA。

关键词：超高频射频识别全平衡差动放大可编程低通滤波器

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一种低温度系数高驱动能力的带隙基准电路

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微电子学 2011年第4期41卷 545-549页

作者：朱彤黄飞谢淼赖宗声张润曦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心上海200062

基于Grace 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种带低压差线性稳压器的低温度系数带隙基准源。仿真结果表明,在1.8 V供电下,带隙基准电路从电源电压上抽取约340μA电流,在-40℃~85℃温度范围内,输出电压为900.24 mV±0.222 mV,温度系数达... 详细信息

基于Grace 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种带低压差线性稳压器的低温度系数带隙基准源。仿真结果表明,在1.8 V供电下,带隙基准电路从电源电压上抽取约340μA电流,在-40℃~85℃温度范围内,输出电压为900.24 mV±0.222 mV,温度系数达到5×10-6/℃,在1kHz频率下,电源抑制比约为51 dB。电路以LDO作为输出缓冲,最大可驱动15 pF负载电容。

关键词：带隙基准源温度系数驱动能力

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低功耗流水线ADC中多阈值比较器的设计

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微电子学 2010年第5期40卷 649-652页

作者：蒋颖丹田应洪马聪张润曦徐萍赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062 华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心上海200062

采用IBM0.13μm CMOS工艺,设计了适用于80MS/s流水线结构A/D转换器的比较器。电路使用全差分动态锁存结构,在Lewis-Gray结构的基础上,保留比较器阈值和输入差分管尺寸之间的线性比例关系,改进复位和输出电路结构,降低了设计复杂度和功耗... 详细信息

采用IBM0.13μm CMOS工艺,设计了适用于80MS/s流水线结构A/D转换器的比较器。电路使用全差分动态锁存结构,在Lewis-Gray结构的基础上,保留比较器阈值和输入差分管尺寸之间的线性比例关系,改进复位和输出电路结构,降低了设计复杂度和功耗,减小了面积。通过细致的版图考虑,实现了7种不同阈值电压的比较器,失调小于13mV,最大面积为25μm×13μm,最高工作频率达500 MHz;80MS/s工作时,功耗最大仅为63μW,低于Lewis-Gray结构的比较器。

关键词： A/D转换器流水线结构比较器

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基于FPGA的OFDM系统同步算法的研究

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电子器件 2008年第5期31卷 1685-1688页

作者：雷奥赖琳晖李小进赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

符号、载波偏移严重影响着正交频分复用(OFDM)接收系统的性能。本文在分析和研究同步估计算法的基础上,设计了一种OFDM同步系统实现方案,并对符号偏移,载波频偏和采样钟偏移的估计及补偿算法和具体电路实现进行了相应优化。并采用Virte... 详细信息

符号、载波偏移严重影响着正交频分复用(OFDM)接收系统的性能。本文在分析和研究同步估计算法的基础上,设计了一种OFDM同步系统实现方案,并对符号偏移,载波频偏和采样钟偏移的估计及补偿算法和具体电路实现进行了相应优化。并采用VirtexII系列xc2v1000FPGA进行实现验证,结果表明该同步系统不仅能有效地实现OFDM系统符号和载波同步,而且可降低硬件资源的消耗。

关键词：正交频分复用符号定时同步载波频率同步采样钟同步

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多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用

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电子器件 2008年第4期31卷 1150-1154页

作者：沈怿皓张润曦张炜杰陈亦灏李勇景一欧赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多... 详细信息

研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路。流片采用UMC0.18μmRF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性。

关键词： CMOS射频集成电路双曲正切法则线性度混频器

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第四种基本电路元件忆阻器及其应用

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微纳电子技术 2013年第12期50卷 751-757页

作者：张永华郑芳林熊大元王永亮华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200241 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240

忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一。给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能。介绍了基于氧化钛纳米薄膜的忆阻器的实际... 详细信息

忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一。给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能。介绍了基于氧化钛纳米薄膜的忆阻器的实际物理原理和工艺实现方法,总结了忆阻器在尺寸、速度、记忆能力和功耗等方面的优异性能。最后,举例说明了忆阻器在开发新一代高密度非易失型存储器和生物模拟领域可以起到的巨大的作用和其诱人的发展前景。

关键词：忆阻器纳米电子器件数学模型高密度存储器突触

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应用于毫米波系统的宽调谐范围SCTL-VCO

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微电子学 2018年第5期48卷 652-656页

作者：何田叶张润曦石春琦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200241 华东师范大学上海市多维度信息处理重点实验室上海200241

采用45nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO。采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效感值,在保持低相位噪声、不增加功耗和面积的情况下,提高了... 详细信息

采用45nm SOI CMOS工艺,设计了一种应用于毫米波系统的宽调谐范围VCO。采用具有高Q值且长度可灵活设计的开关耦合传输线(SCTL)作为谐振腔电感,通过控制耦合开关改变传输线的等效感值,在保持低相位噪声、不增加功耗和面积的情况下,提高了VCO的调谐范围。后仿真结果表明,不使用耦合开关的TL-VCO的调谐范围为45.6～57.1GHz(22.4%),SCTLVCO的调谐范围为42.25～59.92GHz(34.6%)。相比TL-VCO,SCTL-VCO的调谐范围增大了53.7%。在整个调谐范围内,相位噪声为-112.1～-120.4dBc/Hz@10 MHz,相应的FOM和FOMT分别为-178.3～-182.6dBc/Hz和-189.1～-193.4dBc/Hz,电源电压为0.7V,VCO核心功耗为8.6～10.8mW,面积为0.005 4mm^2。

关键词：低相位噪声高Q值开关耦合传输线压控振荡器

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多端互连线网络布线时延的研究

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电气电子教学学报 2005年第4期27卷 47-50,91页

作者：俞惠许永生石春琦赖宗声陶永刚金玮洪亮华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

互连线时延是集成电路设计中非常重要的影响因素。本文根据Elmore延迟模型推导出多端互连线的延迟估算公式,得出了在满足设计规则的前提下,多端互连线网络应尽量遵守的布线规则,即互连线之间不要有重叠,且从源点到每个终点都要走最短的... 详细信息

互连线时延是集成电路设计中非常重要的影响因素。本文根据Elmore延迟模型推导出多端互连线的延迟估算公式,得出了在满足设计规则的前提下,多端互连线网络应尽量遵守的布线规则,即互连线之间不要有重叠,且从源点到每个终点都要走最短的曼哈顿路径。这种布线规则可以在不增加芯片面积的基础上使互连线时延减少,这对指导高速IC芯片的版图设计有重要的理论和实践指导意义。

关键词： Elmore延迟模型多端互连线网络布线时延

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基于MATLAB的新型Pipeline ADC的建模和仿真

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电子器件 2008年第3期31卷 834-837页

作者：李萌张润曦陈磊沈佳铭陈文斌赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

在MATLAB/Simulink的平台上,设计并实现了一种新的10bit Pipeline ADC的系统仿真模型。针对2bit,共9级的结构的精度不足以及4bit首级结构的功耗较大的特点,提出了一种首级3bit,共8级的结构。这种结构可以实现精度和功耗的平衡。经过系... 详细信息

在MATLAB/Simulink的平台上,设计并实现了一种新的10bit Pipeline ADC的系统仿真模型。针对2bit,共9级的结构的精度不足以及4bit首级结构的功耗较大的特点,提出了一种首级3bit,共8级的结构。这种结构可以实现精度和功耗的平衡。经过系统仿真,在输入信号为10MHz,采样时钟频率为40MHz时,系统最大的SNR=60.6dB,SFDR=82.177dB。创建的系统模型可为ADC系统中的误差和静态特性研究提供借鉴。

关键词：流水线结构的模数转换器 3bit结构增益误差子ADC误差子DAC(位数模转换器)误差

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一种用于单片UHF RFID阅读器中的低相位噪声LC VCO设计

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电子器件 2008年第4期31卷 1163-1166页

作者：谢传文陈磊陈子晏李萌张润曦赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路。通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域... 详细信息

介绍了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的低相位噪声压控振荡器(VCO)电路。通过在传统的VCO电路中加入抑制电源噪声的regulator并在共模端加入平衡滤波电路对尾电流源的二次谐波分量进行抑制来降低1/f3区域的相位噪声,同时选取合适的电感值及其Q值使得VCO在1/f2区域也能获得较佳的相位噪声性能。同时,文中给出了本设计中使用的低噪声基准源电路。整个电路采用UMC0.18μm MM/RF CMOS工艺实现,仿真与测试结果显示所提出的VCO结构和传统VCO相比几乎在所有区域内对相噪声均有5dB的改善。本设计使用的电源电压为3.3V,VCO中心频率为1.8GHz,调谐范围约为11%,频偏1MHz处相位噪声约为-127dBc/Hz,总电流约为7.2mA。

关键词：超高频射频识别单片集成阅读器低相位噪声

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