检索结果-内蒙古大学图书馆

电子与封装 2007年第10期7卷 29-32页

作者：王义李拂晓唐世军郑维彬单片集成电路及模块电路国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于... 详细信息

文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。

关键词： GaAs pHEMT 宽带准单片功率放大器

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4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：陈刚李哲洋陈征冯忠陈雪兰柏松南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法... 详细信息

在4H-SiC MESFE微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9 mm SiC MESFE微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38 W,功率增益9 dB。

关键词： 4H碳化硅金属掩膜金属-肖特基势垒FET

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3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

3英寸Si基AlGaN/GaN/异质结材料生长

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李忠辉李亮董逊张岚姜文海单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓... 详细信息

利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了3英寸无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN/GaN异质结构。通过优化衬底浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和浓度分别达到1580cm/Vs和1.0×10cm。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气

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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

Si掺杂对MOCVD生长的n型Al0.5Ga0.5N的影响

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓... 详细信息

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂AlGaN外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了研究。Hall测量表明,在室温下n型AlGaN中的载流子浓度和迁移率分别为1.2×10cm和12 cm/V·s。载流子浓度随Si掺杂量的增加而增大。利用XRD和Raman等测量方法研究了Si掺杂AlGaN薄膜晶格常数c和Raman散射谱随SiH流量的变化。随着SiH流量的增大,AlGaN薄膜的晶格常数c变小同时E声子峰发生红移,这表明掺Si后AlGaN薄膜中的压应力得到了一定程度的弛豫。

关键词： AlGaN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜

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微波单片集成电路技术快速发展

微波单片集成电路技术快速发展

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所

本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告... 详细信息

本文报告了微波单片集成电路(MMIC)在产业和科研两方面的主要进展和发展趋势,分析了大规模应用和高端应用两种不同的技术发展驱动.重点对砷化镓MMIC,硅基MMIC,宽禁带半导体,毫米波高端技术,窄禁带半导体及三维集成等热点作了描述并报告了国内南京电子器件研究所和单片集成电路与模块国家级重点实验室的相应进展情况.

关键词：微波单片集成电路电子器件宽禁带半导体毫米波技术窄禁带半导体

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BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

BST/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构二维电子气研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：孔月婵薛舫时周建军李亮陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化... 详细信息

采用自洽计算方法对BS/AlGaN/GaN铁电/半导体异质结构中二维电子气进行研究,通过计入铁电极化随电场变化的非线性关系,模拟了对该异质结构进行"极化/退极化"(加负/正偏压)后,由铁电极化偶极子翻转导致的二维电子气浓度的变化情况。当对BS/AlGaN/GaN异质结构进行"极化"后,BS极化偶极子部分反转使得BST/AlGaN界面处感生高浓度负极化电荷,对二维电子气产生耗尽作用,而由于极化钉扎作用,此时BS的平均极化方向仍与AlGaN中极化方向相同。当对异质结构进行"退极化"后,BST极化偶极子排列与AlGaN中极化方向相同,二维电子气浓度增加。随AlGaN势垒层厚度减小,BST极化对二维电子气的调制作用增强。另外,通过C-V测量方法对BST/AlGaN/GaN样品进行小范围电压扫描发现C-V曲线呈逆时针滞回方向,证实了铁电体极化对二维电子气的调制作用。

关键词：铁电/半导体异质结构极化调制二维电子气

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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究

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半导体技术 2008年第S1期33卷 269-272页

作者：李哲洋李赟董逊柏松陈刚陈辰中国电子科技集团公司第五十五研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值... 详细信息

研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。

关键词： 4H-SiC 水平热壁式CVD 碳硅比均匀性

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AlN成核层对MOCVD系统中AlN生长的影响

AlN成核层对MOCVD系统中AlN生长的影响

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第十一届全国MOCVD学术会议

作者：李亮李忠辉董逊周建军孔月婵姜文海陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

本文研究了MOCVD系统中AIN成核层对MOCVD系统中AIN外延薄膜生长的影响。通过改变了AIN成核层的生长条件,得到了不同生长温度、反应室压力、NH流量下AIN成核层与AIN薄膜外延生长的关系。

关键词： AIN MOCVD

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Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

Al0.66Ga0.34N日盲紫外光电探测器研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：姜文海陈辰周建军李忠辉董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试... 详细信息

采用MOCVD生长的高Al含量n-AlGaN制备了金属半导体金属（MSM）结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X射线衍射（AXRD）对外延材料进行测试,AlGaN半峰宽（FWHM）为155 arcs,显示了良好的晶体质量。经光谱响应测试,探测器存在两个峰值响应,波长分别位于255、365 nm处,说明探测器同时具有日盲探测和双色探测特征。在6 V偏压下255 nm处响应度为0.1 A/W,并以此推算出AlGaN材料的Al含量为0.66。

关键词：金属-半导体-金属日盲探测器半峰宽双色响应度

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8～3.4 GHz的频带内小信号增益大于12 dB,漏电压为32 V时带内脉冲输出功率超过5 W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。

关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路

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