检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2012年第4期42卷 534-538,555页

作者：谢淼任旭马聪张润曦赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

基于GSMC 0.18μm RF CMOS工艺,实现了一种8阶有源RC信道选择滤波器,其截止频率在200kHz～10MHz范围内可调,能覆盖GSM,UHF RFID,TD-SCDMA,IEEE 802.11a/b/g等不同频段。提出一种增益带宽积可变的运算放大器,以优化不同模式下的功耗。正... 详细信息

基于GSMC 0.18μm RF CMOS工艺,实现了一种8阶有源RC信道选择滤波器,其截止频率在200kHz～10MHz范围内可调,能覆盖GSM,UHF RFID,TD-SCDMA,IEEE 802.11a/b/g等不同频段。提出一种增益带宽积可变的运算放大器,以优化不同模式下的功耗。正交两路信道选择滤波器的芯片尺寸为1.5mm×0.36mm。测试结果表明,在1.8V电源下,滤波器消耗8.6mA,4mA和2.6mA电流,等效输入噪声为20nV/Hz～(1/2),输入3阶交调为15dBm。

关键词：信道选择滤波器有源RC滤波器多模多频接收机

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种射频接收芯片中的低相位噪声压控振荡器

引用

微计算机信息 2006年第1Z期22卷 254-256,195页

作者：任铮许永生石艳玲赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所

本文介绍了一种适用于ASK幅移键控接收器芯片中锁相环电路,集成于芯片内的LC压控振荡器,它的LC振荡电路采用了一种增强型的特别结构。芯片采用锁相环电路来产生本振信号。接收器通过它工作在290MHz到470MHz的ISM频段。锁相环中的VCO采... 详细信息

本文介绍了一种适用于ASK幅移键控接收器芯片中锁相环电路,集成于芯片内的LC压控振荡器,它的LC振荡电路采用了一种增强型的特别结构。芯片采用锁相环电路来产生本振信号。接收器通过它工作在290MHz到470MHz的ISM频段。锁相环中的VCO采用了差分对结构的LC压控振荡器结构,在1V到5V的控制电压下能产生290到470的可调频率,输出功率为2.20到2.30dBm。该VCO采用了增强型结构的LC振荡电路以得到更高的Q值来减小相位噪声,采用这种特殊结构,它能在433MHz载波的100kHz偏移范围内实现-99.7dBc/Hz的相位噪声。与普通LC振荡电路结构相比,该结构能使VCO相位噪声减小3dBc以上。且由于该电路由较少的有源器件组成,因此该VCO有着非常低的功耗和成本。

关键词： ASK幅移键控接收芯片锁相环压控振荡器增强型LC振荡电路相位噪声

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

UHF RFID阅读器中线性化调谐增益压控振荡器设计

引用

微电子学 2013年第1期43卷 41-46页

作者：谢磊刘宝宝谢淼袁圣越石春琦张润曦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(KVCO)、恒定子带间距的压控振荡器。该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化。仿真结果表明,当... 详细信息

基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(KVCO)、恒定子带间距的压控振荡器。该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化。仿真结果表明,当压控振荡器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5%)的频率范围变化时,调谐增益从40 MHz/V变化到51 MHz/V(21.5%),子带间距变化为34 MHz到51 MHz,相位噪声在1.8GHz时为-133.8dBc/Hz@1MHz。在低压差线性稳压器(LDO)输出电压为2.5V的条件下,整个电路消耗电流约5.2mA。

关键词：压控振荡器调谐增益低相位噪声开关变容管阵列开关电容阵列

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

WLAN中带ESD保护的低噪声放大器设计

引用

微电子学 2010年第1期40卷 6-10,15页

作者：石春琦马和良张润曦赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

介绍了一个基于IBM0.18μmCMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA)。通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5GHz低噪声放... 详细信息

介绍了一个基于IBM0.18μmCMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA)。通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5GHz低噪声放大器进行设计和优化。测试结果表明,当电源电压为1.8V时,消耗电流为6.5mA,增益达到10dB,输入匹配达到-18dB,噪声为4.29dB,线性度IIP3为4dBm。

关键词：低噪声放大器 CMOS 无线局域网静电放电

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机

引用

微电子学 2018年第1期48卷 76-81页

作者：杨亚石春琦张润曦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机。该电路包含电平移位电路(DCS)、I/Q正交上混频器、全集成功率放大器。通过DCS控制混频器跨导管的偏置,实现SSB-ASK、PR-ASK和DSB-ASK三种调制,并在不... 详细信息

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种符合多种协议要求的UHF RFID阅读器发射机。该电路包含电平移位电路(DCS)、I/Q正交上混频器、全集成功率放大器。通过DCS控制混频器跨导管的偏置,实现SSB-ASK、PR-ASK和DSB-ASK三种调制,并在不同基带信号强度下实现30%~100%可变调制深度的DSB-ASK调制。仿真结果表明,在转换增益为-4dB时,上混频器的输出1dB压缩点(OP1dB)为7.11dBm,工作在AB类的功率放大器的OP1dB为26.64dBm,发射机输入DSB-ASK信号的t_(rai)为25μs。输出频谱满足三种协议要求。

关键词：发射机正交上混频器功率放大器调制射频集成电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

静电式RF MEMS开关的可靠性

引用

微纳电子技术 2010年第11期47卷 701-707页

作者：张永华曹如平赖宗声华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200241

MEMS开关是最常见的RF MEMS控制元件,是RF结构中一个关键的MEMS器件。长期可靠性是目前制约MEMS开关商业化进程中的一个主要问题。主要综述了静电式RF MEMS开关可靠性的新进展。欧姆式开关通常由于黏附或接触电阻的增大而失效,电容式开... 详细信息

MEMS开关是最常见的RF MEMS控制元件,是RF结构中一个关键的MEMS器件。长期可靠性是目前制约MEMS开关商业化进程中的一个主要问题。主要综述了静电式RF MEMS开关可靠性的新进展。欧姆式开关通常由于黏附或接触电阻的增大而失效,电容式开关的主要失效机理则与电介质层的充电有关。接触材料的选择是决定欧姆开关可靠性最重要的一个因素,"主动断开/被动接触"MEMS开关适用于软金属材料欧姆接触的可靠性要求。改善电容式开关可靠性的途径是改善介电层、优化驱动电压波形等以减小介质层的充电。

关键词：射频微电子机械系统(RF MEMS) 开关可靠性欧姆接触介质充电

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种Doppler/FMCW双模式雷达模拟基带设计

引用

微电子学 2021年第6期51卷 842-848页

作者：李晨阳张润曦石春琦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200241

基于55 nm CMOS工艺,设计了一种应用于24 GHz Doppler/FMCW双模式雷达系统的模拟基带电路(ABB)。低通滤波器由两个改进型Tow-Thomas二阶节级联而成,实现了增益和带宽独立调节。采用一种基于7 bit可编程电流型数模转换器(IDAC)的两步逐... 详细信息

基于55 nm CMOS工艺,设计了一种应用于24 GHz Doppler/FMCW双模式雷达系统的模拟基带电路(ABB)。低通滤波器由两个改进型Tow-Thomas二阶节级联而成,实现了增益和带宽独立调节。采用一种基于7 bit可编程电流型数模转换器(IDAC)的两步逐次逼近型直流失调消除电路(SAR DCOC),可在Doppler模式10~600 Hz极低中频条件下,对混频器输出和基带自身直流失调进行消除。在IDAC和两级运放中混合使用BJT管,减小闪烁噪声,获得良好的低频噪声性能。后仿真结果表明,在2.5 V电源电压、模拟基带消耗电流4.9 mA下,两种模式增益范围均为6~62 dB,最大线性输入幅度(IP 1 dB)为10 dBm;62 dB增益时,Doppler模式、FMCW模式下的噪声系数分别小于42 dB、27 dB。蒙特卡罗仿真结果表明,当输入存在400 mV、200 mV直流失调时,基带输出直流失调仅为21.3 mV和16.4 mV。

关键词：模拟基带调频连续波多普勒可编程IDAC 逐次逼近型直流失调消除电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种全集成8位2.16 GS/s SAR ADC

引用

微电子学 2021年第6期51卷 791-798页

作者：吴琪张润曦石春琦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200241

设计了一种8位2.16 GS/s四通道、时间交织逐次逼近型模数转换器(TI-SAR ADC)。单通道SAR ADC采用数据环、异步时钟环的双环结构实现高速工作。采用带复位开关的动态比较器缩短量化时间,提高比较精度。结合反向单调切换时序,逐步增大共... 详细信息

设计了一种8位2.16 GS/s四通道、时间交织逐次逼近型模数转换器(TI-SAR ADC)。单通道SAR ADC采用数据环、异步时钟环的双环结构实现高速工作。采用带复位开关的动态比较器缩短量化时间,提高比较精度。结合反向单调切换时序,逐步增大共模电压,提升量化速度。基于55 nm CMOS工艺设计,后仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,该TI-SAR ADC消耗42.6 mA电流,在奈奎斯特输入频率下,FOM值为212 fJ/(***),信噪失真比(SNDR)为42.7 dB,无杂散动态范围(SFDR)为53 dB。芯片整体版图面积为3.4 mm;。

关键词： SAR ADC 时间交织全集成

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种用于5G通信的高稳定双模功率放大器

引用

微电子学 2021年第5期51卷 620-626页

作者：郑立昊张润曦石春琦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200241

采用国产40nm CMOS工艺,设计了一种用于5G通信的28GHz双模功率放大器。功率级采用大尺寸晶体管,获得了高饱和输出功率。采用无中心抽头变压器,消除了大尺寸晶体管带来的共模振荡问题。在共源共栅结构的共栅管栅端加入大电阻,提高了共源... 详细信息

采用国产40nm CMOS工艺,设计了一种用于5G通信的28GHz双模功率放大器。功率级采用大尺寸晶体管,获得了高饱和输出功率。采用无中心抽头变压器,消除了大尺寸晶体管带来的共模振荡问题。在共源共栅结构的共栅管栅端加入大电阻,提高了共源共栅结构的高频稳定性。采用共栅短接技术,解决了大电阻引起的差模增益恶化问题。在级间匹配网络中采用变容管调节,实现了双模式工作,分别获得了高功率增益和高带宽。电路后仿真结果表明,在高增益模式下,该双模功率放大器获得了20.8dBm的饱和输出功率、24.5%的功率附加效率和28.1dB的功率增益。在高带宽模式下,获得了20.6dBm的饱和输出功率、22.6%的功率附加效率和12.2 GHz的3dB带宽。

关键词：功率放大器无中心抽头变压器共栅短接双模

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于RFID阅读器的低噪声高电源抑制比LDO

引用

微电子学 2017年第6期47卷 733-738页

作者：任兵兵张润曦石春琦华东师范大学微电子电路与系统研究所上海200062

基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路... 详细信息

基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26nV/Hz^(1/2)和6.7nV/Hz^(1/2),10kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82dB和-71.6dB。在3.3V电源电压供电时,LDO消耗的静态电流为300μA。

关键词：低压差线性稳压器 ESR补偿低噪声高电源抑制比

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：