检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 F0003-F0003页

作者：张有涛李晓鹏刘奡张敏陈新宇钱峰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来... 详细信息

超高速模数转换器(ADC)是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关健组成部分.快闪(SLASH)ADC具有最高的转换速度,是设计超高速ADC的最佳选择,但是其功耗、面积都随分辨率指数增长,且对工艺离散敏感,因此需要综合考虑各项指标来进行芯片架构优化.

关键词：高速模数转换器 bit GS 高速数据采集软件无线电数字化雷达高速ADC 组成部分

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高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：任春江李忠辉焦刚钟世昌董逊薛舫时陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×... 详细信息

利用南京电子器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8 GHz输出功率密度10.52 W/mm的HEM器件。非接触霍尔测试表明,经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气（2DEG）面密度为1.0×10cm,迁移率达1 880 cm/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaNHEMT,小信号测试表明器件f为31.6 GHz,最高振荡频率f为36.8 GHz。研制的1 mm栅宽器件8 GHz、45 V工作电压下饱和输出功率为10.52 W,功率增益和功率附加效率分别为7.62 dB和45.8%。

关键词：氧化镓铝/氮化镓高电子迁移率晶体管电流崩塌

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

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固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 -页

作者：柏松吴鹏陈刚冯忠李哲洋林川蒋幼泉陈辰邵凯单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

现代雷达和通讯系统要求不断地提高微波功率器件的功率、效率以及带宽.SiCMESFET具有高功率密度、高工作电压等优势,成为目前国际上重点研究的微波功率器件之一.

关键词：内匹配脉冲功率 SiC 波段

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用于SIP系统的三维多层LTCC延迟线设计

用于SIP系统的三维多层LTCC延迟线设计

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2009年全国微波毫米波会议

作者：张华陈安定於晓峰丁玉宁王子良戴雷南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频... 详细信息

本文设计了基于LTCC基板的三维多层微波延迟线,用于SIP系统。采用同轴线的概念,设计了类同轴垂直转换结构,以提供多层传输线间的连接。设计了多层弯折延迟线,对延迟线进行了三维全波电磁仿真优化,获得了较好的信号完整性:并在4～8GHz频率内,分别获得了0.2nS和0.55nS的延迟时间。

关键词：三维微波延迟线 LTCC多层基板类同轴垂直转换 SIP

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耐250℃高温的1200 V-5 A 4H-SiC JBS二极管

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 F0003-F0003页

作者：倪炜江李宇柱李哲洋李赞陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

碳化硅(4H-SiC)材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性,因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多,被认为在更高功率、更苛刻环境下有取代Si的非常广泛的应用前景.

关键词：耐高温二极管电力电子器件 SiC 优良特性高热导率漂移速率器件性能

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GaN MSM型紫外探测器

GaN MSM型紫外探测器

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2007年全国微波毫米波会议

作者：姜文海陈辰李忠辉周建军董逊南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对... 详细信息

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近10～3。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。

关键词：紫外探测器可见盲宽带隙

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C波段窄带腔体滤波器设计

C波段窄带腔体滤波器设计

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2007年全国微波毫米波会议

作者：张华孙健陶若燕南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导... 详细信息

本文对同轴腔体滤波器的电磁结构模型进行了理论分析,得出计算谐振腔体间耦合系数的公式,以及谐振单元本征值等关键参数,并应用三维电磁仿真软件进行分析、优化,最后对滤波器实物进行测试,实测与仿真结果吻合。与传统的C波段腔体、波导窄带带通滤波器相比,该同轴腔体滤波器实现了小型化。

关键词：窄带同轴腔体滤波器全波分析耦合系数本征值

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Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究

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电子与封装 2010年第6期10卷 23-25,38页

作者：孙春妹钟世昌陈堂胜任春江焦刚陈辰高涛南京电子器件研究所南京210016 单片集成电路及模块电路国家重点实验室南京210016

文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电... 详细信息

文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题。以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W。在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道。

关键词： GaN 功率管内匹配

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高功率GaN微波功率放大模块及其应用

高功率GaN微波功率放大模块及其应用

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2010’全国半导体器件技术研讨会

作者：唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现... 详细信息

采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益为20 dB、功率附加效率(PAE)为46%。实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块

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SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

SiC基AlGaN/GaN HEMTs外延工艺研究

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第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议

作者：李忠辉董逊任春江李亮焦刚陈辰陈堂胜南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52... 详细信息

利用MOCVD研究了SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs材料外延生长工艺。所研制GaNHEMTs外延材料的2DEG方块电阻不均匀性约为2%,n×μ达到2.2×10/V·s（室温）。采用上述材料制作1 mm栅宽HEMTs器件,8 GHz、45 V工作时输出功率密度10.52 W/mm,功率增益7.62 dB,功率附加效率45.8%,表明该外延材料具有较好的微波应用潜力。

关键词：碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管

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