检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：薛舫时单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型... 详细信息

自洽求解薛定谔方程和泊松方程得到异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层厚度,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生-复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.

关键词： AlGaN GaN场效应管陷阱位置激活能表面缺陷热电子隧穿薛定谔方程异质结能带

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基于LTCC技术的多层垂直转换电路设计

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电子与封装 2007年第7期7卷 14-16,23页

作者：周骏沈亚戴雷王子良李拂晓单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

低温共烧陶瓷(LTCC)是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路,优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离,仿真结果与... 详细信息

低温共烧陶瓷(LTCC)是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路,优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离,仿真结果与实测较为吻合。

关键词：低温共烧陶瓷垂直转换网格地平面三线结构

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S波段SiC MESFET微波功率MMIC

S波段SiC MESFET微波功率MMIC

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松蒋幼泉陈辰陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波... 详细信息

利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8-3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32v时带内脉冲输出功率超过5w。SiC MMIC小信号特性达到了设计的预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。进一步的优化工作正在进行中。

关键词：碳化硅外延材料微波功率器件无源器件

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WN肖特基势垒高功率高效率GaN HEMT

WN肖特基势垒高功率高效率GaN HEMT

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者：陈堂胜南京电子器件研究单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、抗辐照等特点,GaN HEMT的出现为固态微波功率器件向更高的输出功率、更高的效率、更宽的工作带宽发展奠定了基础。尽管GaN HEMT的微波性能优势得到了充分体现,但进一步提高器件的可靠... 详细信息

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、抗辐照等特点,GaN HEMT的出现为固态微波功率器件向更高的输出功率、更高的效率、更宽的工作带宽发展奠定了基础。尽管GaN HEMT的微波性能优势得到了充分体现,但进一步提高器件的可靠性,全面满足应用要求仍然是必须解决的问题。本报告报道了基于WN肖特基势垒的GaN HEMT,通过难熔金属势类的采用提高GaN HEMT的可靠性。WN金属与AIGaN势垒层接触所形成的界面具有良好的稳定性,实现的肖特基势垒在500℃下保持势垒特性稳定,结合V型结构场板工艺技术,研制的1.25mm栅宽0.5mm GaN HEMT在2.2GHz、28V工作最佳效率匹配输出功率密度3.3W/mm,对应的功率增益(Gp)和功率附加效率(PAE)分别为14dB和75％。针对1.25mm栅宽GaN HEMT进行275℃,300℃,325℃三个结温下的高温加速寿命试验,以饱和电流Idss下降20％作为失效判据。加速寿命实验表明该器件在150℃结温下的平均失效间隔时间(MTTF)为1.8×107小时,激活能1.5eV。采用2个12mm栅宽管芯研制的GaN功率管在1.14-1.24GHz带内连续波输出功率大于90W,Gp大于14dB,PAE典型值70％。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓半导体工作效率功率分析加速寿命实验

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磁控溅射AlN介质的14W/mm AlGaN/GaN MIS-HEMT

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中国电子科学研究院学报 2009年第2期4卷 157-160页

作者：任春江陈堂胜焦刚耿涛薛舫时陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200... 详细信息

介绍了一种采用磁控溅射AlN介质作为绝缘层的的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了凹槽栅和场板结构。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在2GHz、75V工作电压下,研制的200μm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率密度达到了14.4W/mm,器件功率增益和功率附加效率分别为20.51dB和54.2%。

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 MIS 电流崩塌

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4H-SiC肖特基二极管α探测器研究

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核电子学与探测技术 2013年第1期33卷 57-61页

作者：陈雨范晓强蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理四川大学物理科学与技术学院成都610064 中国工程物理研究院核物理与化学研究所绵阳621900 中国工程物理研究院中子物理重点实验室绵阳621900 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探... 详细信息

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。

关键词： α探测器肖特基二极管 4H—SiC

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导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率... 详细信息

本文分别在导通和半绝缘4H SiC衬底上生长了MESFET结构的外延并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25-30 mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参致的不同是造成微波性能差异的主要原因.

关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底微波功率 MESFET结构

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4H-SiC MESFET结构外延技术研究

4H-SiC MESFET结构外延技术研究

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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：李哲洋董逊柏松陈刚陈堂胜陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室210016

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡... 详细信息

本文利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作P型和N型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,文中给出了部分器件测试结果.

关键词： 4H-SiC SEM SIMS MESFET结构

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多种宽带传输结构的研究与分析

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电子与封装 2017年第7期17卷 43-47页

作者：赵逸涵史源钱兴成单片集成电路与模块国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

针对宽带高频组件的发展趋势,研究了三种不同的适用于宽带高频信号的传输结构。主要介绍了三种传输结构的设计方案,并利用HFSS软件对传输结构进行仿真优化,最后进行了实物分析验证。经过测试,在宽带高频信号下,三种结构均有比较良好的... 详细信息

针对宽带高频组件的发展趋势,研究了三种不同的适用于宽带高频信号的传输结构。主要介绍了三种传输结构的设计方案,并利用HFSS软件对传输结构进行仿真优化,最后进行了实物分析验证。经过测试,在宽带高频信号下,三种结构均有比较良好的电性能传输特性。该测试结果表明,宽带高频组件的设计中可以根据实际需求运用多种传输结构实现较高的性能指标,具有广泛的应用前景。

关键词：宽带高频传输结构 HFSS仿真

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InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：韩春林薛舫时高建峰陈辰单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：... 详细信息

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。并通过MATLAB软件对器件Ⅰ-Ⅴ测试曲线进行了数值拟合,拟合结果与实验数据吻合的很好。

关键词：共振遂穿二极管优化设计外延材料电子束光刻光刻工艺空气桥互连电学特性

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